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  • 2 篇 工学
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主题

  • 2 篇 砷化镓微波功率场...
  • 1 篇 制造工艺
  • 1 篇 砷化镓功率赝配高...
  • 1 篇 背面通孔
  • 1 篇 gaasmmic
  • 1 篇 可靠性
  • 1 篇 扫描电镜
  • 1 篇 通孔工艺
  • 1 篇 动态伏安特性
  • 1 篇 sem

机构

  • 1 篇 电子十三所
  • 1 篇 南京电子器件研究...
  • 1 篇 河北工业大学

作者

  • 1 篇 陈堂胜
  • 1 篇 杨瑞霞
  • 1 篇 刘立浩
  • 1 篇 王同祥
  • 1 篇 张雄文
  • 1 篇 周瑞

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=砷化镓微波功率场效应晶体管"
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GaAs微波功率FET的可靠性与功率特性的关系
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固体电子学研究与进展 2008年 第3期28卷 377-382页
作者： 陈堂胜 南京电子器件研究所 单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016
采用射频最大饱和漏电流和射频击穿电压解释了影响GaAs微波功率FET功率特性的主要因素,GaAs FET栅漏间半导体表面负电荷的积累在引起器件电流偏移的同时还导致器件微波功率特性的退化,GaAs微波功率FET的可靠性和功率特性相互关联,高可靠... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
使用SEM分析GaAs MMIC制作中的通孔工艺问题
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电子显微学报 2002年 第5期21卷 788-789页
作者： 刘立浩 杨瑞霞 王同祥 张雄文 周瑞 河北工业大学信息学院 天津300130 电子十三所 河北石家庄050051
背面通孔是GaAs MMIC制造工艺中的一个重要步骤。通路孔在接地灵活性和减少接地电感方面比其它接地方法更具优越性。背面通孔的形貌和大小将会对后面的工艺产生很大的影响。因此，使用SEM对背面通孔工艺进行研究变得尤为重要。
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