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蓝宝石邻晶面衬底MBE生长GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性研究

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物理学报 2007年第7期56卷 4218-4223页

作者：苑进社陈光德重庆师范大学物理学与信息技术学院重庆400047 西安交通大学理学院西安710048

在实验优化MBE工艺条件的基础上,采用蓝宝石(0001)邻晶面衬底制备出了具有较高质量的GaN薄膜.XRD分析表明邻晶面衬底生长的GaN薄膜晶体结构质量明显提高,AFM表征结果显示邻晶面生长的样品表面形貌显著改善.蓝宝石衬底GaN薄膜的瞬态光电... 详细信息

在实验优化MBE工艺条件的基础上,采用蓝宝石(0001)邻晶面衬底制备出了具有较高质量的GaN薄膜.XRD分析表明邻晶面衬底生长的GaN薄膜晶体结构质量明显提高,AFM表征结果显示邻晶面生长的样品表面形貌显著改善.蓝宝石衬底GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性对比实验研究发现,常规衬底生长的GaN薄膜光电导弛豫特性出现双分子复合、单分子复合和弛豫振荡三个过程,持续时间分别为0.91,7.7和35.5ms;蓝宝石邻晶面衬底生长的GaN薄膜光电导弛豫过程主要是双分子复合和单分子复合过程,持续时间分别为0.78和14ms.理论分析表明MBE生长GaN薄膜的持续光电导效应主要起源于本生位错缺陷引发的深能级.

关键词：邻晶面蓝宝石衬底 GaN薄膜瞬态光电导弛豫特性

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非晶硅薄膜瞬态光电导的光致变化(英文)

Journal of Semiconductors 2002年第8期23卷 794-799页

作者：张世斌孔光临徐艳月王永谦刁宏伟廖显伯中国科学院半导体所表面物理实验室凝聚态物理中心北京100083

研究了非晶硅薄膜的瞬态光电导的光致变化情况 .用通常的非晶态半导体的瞬态光电流的乘方规律和稳态光电导的扩展指数规律都不能对试验数据进行很好的拟合 ,而采用两个指数函数相加的形式可以对实验数据进行很好的拟合 .这表明非晶硅薄... 详细信息

研究了非晶硅薄膜的瞬态光电导的光致变化情况 .用通常的非晶态半导体的瞬态光电流的乘方规律和稳态光电导的扩展指数规律都不能对试验数据进行很好的拟合 ,而采用两个指数函数相加的形式可以对实验数据进行很好的拟合 .这表明非晶硅薄膜长时间的衰退不是由带尾态决定 ,而是由深的陷阱决定的 .两个指数函数的衰退分别对应于距导带 0 .5 2 e V和 0 .5 9e V的两个陷阱 ,这两个陷阱可以被指认为带隙中的荷负电中心 .光照后 ,带隙中的复合中心增加 ,导致电子寿命的减少 ,从而引起光电导的衰退 .

关键词：硅薄膜非晶硅瞬态光电导光致变化

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铱掺杂溴化银微晶的瞬态光电导研究

应用光学 2002年第3期23卷 18-22页

作者：王巍张怀武王豪才电子科技大学信息功能材料学院四川成都610054

研究在 77K时 ,铱掺杂溴化银微晶瞬态光电导 (TPC)的信号强度和衰减时间与铱掺杂浓度间的关系。在溴化银微晶的制备过程中 ,Ir Cl3 -6作为掺杂剂加入 ,使溴化银微晶中的部分银离子所占据的晶格位被铱离子取代 ,在溴化银晶体中同时引入... 详细信息

研究在 77K时 ,铱掺杂溴化银微晶瞬态光电导 (TPC)的信号强度和衰减时间与铱掺杂浓度间的关系。在溴化银微晶的制备过程中 ,Ir Cl3 -6作为掺杂剂加入 ,使溴化银微晶中的部分银离子所占据的晶格位被铱离子取代 ,在溴化银晶体中同时引入新的电子陷阱与空穴陷阱 ,增强了内部的电子空穴复合 ,使

关键词：铱掺杂溴化银微晶瞬态光电导

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超短光脉冲作用下非晶硅的瞬态光电导

高速摄影与光子学 1991年第1期20卷 77-79页

作者：郭亨群叶天水曾锦川华侨大学应用物理系

本文对制备时衬底温度不同的辉光放电沉积a-Si样品在超短光脉冲作用下的瞬态光电导进行研究,响应时间与样品缺陷态密度的关系表明a-Si中光生电流衰减的机制是缺陷态对光生载流子的俘获。与化学气相沉积a-Si和进口硅PIN快速光电探测器的... 详细信息

本文对制备时衬底温度不同的辉光放电沉积a-Si样品在超短光脉冲作用下的瞬态光电导进行研究,响应时间与样品缺陷态密度的关系表明a-Si中光生电流衰减的机制是缺陷态对光生载流子的俘获。与化学气相沉积a-Si和进口硅PIN快速光电探测器的瞬态响应实验结果的比较说明,a-Si的瞬态响应稳定性好。

关键词：非晶硅瞬态光电导

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P型CuInSe_2薄膜的瞬态光电导

红外研究 1990年第3期9卷 227-232页

作者：邓文荣杨文库中国科学院长春光学精密机械研究所吉林长春130022 长春光学精密机械学院吉林长春130022

在低温下观察到P型CuInSe_2薄膜的瞬态光电导现象,并进行了理论和实验研究。认为该现象是由陷阱引起的光电导衰减使陷阱位垒妨碍光生电子和空穴的复合,通过隧道效应实现了光生电子和空穴的复合。理论与实验结果一致。

关键词：瞬态光电导隧道效应 P-CuInSe_2薄膜

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半导体多晶薄膜的瞬态光电导

Journal of Semiconductors 1997年第11期18卷 814-819页

作者：杨文库杨宇晶杨韬邓文荣长春光学精密机械学院电子工程系长春130022 吉林职业师范学院计算机式程系长春130052 吉林电力勘测设计院计算机处长春130022 中国科学院长春光学精密机械研究所长春130022

在低温下观察到半导体多晶薄膜的瞬态光电导现象．给出了三维理论模型．理论研究表明，陷阶引起光电导，光生载流子通过隧道效应实现复合，使光电导逐渐衰减．我们的实验结果与理论计算结果符合得相当好．

关键词：半导体多晶薄膜瞬态光电导半导体薄膜技术

步进扫描时间分辨光谱及其在太阳电池光电导上的应用

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物理学报 2004年第11期53卷 3716-3723页

作者：朱建敏沈文忠上海交通大学物理系凝聚态光谱与光电子物理实验室上海200030

建立傅里叶变换步进扫描时间分辨光电导光谱 ,并研究太阳电池中与转换效率密切相关的少数载流子寿命 .实验选取三种典型的硅太阳电池 (单晶硅样品 1、多晶硅样品 2和多晶硅样品 3) ,发现其瞬态光电导的上升和衰退曲线可以分别用两个简... 详细信息

建立傅里叶变换步进扫描时间分辨光电导光谱 ,并研究太阳电池中与转换效率密切相关的少数载流子寿命 .实验选取三种典型的硅太阳电池 (单晶硅样品 1、多晶硅样品 2和多晶硅样品 3) ,发现其瞬态光电导的上升和衰退曲线可以分别用两个简单的指数函数描述 .由于有复合中心的参与 ,复合过程中少数载流子的寿命比产生过程中的寿命短 .为验证实验结果的可靠性 ,采用了提取样品少数载流子的体寿命和计算其有效扩散长度两种方法 .通过与太阳电池暗伏安特性和负载特性研究相结合 ,进一步分析和讨论了少数载流子寿命与短路电流、开路电压和转换效率的关系 .

关键词：步进扫描少数载流子寿命瞬态光电导转换效率时间分辨光谱多晶硅伏安特性指数函数上升导光

缺氧La0.6Ca0.4MnO3-δ/Si薄膜和异质结的光电特性

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缺氧La0.6Ca0.4MnO3-δ/Si薄膜和异质结的光电特性

作者：严资杰华中科技大学

学位级别：硕士

钙钛矿结构锰氧化物因其特殊的电学和磁学性质而得到了广泛的研究。自旋、电荷、晶格和轨道自由度的相互耦合使其对磁场、电场和光场等非常敏感。由于在光电器件中的巨大应用潜力,对于钙钛矿锰氧化物光致效应的研究具有重要意义。本论... 详细信息

钙钛矿结构锰氧化物因其特殊的电学和磁学性质而得到了广泛的研究。自旋、电荷、晶格和轨道自由度的相互耦合使其对磁场、电场和光场等非常敏感。由于在光电器件中的巨大应用潜力,对于钙钛矿锰氧化物光致效应的研究具有重要意义。本论文使用脉冲激光沉积(PLD)方法,在Si片上制备了缺氧的La0.6Ca0.4MnO3-δ(LCMO)薄膜。分别采用波长为532nm的连续波激光和脉冲激光研究了LCMO/Si薄膜和异质结的光电特性;并通过制备带有厚度梯度的LCMO薄膜,研究了膜厚对LCMO/Si薄膜和异质结的光电特性的影响。研究发现,缺氧的LCMO薄膜受到连续波激光辐照时电阻会发生几个数量级的变化,在激光功率密度为142mW/cm2时,其在室温下的光电导变化率可达到95.9%。而在脉冲宽度为7ns的脉冲激光辐照时,其瞬态光电导变化的响应时间最快可达20ns。实验中还发现其响应时间和光电流都受到激光功率密度和所施加电场强度的影响。在室温下施加反向偏压时,LCMO/Si异质结中同样观察到巨大的光电导率变化。当反向偏压为-1.5V以及激光功率密度为142mW/cm2时,光电导变化率达到了90%;而实验参数相同,施加正向偏压时,光电导率变化则不明显,当激光功率密度相同以及正向偏压为1.5V时,光电导变化率仅为10%左右。实验还发现LCMO/Si异质结中的响应时间和光电流都受到激光功率密度影响。在异质结中同时还观察到了响应时间约13ns的光生电压信号。当存在厚度梯度时,在LCMO薄膜中观察到类似p-n结的整流特性和奇特的光生电压信号,实验证实膜厚对LCMO/Si薄膜和异质结的光电特性有显著影响。由于氧缺陷的存在,LCMO/Si异质结具有很高的光生电压灵敏度。本论文中的研究结果在新型光电器件等领域具有极大的应用潜力。

关键词：瞬态光电导光生电压钙钛矿薄膜异质结氧缺陷