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固溶体半导体碲硫锌多晶薄膜的制备及发光特性研究

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人工晶体学报 2005年第2期34卷 349-352页

作者：李莹孙汪典唐振方暨南大学预科部广州510610 暨南大学物理系广州510632

ZnS1 xTex薄膜具有高效的发光特性。样品可观测到强烈的光致发光,随着Te含量x的不同,发射光的颜色从深蓝到黄变化,使其成为制作短波长光波段光电子器件和紫外探测器的理想材料。本文介绍了ZnS1 xTex多晶薄膜真空蒸发制备的情况,并用X射... 详细信息

ZnS1 xTex薄膜具有高效的发光特性。样品可观测到强烈的光致发光,随着Te含量x的不同,发射光的颜色从深蓝到黄变化,使其成为制作短波长光波段光电子器件和紫外探测器的理想材料。本文介绍了ZnS1 xTex多晶薄膜真空蒸发制备的情况,并用X射线衍射仪对淀积在玻璃、石英玻璃和单晶硅衬底上的多晶薄膜进行结构分析,用紫外可见分光光度计、荧光光谱分析仪对样品的光吸收和发光性质进行研究。分析表明,该薄膜的结构符合闪锌矿的特征。紫外可见吸收光谱显示该样品在紫外光区有一个强烈的吸收峰,可见光区的吸收很微弱。光致发光光谱表明,样品在可见光区有一个以470nm为中心的发射峰,发射光肉眼可见。该多晶薄膜基本保持了单晶薄膜的紫外吸收、光致发光等良好特性。

关键词：固溶体半导体 ZnS1-xTex多晶薄膜真空蒸镀法光致发光性能碲硫锌多晶薄膜

TeO_x薄膜结构及短波长静态记录特性的研究

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光子学报 2001年第4期30卷 468-472页

作者：李青会顾冬红干福熹中国科学院上海光学精密机械研究所上海201800

以真空蒸镀法在 K9玻璃基底上制备了 Te Ox 单层薄膜 .使用 X射线光电子能谱仪(XPS)、X射线衍射仪 (XRD)、原子力显微镜 (AFM)对薄膜的结构进行了分析 .实验结果表明 ,薄膜是由晶态 Te分散在非晶态 Te O2 基体中形成的混合体系 ,Te O2 ... 详细信息

以真空蒸镀法在 K9玻璃基底上制备了 Te Ox 单层薄膜 .使用 X射线光电子能谱仪(XPS)、X射线衍射仪 (XRD)、原子力显微镜 (AFM)对薄膜的结构进行了分析 .实验结果表明 ,薄膜是由晶态 Te分散在非晶态 Te O2 基体中形成的混合体系 ,Te O2 基体的存在增强了Te的抗氧化性能 ;薄膜具有精细粒状结构和粗糙的表面 ;退火后薄膜的反射率增加和 Te向表面的偏析、重聚集及表面粗糙度的降低有关 .采用波长为 51 4.4nm的短波长静态记录仪对薄膜静态记录性能的测试结果表明 :薄膜具有良好的记录灵敏性 ,在记录功率 1 .5m W、脉宽50 ns时就可产生较高的反射率衬比 (度 ) .研究结果为选择合适掺和物使 Te Ox

关键词： TeOx薄膜静态记录高密度光存储真空蒸镀法 XPS XRD AFM

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楔形金薄膜系统中的反常跳跃电导和隧道效应

物理学报 2004年第1期53卷 239-243页

作者：陶向明夏阿根叶高翔浙江大学物理系杭州310027

采用真空蒸镀方法 ,利用液体衬底在沉积过程中的线性扩散过程 ,在玻璃表面制备出斜率仅为 10 - 5的楔形金薄膜逾渗系统 ,并用四引线方法测量了从该薄膜系统中得到的均匀无序金薄膜的导电特性 .实验结果表明 :和通常的平整薄膜逾渗系统相... 详细信息

采用真空蒸镀方法 ,利用液体衬底在沉积过程中的线性扩散过程 ,在玻璃表面制备出斜率仅为 10 - 5的楔形金薄膜逾渗系统 ,并用四引线方法测量了从该薄膜系统中得到的均匀无序金薄膜的导电特性 .实验结果表明 :和通常的平整薄膜逾渗系统相比 ,该薄膜系统呈现更为强烈的跳跃电导和隧道效应 .

关键词：楔形金薄膜系统反常跳跃电导隧道效应真空蒸镀法线性扩散过程薄膜物理逾渗系统

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金刚石表面的金属化

北京科技大学学报 1997年第5期19卷 462-466页

作者：王岚高学绪北京科技大学材料科学与工程学院北京100083 北京科技大学新金属材料国家重点实验室北京100083

用真空蒸镀法在金刚石表面镀覆Ti层，并经扩散处理使金刚石表面形成TiC膜，实现了金刚石表面的金属化．X射线衍射分析证实了TiC的存在，利用XPS定量分析验证了在金刚石表面碳原子与钛镀层之间的反应扩散模型．经表面金属化的金刚石烧结... 详细信息

用真空蒸镀法在金刚石表面镀覆Ti层，并经扩散处理使金刚石表面形成TiC膜，实现了金刚石表面的金属化．X射线衍射分析证实了TiC的存在，利用XPS定量分析验证了在金刚石表面碳原子与钛镀层之间的反应扩散模型．经表面金属化的金刚石烧结体的力学性能测试表明。

关键词：金刚石金属化烧结表面处理真空蒸镀法镀膜

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锗掺杂真空蒸镀基板距离对多晶硅薄膜的影响

材料保护 2014年第7期47卷 33-35,7页

作者：杨萍王宙付传起张庆乐大连大学表面工程中心辽宁大连116622

在真空蒸镀多晶硅薄膜中掺入杂质可改善膜的微结构及电特性,目前有关基板距离对所得膜层的影响研究不多。采用真空蒸镀掺杂锗的方法制备出多晶硅薄膜;通过扫描电镜、X射线衍射仪、拉曼光谱仪等研究了基板距离对掺锗多晶硅薄膜的组织、... 详细信息

在真空蒸镀多晶硅薄膜中掺入杂质可改善膜的微结构及电特性,目前有关基板距离对所得膜层的影响研究不多。采用真空蒸镀掺杂锗的方法制备出多晶硅薄膜;通过扫描电镜、X射线衍射仪、拉曼光谱仪等研究了基板距离对掺锗多晶硅薄膜的组织、形貌、晶粒尺寸及晶化率的影响。结果表明:随着基板距离的增大,薄膜的晶粒尺寸和晶化率均呈现出先增大后减小的相似趋势;当基板距离为90 mm时,晶粒尺寸显著增大,最大达到0.8μm左右,多晶硅薄膜晶粒形貌、结构性能最好,且具有较高的结晶度,薄膜的晶化率最高可达到85.10%。

关键词：真空蒸镀法多晶硅薄膜组织形貌晶粒尺寸基板距离锗掺杂晶化率

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有机半导体薄膜三极管的研制

Journal of Semiconductors 2002年第6期23卷 645-650页

作者：王东兴朱敏工藤一浩田中国昭大连铁道学院电气信息工程分院大连116028 日本千叶大学工学部

采用真空蒸镀法和有机半导体材料酞菁铜 ,制作 Au/ Cu Pc/ Al/ Cu Pc/ Au三明治结构的肖特基型栅极有机静电感应三极管 .该三极管导电沟道垂直于 Cu Pc薄膜 ,与采用 MOSFET结构的有机薄膜三极管相比导电沟道大幅缩短 ,有利于克服有机半... 详细信息

采用真空蒸镀法和有机半导体材料酞菁铜 ,制作 Au/ Cu Pc/ Al/ Cu Pc/ Au三明治结构的肖特基型栅极有机静电感应三极管 .该三极管导电沟道垂直于 Cu Pc薄膜 ,与采用 MOSFET结构的有机薄膜三极管相比导电沟道大幅缩短 ,有利于克服有机半导体电学性能的缺点 .实验结果表明 ,该三极管驱动电压低 ,呈不饱和电流 -电压特性 .其工作特性依赖于栅极电压和梳状铝电极的结构 .通过合理设计、制作梳状铝电极 ,获得了良好的三极管静态。

关键词：薄膜三极管酞菁铜有机半导体真空蒸发真空蒸镀法