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真空电击穿的材料显微组织影响因素

真空电子技术 1996年第6期9卷 22-25页

作者：杨志懋丁秉钧王笑天西安交通大学材料科学与工程学院

本文总结了合金的显微组织对真空击穿的影响规律。应用材料学科和电子、电气学科的基本理论，在大量实验基础上提出了关于合金耐电压强度的新观点。本文介绍了真空击穿实验过程，并从四个方面说明材料显微组织对耐电压强度的影响：①合... 详细信息

本文总结了合金的显微组织对真空击穿的影响规律。应用材料学科和电子、电气学科的基本理论，在大量实验基础上提出了关于合金耐电压强度的新观点。本文介绍了真空击穿实验过程，并从四个方面说明材料显微组织对耐电压强度的影响：①合金的首击穿相；②老炼的作用；③硬度与耐电压强度的关系；④添加合金元素的影响。

关键词：电击穿显微组织金属材料真空击穿

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电极表面形态对真空击穿特性的影响

电子器件 2014年第3期37卷 385-389页

作者：俞永波杨兰兰屠彦肖梅张晓兵东南大学电子科学与工程学院南京210096

真空击穿是影响许多电子器件性能的一个重要因素,引起真空击穿的原因很多,其中电极的表面形态在真空击穿的起始阶段发挥着重要的作用。采用有限元法分析了不同电极表面形态对电极间电场的影响,研究表明当电极表面有凹凸缺陷时易引起击... 详细信息

真空击穿是影响许多电子器件性能的一个重要因素,引起真空击穿的原因很多,其中电极的表面形态在真空击穿的起始阶段发挥着重要的作用。采用有限元法分析了不同电极表面形态对电极间电场的影响,研究表明当电极表面有凹凸缺陷时易引起击穿的发生,其中凸缺陷将导致电场强度几十倍增加,且圆锥形凸起引起的最大电场强度和尖端角度成线性关系;并进一步模拟研究了老炼对真空击穿特性的改进,结果表明老炼可将峰值电场强度降低70%以上。

关键词：真空击穿表面形态电场强度老炼

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真空击穿(二)

真空科学与技术学报 1983年第6期 471-482页

作者：胡汉泉李昌全陈丕瑾马骊平北京电子管厂北京真空电子器件研究所清华大学

第二章真空击穿的引发机制真空中相距较近的电极之间,施以高电压,常会出现极间电流。开始时为微弱的预击穿电流;随着极间电压的升高,电流迅速增长;电压超过阈值时即发生真空击穿。击穿时,极间绝缘性能全部被破坏,极间电流可逾数千安。... 详细信息

第二章真空击穿的引发机制真空中相距较近的电极之间,施以高电压,常会出现极间电流。开始时为微弱的预击穿电流;随着极间电压的升高,电流迅速增长;电压超过阈值时即发生真空击穿。击穿时,极间绝缘性能全部被破坏,极间电流可逾数千安。对于真空击穿的引发机制,依据电极的间距大小与表面状态等因素提出过各种解释,公认的主要有:(1)场发射现象,(2)微放电现象,(3)微粒现象。

关键词：微粒尺寸热斑电极表面场致发射体阴极表面阳极场发射电流电荷交换电荷转移真空击穿金属蒸气隧道效应静电场电极材料

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真空击穿(一)

真空科学与技术学报 1983年第2期 153-164页

作者：胡汉泉李昌全陈丕瑾马骊平北京电子管厂北京真空电子器件研究所清华大学

第一章预击穿过程真空中电极间的电压过高时,就会发生电击穿。电击穿有两种主要形式,即气体放电击穿与真空击穿。对于一已知的电极系统,通常气体击穿的压强下限是很难定义的,因为它与气体种类、电场强度和电极材料有关。气体放电击穿电... 详细信息

第一章预击穿过程真空中电极间的电压过高时,就会发生电击穿。电击穿有两种主要形式,即气体放电击穿与真空击穿。对于一已知的电极系统,通常气体击穿的压强下限是很难定义的,因为它与气体种类、电场强度和电极材料有关。气体放电击穿电压VB取决于气体压强P和极间距离d的乘积。

关键词：场致发射电流密度电极材料场强福勒诺海击穿电压电场力电极表面极间距极距金属表面预击穿电流真空击穿阳极微粒阴极表面场发射电流电场强度微放电

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真空击穿中的表面效应

真空电子技术 1976年第4期 17-23+54页

作者：毕建明

引言一般认为电极和绝缘另件的表面状况对真空击穿的引起起着主要的作用。尽管现在我们对这些作用已经有了很多的了解,但是,却依然缺乏许多基本资料,还有许多观察到的现象和实验数据不能透彻的理解。虽然Cranberg型机理能说明某些实验结... 详细信息

引言一般认为电极和绝缘另件的表面状况对真空击穿的引起起着主要的作用。尽管现在我们对这些作用已经有了很多的了解,但是,却依然缺乏许多基本资料,还有许多观察到的现象和实验数据不能透彻的理解。虽然Cranberg型机理能说明某些实验结果(特别是对表面上有松散的微粒和尘埃的情况),但是,引起真空击穿主要是由于阴极表面上“隆起物”的场致发射,对这一点几乎没有什

关键词：场致发射电子发射真空击穿离子轰击

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Cu合金在真空小间隙下的击穿表面特征

真空电子技术 1996年第4期9卷 31-33页

作者：杨志懋崔建国丁秉钧王笑天西安交通大学材料工程学院

本文研究了真空Ｃｕ，ＣｕＣｒ３和ＣｕＣｒ５０合金在真空小间隙下的击穿强度和击穿后表面组织特征，认为个同成份的合金由于表面熔化层快速冷却时产生的不同表面组织形貌特征是影响其击穿强度的一个重要原因。

关键词：真空击穿表面合金铜

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热解石墨栅电子管的真空击穿问题

真空电子技术 1985年第2期 32-38页

作者：张学余 4401厂

引言在我们研制石墨栅的过程中发现,石墨栅电子管的耐压性能明显地较钼栅管差,尤其是四极管的一、二栅之间,常常在达不到所要求的工作电压时,就发生跳火击穿,使管子不能正常工作,甚至造成永久性损坏。以我厂79年试制的FU-108z电子管为... 详细信息

引言在我们研制石墨栅的过程中发现,石墨栅电子管的耐压性能明显地较钼栅管差,尤其是四极管的一、二栅之间,常常在达不到所要求的工作电压时,就发生跳火击穿,使管子不能正常工作,甚至造成永久性损坏。以我厂79年试制的FU-108z电子管为例。排气中高压烧毛时,钼栅管g1～g2能耐8kV高压冲击,g2～A可打到60kV以上。石墨栅管g1～g2勉强打到3kV(此时的平均场强E=

关键词：热解石墨栅极真空击穿耐压性能电子设备电子管电子发射场致发射石墨表面电极表面石墨微粒

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真空中的电击穿

真空电子技术 1971年第5期 30-36页

評論了真空击穿的理論及試驗情况。在极間距离为0.015时情况下进行的測量表明,在管內压强約10-5～10-7乇及所加电压頻率在0～6兆赫之間击穿无变化或很少变化。改变电极材料、几何形状及表面处理沒有提供显著的改进,但高压老炼或处理改... 详细信息

評論了真空击穿的理論及試驗情况。在极間距离为0.015时情况下进行的測量表明,在管內压强約10-5～10-7乇及所加电压頻率在0～6兆赫之間击穿无变化或很少变化。改变电极材料、几何形状及表面处理沒有提供显著的改进,但高压老炼或处理改善击穿特性1～2倍。阴极表面鬚形突出所增高的場致发射,致使場发射的預击穿电流的个別注流从阴极流向阳极。預击穿的电流,能使突出部分发生电阻加热及局部的电子轰击阳极加热,两者所产生的蒸发及毁坏效应能导致击穿。

关键词：预击穿电流图象电击穿放电间隙电压真空击穿阴极表面电极材料击穿电压阳极间隙距离场致发射电子发射电场电磁场

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真空中电击穿的物理

真空电子技术 1978年第2期 205-214页

作者：胡汉泉 1412所

Ⅰ.引言真空中的一个间隙可以承受高电压而作为良好的绝缘体,这是电子技术中所熟知而经常利用的一个现象。在理想情况下,所能承受的电场强度仅限制于电极表面的电子发射,而可达到10~7伏/厘米。在实际器件中,有时在低二至三个数量级的电... 详细信息

Ⅰ.引言真空中的一个间隙可以承受高电压而作为良好的绝缘体,这是电子技术中所熟知而经常利用的一个现象。在理想情况下,所能承受的电场强度仅限制于电极表面的电子发射,而可达到10~7伏/厘米。在实际器件中,有时在低二至三个数量级的电场强度即10~5～10~4伏/厘米时会发生击穿,而成为限制器件性能的主要因素。真空中电绝缘的重要性是因为它在近代技术中关系到下述一些器件的应用。

关键词：场致发射老炼电子发射电极表面真空击穿击穿电压阳极材料预击穿电流电击穿放电热阴极间隙电压