检索结果-南通市图书馆

作者：郑瑞华合肥学院

学位级别：硕士

压电陶瓷就是通过压电效应把机械能和电能相互转换的陶瓷材料,已在信息传感,航天、在军事和日常生活中被广泛使用,压电陶瓷之所以得到广泛应用,其中,以二元系锆钛酸铅(PZT)为代表的铅基陶瓷因具有响应速度快、高热导率和稳定性的优异性... 详细信息

压电陶瓷就是通过压电效应把机械能和电能相互转换的陶瓷材料,已在信息传感,航天、在军事和日常生活中被广泛使用,压电陶瓷之所以得到广泛应用,其中,以二元系锆钛酸铅(PZT)为代表的铅基陶瓷因具有响应速度快、高热导率和稳定性的优异性能,被广泛应用于通信、谐振器和传感器领域,尤其是在航空航天领域应用十分广泛。但PZT陶瓷在制造及使用时中铅元素,对地球环境和人类的身体健康造成了严重的损害,近年来,国家渐渐越来越重视生态环境,重视人类健康,更有许多国家已颁布明令限制铅基材料。因此,寻找一种能够替代PZT陶瓷,且又环保无毒的压电陶瓷成为当前研究的热点。在压电材料分类中,K0.5Na0.5NbO3(KNN)基陶瓷由于较为优异的压电性和高居里温度而成为最有可能取代铅基材料的材料,但是KNN基压电陶瓷存在着碱金属元素易挥发、较差的致密性、压电性能和居里温度难以平衡等问题。基于以上的研究背景,本论文主要以KNN基压电陶瓷为研究对象,选择以不同的锆酸盐为第二组元掺杂物,引入合适的离子对KNN基陶瓷取代掺杂,详细进行了关于掺杂组分与性能增强的研究分析。具体的研究内容和结果如下:(1)将 K0.45Na0.55NbO3 作为基体,引入第二组元(Bi0.5Li0.5)0.9Sr0.1ZrO3(简称为BLSZ),通过传统固相合成法成功制备得到(1-x)KNN-xBLSZ陶瓷,从晶体相结构、陶瓷微观结构、介电性能、压电性能以及铁电性能等方面深入分析BLSZ掺杂KNN陶瓷的影响。通过XRD和EDS测试可以证实BLSZ的掺杂完全形成了纯的固溶体钙钛矿结构,并且全部元素进入到KNN晶格中,随着掺杂量的增加,陶瓷的相结构在逐渐变化,从正交单一相逐渐变为正交-四方共存相,当掺杂量含量0.04时,构建出三方-四方相,此时陶瓷表现出电性能的提升:d33=307 pC/N,kp=46%,同时陶瓷保持着有优异的居里温度Tc=368℃,使得当前陶瓷中保持较高的压电性能的同时不降低居里温度。陶瓷的性能的提升一部分来源于致密性的提升,陶瓷晶粒表现出均匀分布的现象。引入第二元BLSZ的有利于陶瓷室温下构建新型相界、保持高居里温度及提高陶瓷致密性。(2)首先选择了引入Ag+、Ta5+在KNN基陶瓷的A、B位分别掺杂取代,制备出了基体 K0.44Na0.55Ag0.01Nb0.95Ta0.05O3,引入第二组元(Bi0.5Li0.5)0.9Sr0.1ZrO3(简称为BLSZ),使用传统固相合成法成功制备了(1-x)KNANT-xBLSZ陶瓷,以BLSZ组分为变量从陶瓷晶体结构、微观形貌、压电性能、弛豫性能和铁电性能等方面分析研究。通过XRD图谱和介电温谱综合分析,当0≤x≤0.035时,陶瓷的相结构从正交相逐渐转变为正交-四方相,当0.035≤x≤0.06时,室温下陶瓷的相结构为三方-四方相。陶瓷的电学性能在x=0.035时表现最佳:d33=312pC/N,kp=46.5%,在基体具有较好的电学性能的基础上,BLSZ的掺杂使居里温度的变化很小,增强电性能同时依旧保持了较高的居里温度TC=342℃。陶瓷的晶粒整体分布均匀,但过量掺杂会使得抑制晶粒生长,从而晶粒细化导致陶瓷内部的电畴畴壁密度增加,使得整体性能下降。掺杂适量的BLSZ也可以一定程度上稳定陶瓷中的弥散相变,但过高掺杂量依旧会使陶瓷晶格畸变和成分不均匀使得弥散更加严重。(3)为了更有效地构建新型相界,在KNN基陶瓷中引入Sb5+制备出了基体K0.45Na0.55Nb0.965Sb0.035O3,同时引入第二组元(0.9Bi0.5Li0.5ZrO3-0.1SrSnO3)(简称为BLZ-SS)进行复合掺杂,利用传统固相合成的方式制备了(1-x)KNNS-x(BLZ-SS)陶瓷,通过X射线衍射分析、显微结构、介电温谱、能谱分析及铁电性能等方面综合分析探讨。首先可以发现所有的陶瓷均形成了纯的钙钛矿结构,结合EDS证实元素均匀分布在陶瓷中,其次综合XRD和介电温谱结果表明BLZ-SS的掺杂,当x=0.035时,在室温下构建出新型R-T多相共存相界,此时陶瓷内部区域具有更多的可极化状态,电畴变得更加容易翻转,表现出增强的电学性能:d33=324pC/N,kp=49%,通过掺杂和组元引入虽然提高了压电性能,但是没有保持到较高的居里温度Tc=293℃。适量的BLZ-SS的掺杂使得晶粒整体分布均匀,表现出良好的致密度,当掺杂量逐渐增加时,陶瓷出现弥散相变现象,导致出现陶瓷较低的致密度,这也成为影响陶瓷性能下降的原因之一。掺杂BLZ-SS可以有效构建多晶型相界,使得性能得到提升,但是对居里温度的影响较为明显,这对陶瓷的温度应用范围有一定的影响。同时掺杂有利于陶瓷的晶粒均匀分布及致密度的提升,这对陶瓷的电学性能有着积极作用。

关键词：锆酸盐无铅压电陶瓷相界构建铌酸钾钠基性能优化

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KNN基无铅压电陶瓷组分设计与相界构建研究进展

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功能材料 2014年第1期45卷 1-5页

作者：刘超李方旭肖定全朱建国四川大学材料科学与工程学院成都610064

碱金属铌酸盐(KNN)系无铅压电陶瓷因其优异的压电介电性能,尤其是以准同型相界(MPB)或多晶型相界(PPB)附近优越的压电性能受到极为深入和广泛的研究。结合近年相关文献报导,综述了KNN基无铅压电陶瓷的组分设计和相界构建与性能调控的最... 详细信息

碱金属铌酸盐(KNN)系无铅压电陶瓷因其优异的压电介电性能,尤其是以准同型相界(MPB)或多晶型相界(PPB)附近优越的压电性能受到极为深入和广泛的研究。结合近年相关文献报导,综述了KNN基无铅压电陶瓷的组分设计和相界构建与性能调控的最新研究进展;概括总结了相界构建与组分的依赖关系;阐述了组分设计和相界构建在无铅压电陶瓷研究领域中的重要意义;分析并展望了相界构建在无铅压电陶瓷中的研究前景。

关键词：无铅压电陶瓷碱金属铌酸盐组分设计相界构建性能调控

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铌酸钾钠基无铅压电陶瓷组分设计与相界构建的研究

铌酸钾钠基无铅压电陶瓷组分设计与相界构建的研究

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作者：薛旦旦西南大学

学位级别：硕士

压电陶瓷是一种能实现机械能和电能相互转换的功能材料,被广泛用于电子、机械、通讯等各个领域。其中以锆钛酸铅(PZT)基陶瓷为代表的铅基压电陶瓷,因其优异的介电和压电性能,被广泛用于各种压电器件中。但PZT基压电陶瓷含有大量对人体... 详细信息

压电陶瓷是一种能实现机械能和电能相互转换的功能材料,被广泛用于电子、机械、通讯等各个领域。其中以锆钛酸铅(PZT)基陶瓷为代表的铅基压电陶瓷,因其优异的介电和压电性能,被广泛用于各种压电器件中。但PZT基压电陶瓷含有大量对人体有害的铅(Pb),这些铅基压电陶瓷在制备、使用、回收和废弃的过程中,会给人类和环境带来严重的损害。因此,研究和开发无铅压电陶瓷具有重大社会及经济意义。铌酸钾钠(KNN)基无铅压电陶瓷因其具有较好的电学性能和相对较高的居里温度是当前研究较为广泛的无铅体系。不过,同PZT基陶瓷相比,目前KNN基陶瓷综合性能方面还存在较大的差距。为促进KNN基陶瓷的实用化,需要对其进行充分的掺杂改性研究,如同人们过去对PZT基陶瓷所做的那样,尤其是构建具有新型相界的体系。为此,我们首先构建和制备了(1-x)(KNa)Nb O-x Ca Zr O[(1-x)KNN-x CZ]体系陶瓷。研究了Ca Zr O的加入对KNN基无铅压电陶瓷的晶体结构、显微形貌和电学性能的影响。根据XRD物相分析,发现制备的(1-x)KNN-x CZ陶瓷均为单一的钙钛矿结构,无第二相出现。结合XRD分析和介温曲线图谱,发现随着CZ含量的增加,陶瓷逐渐由正交相转变为三方相。当x=0.03.05时,陶瓷处于三方-正交相共存区。根据显微形貌分析,发现随着CZ含量的增加,陶瓷的晶粒尺寸先增大后减小。随着CZ含量的增加,陶瓷的居里温度T与正交-四方相转变温度T均向低温方向移动,而陶瓷的压电常数d、平面机电耦合系数k及介电常数ε随CZ含量的增加具有相似的变化规律,均表现为先增加后降低的趋势。在相界附近x=0.05时,(1-x)KNN-x CZ陶瓷表现出最佳的电学性能:d=181p C/N、其次,我们还采用传统陶瓷制备法制备了Li、Sb掺杂改性的KNN-CZ陶瓷样品。主要研究了(1-x)(K NaLi)NbSbO–x Ca Zr O(KNLNS-CZ)体系无铅压电陶瓷的晶体结构、显微形貌及电学性能。根据XRD物相分析,发现制备的KNLNS-CZ陶瓷具有单一的钙钛矿结构,无第二相出现。结合XRD分析和介温曲线图谱,发现随着Sb含量的增加,陶瓷逐渐由正交相转变为三方相;当x=0.03.05时,陶瓷处于三方-正交相共存区。此外,陶瓷的居里温度T逐渐减小,正交-四方相转变温度T以及三交-正方相转变温度T随着Sb含量的增加,均向室温方向移动。根据显微形貌分析,发现随Sb含量的增加,陶瓷的晶粒尺寸呈先增大后减小的趋势,且在x=0.03时晶粒最大。KNLNS-CZ陶瓷的电学性能较未掺杂的(1-x)KNN-x CZ体系陶瓷有较大的提高。陶瓷的压电常数d、平面机电耦合系数k随Sb含量的增加具有相似的变化规律,即呈现先增加后降低的趋势。当x=0.03时,陶瓷具有最佳的压电性能:d=213 p C/N,k=0.37。我们还采用传统陶瓷制备法制备了(0.98-x)(KNa)Nb O-0.02Ca Zr O-x BiNaHf O[(0.98-x)KNN-0.02CZ-x BNH]陶瓷。研究了BiNaHf O的加入对KNN-CZ体系无铅压电陶瓷相结构、显微形貌和电学性能的影响。根据XRD物相分析,发现所有组分的(0.98-x)KNN-0.02CZ-x BNH陶瓷均为单一的钙钛矿结构,无第二相被检测到。结合XRD分析和介温曲线图谱,发现随着BNH含量的增加,陶瓷结构由单一正交相转变为三方-四方混合相,且在x=0.04.045时,陶瓷处于三方-四交相共存区。根据显微形貌分析,随BNH含量的增加,发现陶瓷的晶粒尺寸先增大后减小,在x=0.045时,晶粒尺寸最大。我们还发现,BNH的引入导致陶瓷的居里温度T、正交-四方相转变温度T逐渐下降,同时三交-正方相转变温度T不断升高;而陶瓷的压电常数d、平面机电耦合系数k随BNH含量的增加呈现出先增大后减小的趋势;在相界附近成分x=0.045,陶瓷具有最佳的压电性能:d=320 p C/N,k=0.40,ε=1896。

关键词：无铅压电陶瓷碱金属铌酸盐组分设计相界构建压电性能

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铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的性能优化与机械变形研究

铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的性能优化与机械变形研究

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作者：刘佳仪成都大学

学位级别：硕士

压电陶瓷因其具备压电效应,是一类珍贵且稀缺的功能材料,广泛应用于多个高科技领域。由此,压电陶瓷成为各国争相研究的热点话题。然而,占据主导地位的是含有大量有毒铅的锆钛酸铅(简称PZT)基陶瓷,在生产和使用过程中会产生大量的有害物... 详细信息

压电陶瓷因其具备压电效应,是一类珍贵且稀缺的功能材料,广泛应用于多个高科技领域。由此,压电陶瓷成为各国争相研究的热点话题。然而,占据主导地位的是含有大量有毒铅的锆钛酸铅(简称PZT)基陶瓷,在生产和使用过程中会产生大量的有害物质,对生态环境和身体健康造成严重的危害。从人类的健康和环境的可持续发展出发,很多国家和地区相继出台了相关的法律法规来限制含铅等有害物质的产品使用。因此,研究环境友好型的无铅压电陶瓷成为具有重大社会经济意义与现实意义的课题。经过科研工作者20多年的不懈努力,在几大无铅压电陶瓷体系中,铌酸钾钠(简称KNN)基陶瓷因其适度的压电性能(d=80-120 pC/N)、高居里温度(T=410℃)和较低的烧结温度而被认为是最有希望取代含铅PZT陶瓷的候选材料之一。近几年,通过相界构建、离子掺杂改性等途径,对KNN基陶瓷的研究取得了一定的成绩。本论文结合当前国内外KNN基无铅压电陶瓷相关的研究进展,以“设计具有多种优异性能的KNN基陶瓷新体系”为目标。通过离子掺杂、相界构建等手段,获得具有优异压电性能、高机械性能的KNN基陶瓷,使得本论文最终设计的KNN基陶瓷体系拥有更为广阔的、多样化的实用范围。主要研究内容具体如下:1、在KNN基体中引入不同含量的Sb离子,并以0.4%FeO作为助燃剂,制备KNNS-BNZS-Fe陶瓷体系。系统地研究Sb含量的变化对陶瓷微观结构、相结构及电学性能的影响机理,更好地优化KNN基陶瓷材料的压电性能(d～393 pC/N)。2、在KNN基体中添加不同含量的BiFeO化合物,设计与制备KNNS-BNZS-xBF陶瓷体系。综合分析这些陶瓷的相结构、微观结构和电学性能,探讨温度场与电场影响陶瓷性能稳定性的内在机理,揭示高压电性能产生的微观机理以及畴变动力学的物理机制,进一步优化KNN基陶瓷材料的压电性能(d～470 pC/N)。3、根据实际工程运用情况,探索离子掺杂对KNNS-BNZS-xBF陶瓷在纳米压痕下与维氏压痕下力学行为的影响,揭示不同载荷作用下的压痕尺寸效应,明确影响压痕尺寸效应的微观机理,分析电极化作用下的机械变形与裂纹扩展行为,阐明极化效应对陶瓷材料的增韧机制。

关键词：铌酸钾钠基无铅压电陶瓷离子掺杂相界构建电学性能机械变形

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(1-x)K_(0.48)Na_(0.52)NbO_3-xBi_(0.45)Nd_(0.05)(Na_(0.92)Li_(0.08))_(0.5)ZrO_3无铅压电陶瓷相结构及压电性能

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无机材料学报 2018年第1期33卷 87-92页

作者：赵林马健张俊吴波肖定全西南民族大学电气信息工程学院成都610041 成都信息工程大学信息材料及器件化应用四川省高校重点实验室成都610225 四川大学材料科学与工程学院成都610064

为了在获得较高压电性能的同时又不大大降低陶瓷的居里温度(TC),设计和制备了Bi_(0.45)Nd_(0.05)(Na_(0.92)-Li_(0.08))_(0.5)ZrO_3改性的K_(0.48)Na_(0.52)NbO_3系无铅压电陶瓷((1–x)KNN-xBNNLZ),研究了BNNLZ含量对KNN基无铅压电陶瓷相结构和电学性能的影响。研究结果表明,所有陶瓷样品均具有较高的居里温度T_C(>300℃)。随着BNNLZ含量的增加,陶瓷的正交-四方相变温度(T_(O-T))不断向低温方向移动,而三方–正交相变温度(T_(R-O))不断向高温方向移动,最终在陶瓷中形成了三方–四方(R-T)共存相,R-T共存相处于0.05相结构的演化改变导致压电常数(d_(33))、介电常数(ε_r)、剩余极化强度(Pr)和机电耦合系数(k_p)都先增大后减小,当x=0.06时陶瓷具有最佳压电性能:d_(33)=313 pC/N,k_p=42%,P_r=25.48μC/cm^2,ε_r=1353,tanδ=2.5%,T_C=327℃。

关键词： KNN 压电性能相界构建

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钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的组分设计与性能调控研究进展

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功能材料 2013年第7期44卷 913-917页

作者：李方旭刘超肖定全四川大学材料科学与工程学院四川成都610064

钛酸铋钠(Bi0.5Na0.5TiO3,BNT)基无铅压电陶瓷是目前研究最多且极具应用前景的钙钛矿(ABO3)型无铅压电材料之一。最近几年,BNT基无铅压电陶瓷仍然是国际压电铁电材料研究的热点之一。从BNT基无铅压电陶瓷A位和/或B位取代、多组元复合、... 详细信息

钛酸铋钠(Bi0.5Na0.5TiO3,BNT)基无铅压电陶瓷是目前研究最多且极具应用前景的钙钛矿(ABO3)型无铅压电材料之一。最近几年,BNT基无铅压电陶瓷仍然是国际压电铁电材料研究的热点之一。从BNT基无铅压电陶瓷A位和/或B位取代、多组元复合、掺杂离子改性以及制备技术改进等方面,综合介绍了2006年以来国内外的研究进展,特别是准同型相界的构建以及组分设计与性能调控的研究进展,并对今后的研究进行了展望。

关键词：无铅压电陶瓷钛酸铋钠组分设计性能调控相界构建

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KNN基无铅压电陶瓷的相界设计与电学性能研究

KNN基无铅压电陶瓷的相界设计与电学性能研究

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作者：陈波西南民族大学

学位级别：硕士

碱金属铌酸盐(KNN)基无铅压电陶瓷因其良好的压电性能和较高的居里温度,是最有潜力取代铅基压电陶瓷的无铅压电陶瓷体系之一。为提高KNN陶瓷的电学性能,研究较为广泛的是降低正交-四方相变温度(TO-T),在室温附近构建正交-四方相界;或是... 详细信息

碱金属铌酸盐(KNN)基无铅压电陶瓷因其良好的压电性能和较高的居里温度,是最有潜力取代铅基压电陶瓷的无铅压电陶瓷体系之一。为提高KNN陶瓷的电学性能,研究较为广泛的是降低正交-四方相变温度(TO-T),在室温附近构建正交-四方相界;或是提高三方-正交相变温度(TR-O),在室温区构建三方-正交相界。然而,这两种手段得到的KNN陶瓷体系的压电常数与铅基压电陶瓷相比仍存在很大的差距。近年来,研究者提出在KNN陶瓷中构建类似于Pb(Zr,Ti)O体系的三方-四方准同型相界(R-T相界)的新思路,将TO-T和TR-O同时调控至室温附近,成功的得到了一些高性能的KNN陶瓷体系。本论文以“新型相界构建”新思路为出发点,系统研究了(Bi,Sm)Na0.5ZrO和(Bi,Me)(Na,K)ZrO(简写为BSNZ和BMNKZ,其中Me3+=La3+、Nd3+、Sm3+)添加物对(K,Na)NbO(KNN)、(K,Na)(Nb,Sb)O(KNNS)和(K,Na)(Nb,Ta,Sb)O(KNNTS)的微观形貌、晶体结构、相界演变和宏观性能的影响。结果显示,添加BSNZ和BMNKZ能够在室温区构建出R-T/R-O-T相界,从而大大提高了体系的电学性能。本文研究结果如下:1.采用传统固相反应法制备了(1-x)KNaNbO-x(BiNd)(NaK)ZrO(简写为KNN-xBNNKZ)、(1-x)KNaNbO-x(BiLa)(NaK)ZrO(简写为KNN-xBLNKZ)、和(1-x)KNaNbO-x(BiSm)(NaK)ZrO(简写为KNN-xBSNKZ)三个陶瓷体系。研究发现,随着BMNKZ含量的增加,TO-T和TR-O同时被调控至室温附近。当室温区实现R-T或R-O-T共存态时体系压电性能大幅增强。三个压电陶瓷体系的最优性能如下:KNN-xBNNKZ(x=0.05),d33=308pC/N,kp = 43%,εr=1205,tanδ=3.8%,Pr=23.45 μC/cm2,TC=331 °C;KNN-xBLNKZ(x=0.05),d33=368 pC/N,kp = 44.7%,εr =1358,tanδ=3.5%,Pr=22.8 μC/cm2,Ec=12kV/cm,TC=323°C;KNN-xBSNKZ(x=0.05),d33=342 pC/N,kp = 46%,εr =1476,tanδ=4.3%,Pr=23.7 μC/cm2,Ec=12 kV/cm,TC=328°C。2.采用传统固相反应法制备了(1-x)KNaNb0.96Sb0.04O-x(BiSm)(NaK)ZrO(简写为KNNS-x BSNKZ)陶瓷体系。研究发现,随着BSNKZ含量的增加,体系的TO-T下降较快,而TR-O上升相对缓慢,二者相互靠近最终在室温区实现R-T的共存,此时陶瓷的压电性能最优:KNNS-xBSNKZ(x=0.045),d33=480 pC/N,kp=48%,εr=2180,tanδ=3.6%,Pr=19.5μC/cm2,Ec=8.1 kV/cm,TC=258°C。3.采用传统的固相反应法制备了0.96K0.4Na0.6Nb0.97-xTa0.03SbxO-0.04(BiSm)Na0.5ZrO(简写为KNNTSx-BSNZ)陶瓷体系。研究发现,随着Sb含量的增加,TO-T和TR-O很快被调控至室温附近。当Sb的含量从0.02变到0.07时,陶瓷在室温附近均为R-T共存,当x=0.045时陶瓷体系性能最优:KNNTSx-BSNZ(x=0.045),d33=510 pC/N,kp=44%,εr=2136,tanδ=4.1%,Pr=20.4μC/cm2,Ec=7.85 kV/cm,TC=238°C。

关键词： KNN无铅压电陶瓷相界构建相结构电学性能

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铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的制备及其结构和电学性能研究

铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的制备及其结构和电学性能研究

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作者：文玥华中科技大学

学位级别：硕士

铅基(PZT)压电材料因其优异的电学性能被广泛应用于各种电子器件中,受限于铅元素的毒性,高性能的无铅压电材料成为了学者们的研究热点。其中,铌酸钾钠(K,Na)Nb O基无铅压电陶瓷因其具有较优的压电性能和较高的居里温度,是一种非常有望... 详细信息

铅基(PZT)压电材料因其优异的电学性能被广泛应用于各种电子器件中,受限于铅元素的毒性,高性能的无铅压电材料成为了学者们的研究热点。其中,铌酸钾钠(K,Na)Nb O基无铅压电陶瓷因其具有较优的压电性能和较高的居里温度,是一种非常有望替代铅基压电陶瓷的无铅压电材料。因此,本论文以铌酸钾钠基无铅压电陶瓷为研究对象,通过成分变化,从新型相界构建和制备工艺两个方面开展研究工作,具体研究结果如下:(1)采用传统固相烧结法制备了(KNa)L i Nb O陶瓷样品,研究了Li添加对KNN基陶瓷的微观结构及其电学性能的影响。结果表明Li添加可以降低O-T相转变温度从而在KNN基陶瓷中构建O-T相界,改善KNN基陶瓷的电学性能;同时Li添加可以提高陶瓷样品致密度及其居里温度。在O-T相界附近,当x=0.06时陶瓷样品的各项性能最佳,d～190 p C/N,k～0.401,S～0.071%,d～223 pm/V,T～455℃。(2)采用传统固相烧结法制备了(1-x)(KNa)LiNb O-x Ba Zr O二元陶瓷体系,研究表明当Ba Zr O含量x=0.06时,室温陶瓷样品为R-T相界共存,此时陶瓷样品具有最佳的电学性能,其d～207 p C/N,k～0.302。同时,采用三步烧结法制备了0.94(KNa) L iNb O-0.06Ba Zr O陶瓷样品,发现采用三步烧结法可以使陶瓷样品获得更高的致密度,晶粒大小变得更加均匀,同时根据阻抗谱分析,当采用三步烧结法制备0.94(KNa) L iNb O-0.06Ba Zr O陶瓷时,样品具有更少的氧空位。当烧结条件为1050℃-1150℃/5min-1070℃/20h时,陶瓷样品各项性能最佳,其ρ-4.51 g/cm,d～258 p C/N,k～0.3 49,T～328℃。(3)采用固相烧结法制备(0.996-x)(KNa)Nb O-0.004Bi Co O -x BiNa.Hf O三元陶瓷体系。通过在KNN基陶瓷中构建R-O-T相界以达到改善KNN基陶瓷性能的目的,同时具有高居里点的Bi Co O添加可以改善KNN基陶瓷的居里温度。结果表明当Bi NaH Of添加量x=0.035时,陶瓷样品性能最佳,d～272 p C/N,k～0.4 71,S～0.145%,d～358 pm/V,T～333℃。

关键词： KNN基无铅压电陶瓷相界构建压电性能居里温度三步烧结法

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