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文献类型

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    • 1 篇 材料科学与工程（可...
    • 1 篇 动力工程及工程热...
  • 1 篇 理学
    • 1 篇 物理学

主题

  • 2 篇 直流特性测试
  • 1 篇 自对准
  • 1 篇 伏安特性
  • 1 篇 ^(60)coγ射线辐照
  • 1 篇 临界电流
  • 1 篇 退火测试
  • 1 篇 增强型gan hemt
  • 1 篇 josephson结
  • 1 篇 超导

机构

  • 1 篇 复旦大学
  • 1 篇 中科芯集成电路有...
  • 1 篇 清华大学

作者

  • 1 篇 赵娜
  • 1 篇 黄伟
  • 1 篇 赵虎
  • 1 篇 吴威
  • 1 篇 李铁夫
  • 1 篇 刘建设
  • 1 篇 邱一武
  • 1 篇 吴伟林
  • 1 篇 周昕杰
  • 1 篇 陈炜
  • 1 篇 颜元凯

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=直流特性测试"
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自对准法制备Nb/AlO_x/Nb超导Josephson结及其直流特性测试
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清华大学学报（自然科学版） 2012年 第11期52卷 1555-1558页
作者： 赵娜 刘建设 李铁夫 吴威 赵虎 陈炜 清华大学微电子学研究所 清华信息科学与技术国家实验室北京100084
超导量子比特系统是实现大规模量子计算的可行方案之一。该文采用集成电路平面工艺制备了基于Nb/AlOx/Nb 3层膜结构的超导Josephson结,为制备性能可靠的超导量子比特提供了一定基础。工艺中采用了自对准技术形成结区,从而有效地保护器... 详细信息
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^(60)Co γ射线对增强型GaN HEMT直流特性的影响
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电子与封装 2022年 第7期22卷 44-48页
作者： 邱一武 吴伟林 颜元凯 周昕杰 黄伟 中科芯集成电路有限公司 江苏无锡214072 复旦大学微电子学院 上海200443
利用^(60)Coγ射线对P型栅增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)开展零偏置状态下总剂量辐射试验及常温退火试验,测试GaN HEMT直流特性参数对总剂量效应(TID)的响应规律。试验结果表明,γ射线辐照后器件阈值电压、跨导峰值和饱和... 详细信息
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