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退火温度对溅射Al膜微结构及应力的影响

材料科学与工程学报 2003年第5期21卷 724-726页

作者：宋学萍周桃飞赵宗彦孙兆奇安徽大学物理系安徽合肥230039

用直流溅射法在Si基片上制备了 2 5 0nm厚的Al膜 ,并在不同退火温度下进行退火处理 ,用X射线衍射和光学干涉相位移法对薄膜的微结构及应力随退火温度的变化进行了研究。结构分析表明 :退火后的Al膜均呈多晶状态 ,晶体结构仍为面心立方 ... 详细信息

用直流溅射法在Si基片上制备了 2 5 0nm厚的Al膜 ,并在不同退火温度下进行退火处理 ,用X射线衍射和光学干涉相位移法对薄膜的微结构及应力随退火温度的变化进行了研究。结构分析表明 :退火后的Al膜均呈多晶状态 ,晶体结构仍为面心立方 ;随着退火温度由 2 0℃升高到 4 0 0℃ ,薄膜的平均晶粒尺寸由 2 2 8nm增加到 2 5 1nm ;薄膜晶格常数在不同退火温度下均比标准值 4 0 4 96 A稍小。应力分析表明 :随退火温度的升高 ,Al膜应力减小 ,30 0℃时平均应力减小为 2 730× 10 8Pa且分布均匀 ;在 4 0 0℃时选区范围内应力差仅为 3 82 8× 10 8Pa。

关键词：退火处理温度 Al膜微结构应力直流溅射法晶体

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ZnO纳米结构薄膜的三阶非线性折射特性

光电子．激光 2004年第11期15卷 1283-1286页

作者：熊瑛汤国庆张桂兰杨保和陈希明南开大学现代光学研究所天津300071 天津理工学院光电信息与电子工程系天津300191

采用直流溅射法在石英基片上制备了ZnO纳米结构薄膜。X射线衍射(XRD)谱表明ZnO尺寸约为5nm。利用Z 扫描技术,以锁模Nd:YAG激光器作光源(脉宽35ps,波长为355nm),在共振区域测定了ZnO纳米薄膜的三阶非线性光学常数,其非线性光学折射率常数... 详细信息

采用直流溅射法在石英基片上制备了ZnO纳米结构薄膜。X射线衍射(XRD)谱表明ZnO尺寸约为5nm。利用Z 扫描技术,以锁模Nd:YAG激光器作光源(脉宽35ps,波长为355nm),在共振区域测定了ZnO纳米薄膜的三阶非线性光学常数,其非线性光学折射率常数n2=-5.7×10-8esu。

关键词：三阶非线性 Z-扫描共振区折射常数直流溅射法薄膜 Nd:YAG激光器锁模脉宽

掺Sn的Ge_2Sb_2Te_5相变存储薄膜的光学性质

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光学学报 2004年第6期24卷 735-738页

作者：顾四朋侯立松赵启涛黄瑞安中国科学院上海光学精密机械研究所上海201800

提高存储密度和存取速率一直是光存储发展的方向 ,这对目前用于可擦重写存储的相变材料提出了越来越多的要求 :它们既要对短波长有足够的响应 ,同时其相变速度也越快越好。因此 ,相变材料性能的改进十分重要 ,掺杂是提高相变材料性能的... 详细信息

提高存储密度和存取速率一直是光存储发展的方向 ,这对目前用于可擦重写存储的相变材料提出了越来越多的要求 :它们既要对短波长有足够的响应 ,同时其相变速度也越快越好。因此 ,相变材料性能的改进十分重要 ,掺杂是提高相变材料性能的重要手段之一。用直流溅射法制备了掺杂不同量Sn的Ge2 Sb2 Te5相变薄膜 ,由热处理前后薄膜的X射线衍射 (XRD)发现 :薄膜发生了从非晶态到晶态的相变。研究了薄膜在 2 5 0～ 90 0nm区域的反射光谱和透射光谱。结果表明 :适当的Sn掺杂能大大增加热处理前后材料在短波长 (30 0～ 4 0 5nm)的反射率衬比度 ,可见 ,通过Sn掺杂改良相变材料的短波长光存储性能是一种有效的途径。

关键词：锡掺杂锗锑碲薄膜光学性质反射率衬比度短波长光存储直流溅射法

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TiC涂层添加金属W的研究

矿冶工程 2003年第1期23卷 76-77页

作者：蒋漫文湖南冶金职业技术学院湖南株洲412000

采用直流溅射法在GCr15钢上涂附TiC涂层 ,研究了涂层配方中添加金属W对涂层性能的影响。实验结果表明 ,涂层配方中适量添加金属W ,可提高涂层的强韧性及抗摩擦性能。

关键词：陶瓷涂层碳化物钨直流溅射法碳化钛

有机荧光小分子ER系列/金纳米复合薄膜的电光性质研究

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有机荧光小分子ER系列/金纳米复合薄膜的电光性质研究

作者：李思齐北京化工大学

学位级别：硕士

1.本文报道了一种采用直流溅射发制备不导电有机纳米荧光薄膜的方法。将不导电有机小分子纳米荧光材料吸附于格栅材料之上,格栅与金属溅射靶共同构成溅射仪阴极。采用直流溅射法制备了 ER-I,ER-II荧光薄膜。研究结果显示,采用直流溅射... 详细信息

1.本文报道了一种采用直流溅射发制备不导电有机纳米荧光薄膜的方法。将不导电有机小分子纳米荧光材料吸附于格栅材料之上,格栅与金属溅射靶共同构成溅射仪阴极。采用直流溅射法制备了 ER-I,ER-II荧光薄膜。研究结果显示,采用直流溅射法制备的有机荧光纳米薄膜依然保留有良好的荧光特性,其荧光特性同原料之间有着显著的差别。ER-I薄膜与原料相比荧光发射峰由单峰变为双峰,分别有5nm与22nm蓝移。ER-II薄膜荧光发射峰数量与原料相同,峰形产生了一定变化。通过同样的方法制备了 ER-II/ER-I叠层薄膜,叠层薄膜拥有一个70nm的荧光发射峰平台,其FWHM达到115nm。在考察厚度与薄膜荧光强度的时候,观察到两者之间成一种震荡关系,猜测到其中可能有Au团簇与ER材料相结合结构的存在。2.通过热处理试验考察薄膜中是否存在Au团簇与ER-I的结合产物。热处理后,复合薄膜样品的荧光发射光谱出现了新奇的现象。404nm处的荧光发射峰经过热处理后有明显的增强,表明复合薄膜中可能存在有Au团簇与ER-I部分相互结合的产物。通过SEM表征与XRD分析同样证实了我们的猜想。经过推测,薄膜中的某几种特定的金团簇与ER-I中的元素相互作用后形成稳定的幻数结构,这种结构的产生对薄膜的荧光特性产生了一种调制作用。4.采用直流溅射法制备了 Au/ER-Ⅰ复合薄膜,对薄膜的I-V特性进行了测量,在往复合薄膜上逐渐覆盖金膜的时候,复合薄膜的电阻率逐渐下降。与此同时,复合薄膜的荧光强度虽然有所下降,但也保持在较为明显的水平。制备出的薄膜拥有良好的I-V特性,并且同时具有明显的荧光响应,在光电器件方面拥有潜在的应用价值。

关键词：金有机小分子荧光材料直流溅射法纳米薄膜荧光特性结构表征电子输运

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金属粒子催化生长碳纤维的研究

金属粒子催化生长碳纤维的研究

作者：李双翠青岛科技大学

学位级别：硕士

本文通过直流溅射法、溶剂热法、氢电弧法、低温湿化学法等制备了金属纳米粒子,并以此为催化剂,热解乙炔,催化生长碳纤维,主要研究了以下内容:一、通过直流溅射法、溶剂热法,成功的在硅片上制备了铜纳米粒子,并以硅片上的铜纳米粒子为... 详细信息

本文通过直流溅射法、溶剂热法、氢电弧法、低温湿化学法等制备了金属纳米粒子,并以此为催化剂,热解乙炔,催化生长碳纤维,主要研究了以下内容:一、通过直流溅射法、溶剂热法,成功的在硅片上制备了铜纳米粒子,并以硅片上的铜纳米粒子为催化剂,热解乙炔催化生长碳纤维。采用简单的直流溅射法,溶剂热法,在硅片上制备了铜纳米粒子,而且发现,反应方法、溅射时间、铜源等条件,均会影响铜粒子的形貌及成分。通过扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等对产物进行表征。结果表明,采用直流溅射法可制备纯净、形貌均一、结晶性强的球形铜纳米粒子,通过改变溅射时间,可以控制铜镀层的厚度变化;而采用铜盐、水合肼为原料,氢氧化钠为pH调节剂,乙二醇为溶剂的溶剂热法也成功的制备了铜粒子,改变铜源,可以控制铜粒子的形貌变化,通过此法得到的铜粉产物纯净,无杂质,但有团聚现象发生,铜源不同,制备的铜粒子的结晶度也不同。通过直流溅射得到的镀有铜的硅片生长的碳纤维为直线型阵列,而通过溶剂热法得到的镀有铜的硅片催化生长的碳纤维为螺旋形;同样是硅基底,同样是铜粒子,同样的条件下催化乙炔生长碳纤维,结果碳纤维的形貌截然不同,分析认为,是硅基底上铜粒子的均匀致密性不同导致的,直流溅射的铜粒子均匀致密,而溶剂热法制备的铜粒子较为分散,团聚现象严重。二、以铜镍合金粒子为催化剂,热解乙炔,催化生长碳纤维。通过氢电弧法制备了铜镍合金纳米粒子,并以此为催化剂,催化生长了碳纤维,考察了合金粒子对碳纤维生长的影响。并通过SEM、TEM、XRD、HRTEM等对产物进行表征。通过氢电弧法制备的铜镍纳米粒子呈链状,粒径大概在50nm左右,分散性较好,得到的产物纯净,没有其他杂质。以制得的铜镍合金粒子为催化剂,热解乙炔催化生长碳纤维,碳纤维呈直线形或螺旋形生长,催化剂粒子位于纤维中间部位,形状也从之前的不规则的链状变为球形或椭球形,两纤维之间的夹角是90°。三、通过低温湿化学法、氧化还原法,成功的制备了氧化亚铜纳米粒子和氧化亚铜纳米膜,并以此为催化剂,热解乙炔催化生长碳纤维。通过低温湿化学法制备的氧化亚铜纳米粒子为纳米八面体和纳米晶须形貌,产物纯净,没有其他杂质的生成。以氧化亚铜纳米粒子为催化剂,催化生长碳纤维,碳纤维出现了各种不同的形貌,其中出现了非常多的分枝状的形貌,分析认为,这是碳沿着氧化亚铜八面体的(111)面生长的结果;通过氧化还原法制得的CuO膜是由球形的纳米粒子组成的,表面均匀致密,球形的粒径在200nm左右,以氧化亚铜纳米膜为催化剂,催化制备的碳纤维为直线型纳米阵列,催化剂位于中间部位,且在催化过程中,少许的氧化亚铜被乙炔分解出的氢还原。

关键词：硅片金属粒子碳纤维直流溅射法

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光触媒新成膜法及氧化钨光触媒

现代材料动态 2003年第7期 8-9页

作者：杨守春