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界面耦合作用对Cu(Ni)/Sn-Ag-Cu/Cu(Ni)BGA焊点界面IMC形成与演化的影响

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金属学报 2011年第5期47卷 611-619页

作者：李勋平周敏波夏建民马骁张新平华南理工大学材料科学与工程学院广州510640

研究了焊盘材料界面耦合作用对Cu(Ni)/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu(Ni)BGA(Ball Grid Array)结构焊点焊后态和125℃等温时效过程中界面金属间化合物(IMC)的成分、形貌和生长动力学的影响.结果表明.凸点下金属层(UBM)Ni界面IMC的成分与钎料中Cu含... 详细信息

研究了焊盘材料界面耦合作用对Cu(Ni)/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu(Ni)BGA(Ball Grid Array)结构焊点焊后态和125℃等温时效过程中界面金属间化合物(IMC)的成分、形貌和生长动力学的影响.结果表明.凸点下金属层(UBM)Ni界面IMC的成分与钎料中Cu含量有关,钎料中Cu含量较高时界面IMC为(***)6Sn5.而Cu含量较低时,则生成(Cu,Ni)_3Sn_4;Cu-Ni耦合易导致Cu/Sn-3.0Ag 0.5Cu/Ni焊点中钎料/Ni界面IMC异常生长并产生剥离而进入钎料.125℃等温时效过程中.Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu界面IMC的生长速率常数随钎料中Cu含量增加而提高.Cu Cu耦合降低一次回流侧IMC生长速率常数;Cu Ni耦合和Ni-Ni耦合均导致焊点一次回流Ni侧界面IMC的生长速率常数增大,但Ni对界面IMC生长动力学的影响大于Cu;Ni有利于抑制Cu界面Cu_3Sn生长.降低界面IMC生长速率。

关键词：无铅焊点界面耦合金属间化合物 Kirkendall空洞剥离现象

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界面耦合法制备配位纳滤膜

膜科学与技术 2021年第2期41卷 1-8页

作者：王乾王广睿赵寅孙世鹏南京工业大学化工学院材料化学工程国家重点实验室南京211816

传统纳滤膜主要通过界面聚合法制备,其分离层与基膜之间的结合力为分子间作用力,较为薄弱.通过在分离层与基膜之间引入配位键,采用金属-有机配位技术在聚酰亚胺基膜上制备了具有纳滤性能的分离层,首先通过考察NaOH溶液的浓度和反应时间... 详细信息

传统纳滤膜主要通过界面聚合法制备,其分离层与基膜之间的结合力为分子间作用力,较为薄弱.通过在分离层与基膜之间引入配位键,采用金属-有机配位技术在聚酰亚胺基膜上制备了具有纳滤性能的分离层,首先通过考察NaOH溶液的浓度和反应时间对于基膜形貌和基团的影响,优化基膜的修饰程度,确定最佳的NaOH溶液浓度为0.01 mol/L,修饰时间为9 min.然后通过Fe^(3+)与Na+之间的置换将配位中心Fe^(3+)引入基膜表面.最后考察不同金属配位中心与有机配体的比例对膜性能的影响,确定最优植酸与Fe^(3+)的摩尔比为3:7.制得的配位纳滤膜表面负电性与亲水性都得到增强.制得的膜对1000mg/L Na_(2)SO_(4)的截留率为85.6%,通量为53 L/(m^(2)·h·MPa),对多种染料的截留率在99%以上,且具有较好的长期稳定性.

关键词：纳滤膜配位膜界面耦合表面修饰

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界面耦合对共聚物能带及键结构的影响

原子与分子物理学报 2002年第3期19卷 327-330页

作者：冯名诚程杰李宏刘德胜山东济宁高等师范专科学校济宁272025

建立了紧束缚近似下的二嵌段共聚物 (A) x (B) y 的物理模型 ,研究了组成共聚物的均聚物间界面相互作用—界面耦合的强弱对共聚体系的能带结构、键结构性质等的影响。共聚物的带隙也可通过改变均聚物之间的界面相互作用来加以调制 ,进... 详细信息

建立了紧束缚近似下的二嵌段共聚物 (A) x (B) y 的物理模型 ,研究了组成共聚物的均聚物间界面相互作用—界面耦合的强弱对共聚体系的能带结构、键结构性质等的影响。共聚物的带隙也可通过改变均聚物之间的界面相互作用来加以调制 ,进一步发现可用界面势阱或能垒 (energybarrier)

关键词：能带键结构共聚物界面耦合带隙键长 OLED 电致发光器件

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多团队非正式众创网络界面耦合有效性研究

科技进步与对策 2018年第2期35卷 10-16页

作者：许成磊程思路李美昆明理工大学管理与经济学院云南昆明650093

为应对动态组织变革中由多团队合作产生的非正式众创网络界面耦合问题,借助界面管理思想,从资源、前景、路径、效益4个层面系统界定与梳理了多创业团队非正式众创网络界面体系。从动机、可行域、模式、策略和风险5个方面提炼了界面系统... 详细信息

为应对动态组织变革中由多团队合作产生的非正式众创网络界面耦合问题,借助界面管理思想,从资源、前景、路径、效益4个层面系统界定与梳理了多创业团队非正式众创网络界面体系。从动机、可行域、模式、策略和风险5个方面提炼了界面系统有效运行的协同内涵,归纳了不同界面子系统之间实现耦合有效性的涌现机理及耦合质效评价的关键内容。借助ANP方法表征及确定协同创新界面网络关联在不同层次众创网络协同度序参量中对系统协同有效性的贡献,并引入物理学中的容量耦合概念及耦合系数模型,构建了用于解析及评价复杂系统多子系统间运行耦合程度的实施方案,最后结合云南某社区型众创空间案例进行可行性分析。

关键词：创业团队%非正式众创网络界面耦合有效性评价

界面耦合及掺杂型钴基催化剂的设计及其电催化析氢性能研究

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界面耦合及掺杂型钴基催化剂的设计及其电催化析氢性能研究

作者：顾敏怡南京师范大学

学位级别：硕士

电解水产氢是极具发展潜力的制氢技术之一,能够满足未来能源转换需求。析氢反应(HER)是电解水的半反应之一,涉及两个电子转移过程,需要高效的电催化剂降低能量势垒,以促进反应动力学。廉价、高效和储量丰富的钴基化合物材料是一种颇具... 详细信息

电解水产氢是极具发展潜力的制氢技术之一,能够满足未来能源转换需求。析氢反应(HER)是电解水的半反应之一,涉及两个电子转移过程,需要高效的电催化剂降低能量势垒,以促进反应动力学。廉价、高效和储量丰富的钴基化合物材料是一种颇具潜力的HER电催化剂。界面工程是提高碱性HER活性的有效途径之一。构建致密的异质界面,可以有效优化水解离能和H吸附能,利用其协同作用提高电催化活性。此外,杂原子掺杂可以改变活性位点周围的电子结构和配位环境,以优化催化剂对中间体的吸附自由能,从而提高电子的传输能力和催化性能。纳米结构工程方面,构建多孔结构和多级结构,能够有效地扩大电化学活性面积,促进电解液的渗透和气体的释放,从而极大地加速反应动力学,同时能提高电化学稳定性。本论文以Co基材料为对象,通过构筑异质界面结构和杂原子掺杂策略,实现高效电催化析氢。具体研究内容如下:1.我们设计了一个简单的牺牲模板法,以预合成的花状Pt Co霍夫曼配位聚合物(CP)作为反应模板和前驱体,在温和的氧化条件下,将其原位转化为CoO纳米片自组装的微米花上负载超细Pt纳米颗粒(样品命名为Pt/CoO微米花)。所得Pt/CoO微米花具有均匀分散的超细Pt纳米颗粒(约2.3 nm)、大量致密的金属/氧化物异质界面和多级花状结构,能够提供丰富的活性位点,有效地降低水解离的能垒,从而有利于加速反应动力学。受益于两种不同组分间的杂化效应和多级结构的构型优势,Pt/CoO微米花表现出优异的HER性能,在10 m A cm的电流密度下的过电位仅为34 m V,Tafel斜率为34 m V dec,且具有良好的电化学耐久性。2.我们通过简单的溶剂热法制备钴-天冬氨酸配合物,并以此作为模板和前驱体,再经过氧化和后续的磷化,将其原位拓扑转化为Co P/Co O异质结构建的多孔纳米管。在氧化过程中,我们通过控制升温速率来调控氧化程度,从而在低温磷化后得到Co P/Co O异质结构。所得Co P/Co O多孔纳米管比表面积显著增加,有利于暴露更多的活性位点。实验结果和理论计算表明,Co P和Co O紧密耦合形成丰富的异质界面,可以有效降低水分子吸附自由能,优化H吸附自由能,显著提高Co P/Co O多孔纳米管的本征活性,从而进一步促进HER反应。与纯Co P相比,Co P/Co O在碱性条件下表现出更优异的HER性能,在10 m A cm的电流密度处,过电位为仅61 m V,Tafel斜率为78 m V dec,且具有良好的电化学耐久性。3.我们采用简单的溶剂热法制备乙醇酸钴配合物微米花,再通过磷化将其原位拓扑转化为O原子掺杂的Co P微米花。O原子的含量可以通过控制磷化时间来精准调变,以优化Co P的电子结构,从而提高催化剂的HER活性。所得O-Co P微米花具有丰富的孔道和独特的花状多级结构,同时适当的O掺杂量使其具有优化的电子结构,有利于加快电子转移,降低吸附自由能,从而提高其催化活性,促进反应动力学。这些组分和结构优势使得O-Co P微米花表现出优异的HER性能,在10 m A cm时的过电位为125 m V,Tafel斜率为64 m V dec,且具有良好的电化学耐久性及结构稳定性。

关键词： Co基催化剂异质结构杂原子掺杂纳米结构工程析氢反应界面耦合

信息粘滞、界面耦合与组织再生——基于六家“中华老字号”的扎根研究

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情报科学 2016年第2期34卷 77-82,90页

作者：郭会斌杨隽萍 Ricky C.Leung 河北经贸大学经济管理学院河北石家庄050091 浙江理工大学信息管理学院浙江杭州310018 SUNY-Albany School of Public Health

以河北省6家"中华老字号"的商业实践为数据源,聚焦战略性内创业-职能性人力资源界面,旨在探索信息粘滞与界面耦合对于组织再生的效应机理。进行"立地式"研究后,提出了消弭信息粘滞、改进界面耦合的命题和概念模型。这将对传统行业成熟... 详细信息

以河北省6家"中华老字号"的商业实践为数据源,聚焦战略性内创业-职能性人力资源界面,旨在探索信息粘滞与界面耦合对于组织再生的效应机理。进行"立地式"研究后,提出了消弭信息粘滞、改进界面耦合的命题和概念模型。这将对传统行业成熟期企业的管理实践带来启发。

关键词：信息粘滞界面耦合组织再生内创业-人力资源管理界面中华老字号

激光熔覆镍包碳化硼界面耦合机制及其组织性能研究

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激光熔覆镍包碳化硼界面耦合机制及其组织性能研究

作者：赵冬梅天津工业大学

学位级别：硕士

碳化硼是一种硬度仅次于金刚石和立方氮化硼的材料,具有高熔点、高硬度、耐高温、耐腐蚀、耐磨损等性能,广泛应用于各种耐磨耐腐蚀部件上。但是碳化硼材料由于与零部件基体存在热膨胀系数、弹性模量等差异,熔覆层与基体不能很好的结合,... 详细信息

碳化硼是一种硬度仅次于金刚石和立方氮化硼的材料,具有高熔点、高硬度、耐高温、耐腐蚀、耐磨损等性能,广泛应用于各种耐磨耐腐蚀部件上。但是碳化硼材料由于与零部件基体存在热膨胀系数、弹性模量等差异,熔覆层与基体不能很好的结合,不能获得组织形貌良好的涂层。因此,制备了镍包碳化硼包覆型粉末来改善这个问题。本文采用激光熔覆技术对包覆粉末的熔覆,并对熔覆层进行了研究和分析。主要工作如下：建立了非金属陶瓷碳化硼表面包覆金属的简化理论计算模型,选择金属Ni作为包覆层,并计算了包覆质量分数,制备了Ni包B4C粉末;采用制备的粉末,进行了不同工艺参数(如激光功率、扫描速度、搭接率和Ni包B4C质量百分比)的Ni包B4C和金属基(Fe、Co、Ni)Ni包B4C复合粉末的激光熔覆实验。利用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射(XRD)熔覆层的显微组织、成分分布、物相进行研究,揭示了不同工艺对涂层组织性能的影响。得到的熔覆层组织均匀致密,与基体呈冶金结合;硬度较基体都有很大幅度提高;搭接率为33%时,得到的多层熔覆效果较好;针对B4C在金属基复合材料中的强化作用,进行熔覆层的耐磨性检测,发现其耐磨性较基体提高了5-10倍,针对熔覆层与基体,熔覆层内各强化相的成分和分布规律,熔覆后强化相在组织结构中的界面耦合机理进行了分析：基体与熔覆层中的耦合主要由冶金结合和增强相间的相界面结合;熔覆层的耦合包括分子间的作用力生成化合物,硬质合金相、固溶体和共晶化合物等强化相耦合。

关键词：激光熔覆 Ni包B4C 组织性能界面耦合

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基于界面耦合作用构筑高比能钠离子电容器

基于界面耦合作用构筑高比能钠离子电容器

作者：宋子锐中南大学

学位级别：硕士

钠离子电容器兼具电池高能量密度和超级电容器高功率密度的特性,为下一代能源储存系统树立了发展方向。然而,由于电容型正极不含钠源,无法提供在负极表面生成固体电解质界面膜所需要的钠离子。预钠化策略可以在体系中提供额外的钠源,从... 详细信息

钠离子电容器兼具电池高能量密度和超级电容器高功率密度的特性,为下一代能源储存系统树立了发展方向。然而,由于电容型正极不含钠源,无法提供在负极表面生成固体电解质界面膜所需要的钠离子。预钠化策略可以在体系中提供额外的钠源,从而能够显著提升电化学性能。当前,电化学预钠化法或钠基替代物法因操作繁琐、安全风险较大等原因导致应用受限。相比而言,正极牺牲剂法因可安全实现程度可控的原位预钠化,有望实现大规模生产应用。然而,牺牲添加剂的过高分解电压和过量使用问题会导致电解液的氧化分解以及成本的上升,从而限制了该策略的应用。此外,由于钠离子电容器电池型负极与电容型正极之间传荷速率差异较大,会造成动力学不匹配的问题,进一步导致倍率性能较差。过渡金属硫化物因多电子转移反应具有较高容量被认为是潜在的高性能负极,然由于碳材料与过渡金属硫化物之间主要是依靠弱物理相互作用力结合,这依然会造成倍率性能不够理想。为解决上述问题,主要工作包括以下:(1)针对正极牺牲剂分解电势过高等问题,此工作结合密度泛函理论计算,提出了强耦合界面化学键(Na-O-C)和电子供体基团策略来调节草酸钠的禁带宽度和最高占据分子轨道能级,成功降低极化作用和分解所需的吉布斯自由能,最终将其实际分解电位从4.50 V降低到3.95 V。基于商用材料构筑的钠离子电容器(活性炭//硬碳)在添加超低剂量的预钠化试剂下提供118.2 Wh kg的能量密度。同时,本工作采用了一系列表征技术解析了牺牲添加剂的分解机制以及预钠化完成之后的影响。(2)针对碳基过渡金属硫化物动力学迟缓和结构不稳定问题,将多种与钒原子具有强烈亲和力的官能团嫁接到碳纳米管上原位构建界面化学键(V-O-C和V-C)来锚定VS颗粒,该措施可以大幅度减小禁带宽度和钠离子迁移能垒,增强异质结构的导电性,有利于钠离子电容器正负极间的动力学匹配。此外,分子动力学模拟验证界面键引起的空间约束效应显著提高了材料的力学性能,抑制了结构坍塌以及多硫化物的溶解,从而能够延长钠离子电容器循环寿命。图34幅,表4个,参考文献73篇

关键词：钠离子电容器界面耦合预钠化过渡金属硫化物

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二维WS2的界面耦合调控及光电应用

二维WS2的界面耦合调控及光电应用

作者：曾鑫龙厦门大学

学位级别：硕士

能谷由于具有光学选择定律、谷极化、谷霍尔效应等独特性质,得到研究者的巨大关注。单层(monolayer,ML)WS2由于在布里渊区产生非简并的K和K'谷,是进行谷物理机制研究的完美的载体。然而ML WS2难以获得高的谷极化,阻碍了其在谷电子设备... 详细信息

能谷由于具有光学选择定律、谷极化、谷霍尔效应等独特性质,得到研究者的巨大关注。单层(monolayer,ML)WS2由于在布里渊区产生非简并的K和K'谷,是进行谷物理机制研究的完美的载体。然而ML WS2难以获得高的谷极化,阻碍了其在谷电子设备的应用。通过Ⅲ族氮化物与WS2中的界面耦合可以增强MLWS2的谷极化,并且Ⅲ族氮化物与WS2所形成的异质结可用于制备高性能的光电探测器。此外,由于双层(bilayer,BL)WS2具有反演对称性,导致能谷的去极化。而Ⅲ族氮化物可以打破BL WS2的空间反演对称性,让BL WS2表现出更丰富的谷激子特性。因此本文深入研究了界面耦合对二维WS2谷激子特性的影响以及ML WS2的光电应用,具体研究成果如下:(1)利用与基底之间的界面耦合作用,调控了 MLWS2的谷激子特性。利用化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)和湿法转移的方法,制备了 ML WS2/SiO2/Si、ML WS2/本征 AlGaN(i-AlGaN)和 ML WS2/n 型掺杂 AlGaN(n-AlGaN)异质结。通过光致发光(photoluminescence,PL)光谱并结合理论计算,研究了界面耦合对激子跃迁特性的影响。由于热应变的影响,SiO2/Si基底上ML WS2的直接跃迁峰(A峰)相对于蓝宝石上的MLWS2红移至2.008 eV。由于较高的电荷掺杂浓度会减小带隙,而n-AlGaN向ML WS2转移更多的电荷,因此ML WS2/n-AlGaN的A峰相对于 MLWS2/i-AlGaN 红移至 1.967eV。在室温下 MLWS2/n-AlGaN 谷极化是蓝宝石上MLWS2的3倍,并在13 K下达到82.2%。ML WS2/n-AlGaN整体极化率都大于ML WS2/i-AlGaN,且室温下的激子寿命小于ML WS2/i-AlGaN。这是由于n-AlGaN基底增加了 WS2中的电荷掺杂浓度,将产生额外的非辐射衰减通道导致激子寿命减小。并且电荷掺杂所导致的静电屏蔽也会抑制谷间散射。(2)利用与基底之间和层间的界面耦合作用调控了 BLWS2的谷激子特性。通过CVD的方法,在蓝宝石基底上生长出高质量的BL WS2。利用湿法转移的方法,制备了 BL WS2/SiO2/Si、BL WS2/i-AlGaN 和 BL WS2/n-AlGaN异质结。SiO2/Si上BL WS2的层内A峰和层内间接跃迁峰(Ⅰ峰)相对于蓝宝石上的BL WS2分别红移至1.948 eV和1.750 eV。在SiO2/Si上AB堆叠的BL WS2的E2g1和A1g模式相对于AA堆叠的BL WS2蓝移。由于电荷转移在BL WS2中不均衡,使其生成Ⅱ型能带,进而在BL WS2/AlGaN中形成了层间激子峰Ai。n-AlGaN较强的电荷转移也减小了 BLWS2的带隙,使其I、Ai和A峰能量相对于BL WS2/i-AlGaN红移。由于转角改变层间耦合相互作用,转角BL WS2/i-AlGaN的I、Ai和A峰能量随角度发生变化,并且接近0°和60°时候,三个峰能量达到最小值。由于层间激子中电子-空穴相互作用的减弱抑制了谷间散射,在BL WS2/AlGaN中的Ai激子的谷极化高于A激子。BLWS2/n-AlGaN存在更强的量子限制斯塔克效应,导致其Ai和A激子寿命都分别长于BL WS2/i-AlGaN。(3)制备了基于MLWS2的光电探测器,并比较了 SiO2/Si和GaN基底对探测器性能的影响。探测器的光电流随着激光功率密度的增大而增大,而光响应和比探测率随着激光功率密度的增大而减小。ML WS2/GaN器件在10.19 mW/cm2的激光功率密度下,光响应度高达1540 A/W,比探测率5.62×1010Jones。在 24.97mW/cm2 的激光功率密度下,MLWS2/GaN 的光响应度比ML WS2/SiO2/Si高6个数量级,且ML WS2/GaN的比探测率也比ML WS2/SiO2/Si高1个数量级。ML WS2/GaN器件光响应的上升时间为952 ms,下降时间为884ms,短于WS2光电探测器的光响应时间。研究结果表明通过界面耦合可以调控ML WS2的谷极化并且打破BL WS2的空间反演对称性,拓宽了二维WS2在谷电子器件中的应用。ML WS2/GaN光电探测器具有高的光响应和高的探测率,证明了 ML WS2在光探测领域具有巨大的应用前景。

关键词：二硫化钨界面耦合激子谷极化光电应用