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  • 4 篇 工学
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  • 2 篇 理学
    • 2 篇 物理学

主题

  • 4 篇 电阻突变性能
  • 2 篇 vo2薄膜
  • 2 篇 杂质
  • 2 篇 薄膜
  • 2 篇 点阵常数
  • 1 篇 熔化成膜法
  • 1 篇 功能材料
  • 1 篇 物相组成
  • 1 篇 vo2
  • 1 篇 电阻突变
  • 1 篇 价态
  • 1 篇 v5o5薄膜
  • 1 篇 无机溶胶-凝胶法
  • 1 篇 相变温度
  • 1 篇 vo
  • 1 篇 v2o5

机构

  • 2 篇 攀枝花学院
  • 2 篇 四川省钒钛材料工...
  • 1 篇 浙江科技学院
  • 1 篇 中国科学院上海光...
  • 1 篇 重庆大学

作者

  • 2 篇 杨绍利
  • 2 篇 高仕忠
  • 2 篇 马兰
  • 1 篇 胡再勇
  • 1 篇 马红萍
  • 1 篇 徐时清

语言

  • 4 篇 中文
检索条件"主题词=电阻突变性能"
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多种杂质对VO2薄膜电阻突变性能的影响
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材料导报 2010年 第S2期24卷 270-273页
作者： 马兰 杨绍利 高仕忠 攀枝花学院生物与化学工程学院 四川省钒钛材料工程研究中心 攀枝花学院材料工程学院
理论上计算了VO薄膜点阵常数的变化及杂质对VO薄膜晶体中键长的影响,研究了K、Na、Fe、Si等多种杂质离子对VO晶体点阵常数和键长的影响。结果表明,杂质使VO薄膜晶体中的键长伸长,点阵常数增大,晶体结构稳定性降低,电阻突变温度降低,电... 详细信息
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
多种杂质对VO_2薄膜电阻突变性能的影响
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材料导报（纳米与新材料专辑） 2010年 第2期24卷 270-273页
作者： 马兰 杨绍利 高仕忠 攀枝花学院生物与化学工程学院 攀枝花617000 四川省钒钛材料工程研究中心 攀枝花617000 攀枝花学院材料工程学院 攀枝花617000
理论上计算了VO_2薄膜点阵常数的变化及杂质对VO_2薄膜晶体中键长的影响,研究了K、Na、Fe、Si等多种杂质离子对VO_2晶体点阵常数和键长的影响。结果表明,杂质使VO_2薄膜晶体中的键长伸长,点阵常数增大,晶体结构稳定性降低,电阻突变温度... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 评论
V_2O_5熔化成膜法制备VO_2薄膜
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稀有金属材料与工程 2004年 第3期33卷 317-320页
作者： 马红萍 徐时清 浙江科技学院 浙江杭州310012 中国科学院上海光学精密机械研究所 上海201800
发展了一种新的VO2薄膜制备方法—V2O5熔化成膜法,其基本步骤为:基片预处理—涂粉—熔化成膜—真空退火—VO2薄膜。采用XRD和XPS等手段,对所得薄膜的物相组成与价态进行了分析,同时对薄膜进行了电阻随温度变化的测试。结果表明:通过该... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
二氧化钒薄膜的相变性能研究
二氧化钒薄膜的相变性能研究
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作者： 胡再勇 重庆大学
学位级别：硕士
VO薄膜是一种功能材料，由于其独特的性质，在很多领域内具有潜在的应用价值。近年来VO研究有了飞速的发展，尤其是VO薄膜制备技术得到了进一步的发展，一些新的制备技术如有机溶胶—凝胶法、脉冲激光沉淀技术、MOCVD法都制备出了高性能... 详细信息
来源： 同方学位论文库 同方学位论文库 评论
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