检索结果-南通市图书馆

NiO_x多晶薄膜的变温电阻开关特性与隧穿机制

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

科学通报 2017年第11期62卷 1163-1171页

作者：王瑞雪张婷李鲁涛魏明龙孟祥申邱晓燕西南大学物理科学与技术学院重庆400715

利用射频磁控溅射方法沉积制备了Ag/NiO_x/Pt存储单元,研究了其微结构、电阻开关特性随测试温度的变化.微结构观测分析发现,沉积制备薄膜为富氧的NiO_x多晶薄膜.Ag/NiO_x/Pt存储单元的电流-电压测试曲线呈现阈值型电阻开关特性:分别在2.... 详细信息

利用射频磁控溅射方法沉积制备了Ag/NiO_x/Pt存储单元,研究了其微结构、电阻开关特性随测试温度的变化.微结构观测分析发现,沉积制备薄膜为富氧的NiO_x多晶薄膜.Ag/NiO_x/Pt存储单元的电流-电压测试曲线呈现阈值型电阻开关特性:分别在2.1~2.4 V的正偏压范围和-2^-2.2 V的负偏压范围内观测到了高低电阻态之间的稳定可逆跳变.随着测试温度的升高,负偏压范围的电阻开关现象在140℃基本消失,而正偏压范围内的电阻开关现象可维持到270℃.运用指数定律拟合室温电流-电压曲线结果表明,薄膜隧穿电流属于缺陷主导的空间限制电流;运用Arrhenius作图法拟合的电流-温度曲线满足线性关系,表明薄膜隧穿电流随测试温度的变化符合肖特基热激发隧穿机制.在周期性电场作用下,从银电极扩散进入薄膜内的Ag离子的氧化还原反应导致存储单元呈现阈值型电阻开关特性.

关键词： NiOx多晶薄膜电阻开关特性温度依赖性隧穿机制

溶液法制备ZnO纳米微粒薄膜的低压电阻开关特性

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

中国科学：物理学、力学、天文学 2017年第10期47卷 105-112页

作者：李鲁涛张婷魏明龙孟祥申邱晓燕西南大学物理科学与技术学院重庆400715

电阻开关随机存储器是一种有望应用于下一代非易失性存储器的新型存储器件,而ZnO是一种可应用于低电压低能耗电阻开关随机存储器的过渡金属氧化物.我们利用溶液法在40°C低温下制备获得粒径约为7–10 nm的ZnO纳米微粒,然后在优化制备条... 详细信息

电阻开关随机存储器是一种有望应用于下一代非易失性存储器的新型存储器件,而ZnO是一种可应用于低电压低能耗电阻开关随机存储器的过渡金属氧化物.我们利用溶液法在40°C低温下制备获得粒径约为7–10 nm的ZnO纳米微粒,然后在优化制备条件下旋涂获得表面平整致密的n型ZnO纳米微粒薄膜.利用紫外-可见光吸收谱推算出ZnO纳米微粒薄膜的光学带隙宽度约为3.34 ***/ZnO/Al电容器结构的电流-电压曲线具有优良的双极性电阻开关特性:置/复位电压低至±0.2 V;在0.18 V的读取电压下可获得大于100的高/低电阻值比.电场作用下薄膜中ZnO分子发生电化学还原/氧化反应,导致薄膜中富余Zn原子组成的导电细丝周期性导通/截断,从而使得ZnO薄膜表现出电阻开关特性.

关键词：溶液法 ZnO纳米微粒薄膜电阻开关特性

金属基底层上NiO(111)外延薄膜的变温电阻开关特性与隧穿机制

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

中国科学：物理学、力学、天文学 2019年第4期49卷 103-113页

作者：魏明龙江雪王颖玥赖芮涟王建波邱晓燕西南大学物理科学与技术学院重庆400715

利用射频磁控溅射方法在Pt层上制备了沿晶向外延生长的NiO薄膜,研究了其晶体微结构和变温电阻开关特性.微结构观测分析发现, NiO(111)薄膜与Pt层满足"立方-立方"晶格生长关系.在周期性外电场作用下,薄膜中氧空位的定向漂移和电极附近银... 详细信息

利用射频磁控溅射方法在Pt层上制备了沿晶向外延生长的NiO薄膜,研究了其晶体微结构和变温电阻开关特性.微结构观测分析发现, NiO(111)薄膜与Pt层满足"立方-立方"晶格生长关系.在周期性外电场作用下,薄膜中氧空位的定向漂移和电极附近银离子的氧化还原反应相互促进,使得在较低的翻转电压下即可在薄膜中形成周期性导通/截断的氧空位导电丝通道,从而使得Ag/NiO(111)/Pt存储单元在室温至80°C测试温度范围里的电流-电压曲线均呈现稳定的双极性电阻开关特性.运用Arrhenius作图法以及肖特基热激发隧穿公式拟合薄膜高阻态电流-温度曲线符合线性关系,表明薄膜高阻态漏电流符合肖特基热激发隧穿机制.

关键词： NiO(111)外延薄膜变温电阻开关特性隧穿机制

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

VO_2薄膜制备工艺及电阻开关特性研究

中国空间科学技术 2001年第6期21卷 62-67页

作者：许旻邱家稳赵印中王洁冰何延春李强勇兰州物理研究所兰州730000

用溶胶 -凝胶法在非晶玻璃上制备 VO2 薄膜 ,经过熔融、涂膜、烘干和热处理等工艺最后得到电阻相变 2～ 3个量级的 VO2 薄膜。对烘干温度、熔融温度、膜厚和热处理温度对薄膜电阻开关特性的影响进行了研究。通过 XRD ( X-ray diffracti... 详细信息

用溶胶 -凝胶法在非晶玻璃上制备 VO2 薄膜 ,经过熔融、涂膜、烘干和热处理等工艺最后得到电阻相变 2～ 3个量级的 VO2 薄膜。对烘干温度、熔融温度、膜厚和热处理温度对薄膜电阻开关特性的影响进行了研究。通过 XRD ( X-ray diffraction)和 XPS ( X- ray photoelectron spectroscopy)对薄膜的结构和价态进行分析 ,表明用溶胶 -凝胶法制备 VO2 膜工艺简单 ,重复性好。

关键词：二氧化钒 VO2薄膜材料制备工艺电阻开关特性影响因素溶胶-凝胶法

HfAlO_x/γ-Fe_2O_3/HfAlO_x纳米堆栈结构的电阻开关特性

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

中国科学：物理学、力学、天文学 2015年第3期45卷 75-82页

作者：郑烨张祎杨朱华星王瑞雪张道扬邱晓燕西南大学物理科学与技术学院重庆400715

本文用磁控溅射和旋涂法成功制备了HfAlOx/γ-Fe2O3/HfAlOx堆栈结构,该堆栈结构具有典型的双极性电阻开关特性:在-1V读取电压下可获得高达90的高/低电阻态阻值比,该比值可稳定维持近50个循环周期,远优于相同条件下制备的γ-Fe2O3纳米微... 详细信息

本文用磁控溅射和旋涂法成功制备了HfAlOx/γ-Fe2O3/HfAlOx堆栈结构,该堆栈结构具有典型的双极性电阻开关特性:在-1V读取电压下可获得高达90的高/低电阻态阻值比,该比值可稳定维持近50个循环周期,远优于相同条件下制备的γ-Fe2O3纳米微粒薄膜.线性拟合电流-电压对数曲线结果表明,低电阻态时,样品漏电流特性满足欧姆隧穿机制;高电阻态时,低电场下的漏电流以缺陷主导的空间电荷限制隧穿电流为主,高电场下为串联内置电阻的欧姆隧穿电流;该堆栈结构的电阻开关特性是"体导电细丝通道"和"电场作用下界面势垒改变"共同作用的结果.

关键词： γ-Fe2O3纳米微粒 HfAlOx薄膜电阻开关特性

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

NiO纳米碗状阵列的低压电阻开关特性

中国科学：物理学、力学、天文学 2023年第4期53卷 89-98页

作者：殷元祥谢雨莎陈涛张涛陈鹏邱晓燕西南大学物理科学与技术学院重庆400715 西南大学微纳结构光电子学重庆市重点实验室重庆400715

我们利用单层胶体球自组装模板结合电化学沉积和磁控溅射方法在覆盖Pt导电层的白云母衬底上制备了NiO纳米碗状阵列(Nano-bowl-like NiO Array,nb-NiO).每个NiO纳米碗高约450 nm,碗口直径约450 nm,碗深约300 nm,在Pt导电层上密排形成二... 详细信息

我们利用单层胶体球自组装模板结合电化学沉积和磁控溅射方法在覆盖Pt导电层的白云母衬底上制备了NiO纳米碗状阵列(Nano-bowl-like NiO Array,nb-NiO).每个NiO纳米碗高约450 nm,碗口直径约450 nm,碗深约300 nm,在Pt导电层上密排形成二维阵列.在nb-NiO阵列上覆盖厚约20 nm的HfO_(2)薄膜,然后制备Ag或Pt点电极形成Ag(Pt)/HfO_(2)/nb-NiO/Pt堆栈器件.器件在小于±0.4 V的翻转电压下即可在高低电阻态之间周期性可逆跳变,表现出良好的电阻开关特性:器件在高低电阻态之间翻转的时间电阻比值~10^(4),连续测试1500个周期后依然>10^(3).断电后,器件稳定在高(低)电阻态的时间>104s.纳米碗状阵列结构使得NiO薄膜厚度在150–450 nm内周期性连续变化;由于氧空位导电细丝更易在厚度较小的纳米碗底部导通,因此碗状阵列结构使得原本空间随机分布的氧空位导电细丝通道具有了局域有序性,进而提升了器件电阻开关性能的稳定性.HfO_(2)薄膜层降低了器件漏电流,提高了器件的高/低电阻值比.Ag电极与氧离子的氧化还原反应加速了氧空位导电细丝的导通和断裂,从而降低了翻转电压.

关键词： NiO纳米碗状阵列电阻开关特性低电压

Cu/MgO/MoS2/Cu结构的电阻开关特性研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2024年

作者：何小龙陈鹏西南大学物理科学与技术学院

采用磁控溅射的方法制备了Cu/MgO/Cu、Cu/MgO/MoS2/Cu和Cu/MoS2/MgO/Cu三种器件。通过对器件的表征测试及I-V曲线的测量，发现对于Cu/MgO/Cu器件，加入MoS2插入层后，器件的电阻开关特性会发生大的变化。分析结果表明，MoS2插入层并没... 详细信息

采用磁控溅射的方法制备了Cu/MgO/Cu、Cu/MgO/MoS2/Cu和Cu/MoS2/MgO/Cu三种器件。通过对器件的表征测试及I-V曲线的测量，发现对于Cu/MgO/Cu器件，加入MoS2插入层后，器件的电阻开关特性会发生大的变化。分析结果表明，MoS2插入层并没有改变器件的主要传导机制（空间电荷限制传导），但影响了界面势垒的调控作用，这种影响还与MoS2插入层的位置有关。Cu/MgO/Cu、Cu/MgO/MoS2/Cu和Cu/MoS2/MgO/Cu三种器件中，Cu/MgO/MoS2/Cu器件表现出更大的开关比(约为103)和更低的复位电压（约为0.21 V），这可以归因于MgO与MoS2之间界面势垒的调控。而Cu/MoS2/MgO/Cu器件表现出较好的可靠性和稳定性。此外，MoS2层在插入到底电极Cu和MgO之间时，器件的漏电流有明显的降低。

关键词：电阻开关特性界面势垒开关比

HfO_x缓冲层对γ-Fe_2O_3纳米微粒膜电阻开关特性的影响

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

中国科学：物理学、力学、天文学 2014年第4期44卷 417-424页

作者：刘志江张守英霍进迁李建邱晓燕西南大学物理科学与技术学院重庆400715

本文利用射频磁控溅射和滴涂法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了HfOx/γ-Fe2O3/HfOx三明治结构,研究了HfOx缓冲层对γ-Fe2O3纳米微粒薄膜电阻开关特性的影响.微结构观测分析结果显示:γ-Fe2O3纳米微粒平均粒径约为34.3 nm,HfOx缓冲层为氧配... 详细信息

本文利用射频磁控溅射和滴涂法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了HfOx/γ-Fe2O3/HfOx三明治结构,研究了HfOx缓冲层对γ-Fe2O3纳米微粒薄膜电阻开关特性的影响.微结构观测分析结果显示:γ-Fe2O3纳米微粒平均粒径约为34.3 nm,HfOx缓冲层为氧配比不足的单斜相多晶薄膜.电学性能测试表明:插入HfOx缓冲层后,γ-Fe2O3纳米微粒薄膜的电阻开关特性明显改善:在-0.8 V读取电压下,高/低电阻态阻值平均比值约为18.7,该比值可稳定维持>100个循环周期.指数定律拟合实验曲线结果表明:高阻态漏电流以缺陷主导的空间电荷限制隧穿电流为主;而低阻态则以欧姆接触电导为主.Ag上电极与HfOx缓冲层界面处氧离子的定向漂移使得薄膜中氧空位缺陷形成的导电细丝通道周期性地导通与截断,从而使得薄膜呈现电阻开关效应.

关键词： γ-Fe2O3纳米微粒 HfOx薄膜电阻开关特性

扫描电压幅值调控循环方向的NiO_x薄膜电阻开关特性

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

中国科学：物理学、力学、天文学 2015年第5期45卷 94-102页

作者：霍进迁张祎扬朱华星王瑞雪邱晓燕西南大学物理科学与技术学院重庆400715

本文利用射频磁控溅射方法在优化制备条件下沉积制备了沿[200]晶向择优取向的多晶Ni Ox薄膜.Ag/Ni Ox/Pt电容器结构的电流-电压曲线具有典型的双极性电阻开关特性,但循环方向与扫描电压幅值有关:当最大扫描电压小于2 V时,电流-电压曲线... 详细信息

本文利用射频磁控溅射方法在优化制备条件下沉积制备了沿[200]晶向择优取向的多晶Ni Ox薄膜.Ag/Ni Ox/Pt电容器结构的电流-电压曲线具有典型的双极性电阻开关特性,但循环方向与扫描电压幅值有关:当最大扫描电压小于2 V时,电流-电压曲线沿逆时针方向循环,高/低电阻值比大于50,可稳定维持超过50个循环周期.当最大扫描电压增大到2 V,电流-电压曲线变为沿顺时针方向循环,高/低电阻值比大于10,可稳定维持超过120个循环周期.电流-电压曲线循环方向随扫描电压幅值的改变揭示了其不同的电阻开关物理机制:低扫描电压下逆时针循环电阻开关特性主要归因于电场作用下氧离子定向漂移导致氧空位形成的导电细丝通道周期性地导通和截断;当最大扫描电压增加到2 V时,银离子扩散进入Ni Ox薄膜与定向漂移的氧离子发生氧化/还原反应合成/分解Ag Ox,使得薄膜导电性周期性地增大和减小,从而使得Ni Ox薄膜具有了顺时针循环电阻开关特性.

关键词： NiOx 薄膜电阻开关特性循环方向扫描电压幅值