检索结果-南通市图书馆

作者：房少华上海交通大学

学位级别：硕士

伴随着可携带式电子产品的普及,如笔记本电脑、手机、记忆卡等,非挥发性存储器件在半导体存储器件中扮演着越来越重要的角色。随着存储器件尺寸的缩小,三十多年前就被提出的基于SONOS(Silicon-Oxide-Nitirde-Oxide-Silicon)结构非挥发... 详细信息

伴随着可携带式电子产品的普及,如笔记本电脑、手机、记忆卡等,非挥发性存储器件在半导体存储器件中扮演着越来越重要的角色。随着存储器件尺寸的缩小,三十多年前就被提出的基于SONOS(Silicon-Oxide-Nitirde-Oxide-Silicon)结构非挥发性存储器件又重新被关注。除了小的器件尺寸之外,SONOS器件还具有很多优势,如更好的抗擦写能力(Endurance)、低操作电压和低功率,且工艺过程简单并与标准CMOS工艺兼容。对于SONOS器件,随着器件尺寸的减小,特别是隧穿氧化硅层变薄,作为存储器件最重要的性能指标之一的电荷保持性能(Data Retention),并不理想,这也成为SONOS器件被广泛应用的致命障碍。本论文的研究方法是基于对无定形氮化硅及氧或氟掺杂无定形氮化硅的文献报道的实验研究,尤其是电子顺磁共振(Electron Spin Resonance,ESR)实验,所提供的信息,建立和推测无定形氮化硅和氧、硫、氟、氯、磷掺杂氮化硅中各种缺陷的簇模型,再使用先进的密度泛函理论(Density Functional Theory,DFT)方法,优化并计算出各种缺陷簇模型的体系能量,得到各种缺陷俘获电荷过程的能量变化,并与SONOS器件的电荷保持性能联系起来分析,从这些典型的非金属元素中,找出合适的元素掺杂无定形氮化硅,作为SONOS器件的电荷贮存层,来改善器件的电荷保持性能。

关键词： SONOS 非挥发性存储器件电荷保持性能密度泛函理论无定形氮化硅掺杂缺陷

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N_2O气氛退火对SONOS非易失性存储器性能的优化研究

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电子器件 2011年第1期34卷 36-39页

作者：周群林钢李曦沈国飞曹刚石艳玲华东师范大学信息科学与技术学院上海200062 上海华虹NEC电子有限公司上海201206

SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)型非易失性存储器件的电荷保持能力与Si-SiO2界面态的质量密切相关。通过在SONOS的隧穿氧化层工艺流程中增加适当的N2O退火工艺,改善了器件的擦除深度和编程速度,从而使得SONOS器件的存储器... 详细信息

SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)型非易失性存储器件的电荷保持能力与Si-SiO2界面态的质量密切相关。通过在SONOS的隧穿氧化层工艺流程中增加适当的N2O退火工艺,改善了器件的擦除深度和编程速度,从而使得SONOS器件的存储器性能得到优化。通过进一步电荷泵测试表明,电荷泵电流值Icp由1.8×10-6A减小到1.3×10-6A,减小27.8%,即隧穿氧化层与衬底之间的界面态显著减少。因此,在SONOS工艺中增加适当的N2O退火工艺,能有效地优化存储器的存储能力,提高SONOS存储性能。

关键词： SONOS(硅/二氧化硅/氮化硅/二氧化硅/硅) 退火工艺电荷保持性能界面态

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