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作者

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  • 2 篇 向守平
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重复频率微波脉冲大气击穿延时与电离率
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强激光与粒子束 2024年 第1期36卷 18-22页
作者： 杨浩 郑强林 黄诺慈 刘星辰 鲍向阳 闫二艳 中国工程物理研究院应用电子学研究所 四川绵阳621900 高功率微波技术重点实验室 四川绵阳621900
针对高功率微波在大气传输中可能出现的击穿现象,研究了脉冲序列中首次脉冲击穿延时和后续脉冲击穿延时,研究结果发现首次脉冲击穿延时在脉宽范围内大致均匀分布,后续脉冲击穿延时波动性较小。根据击穿延时数据对电离率进行了分析,指出... 详细信息
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早期宇宙复合时期的电离率
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科学通报 1996年 第1期41卷 11-13页
作者： 向守平 中国科学技术大学天体物理中心 合肥230026
在各种宇宙学模型中,复合时期的电离率是计算物质与辐射密度扰动演化、特别是宇宙微波背景辐射各向异性值的基本数据之一.对于纯重子宇宙,复合时期的电离率X(?)n_e/n(n_e是自由电子的数密度,n是氢原子加自由质子的数密度)
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低温区杂质电离率的计算
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固体电子学研究与进展 1996年 第2期16卷 185-190页
作者： 王明网 魏同立 肖志雄 李 东南大学微电子中心
用纯数值技术计算了５０～１５０Ｋ下磷、硼非补偿和补偿时在硅中的电离率，考虑了Ｆｅｒｍｉ－Ｄｉｒａｃ统计、禁带变窄效应、冻析效应以及温度对各种物理参数的影响，结果发现比简化模型有较高的数值精度，而且可插入到半导体器件模... 详细信息
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宇宙学常数Λ≠0时复合时期的电离率和最后散射面
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科学通报 1998年 第21期43卷 2280-2282页
作者： 向守平 洪方文 冯珑珑 中国科学技术大学天体物理中心 合肥230026
非零宇宙学常数在Hubble常数取值较大时对大爆炸宇宙学模型具有现买意义。计算了宇宙学常数不为零时复合时期电离率的演化和最后散射面的位置。所得结果可应用于计算宇宙微位背景辐射的涨落。
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脉冲形状和静电场对电离率和高次谐波的影响
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原子与分子物理学报 2003年 第3期20卷 317-321页
作者： 薛艳丽 程太旺 李晓峰 林圣路 傅盘铭 山东师范大学物理系 中国科学院物理所凝聚态研究中心光物理实验室 北京100080
采用数值方法研究静电场和不同的激光脉冲对氢原子的电离率和高次谐波的影响。结果表明脉冲形状和电离率之间有着确定的关系 ,电离率反过来又影响了谐波谱的性质 ;另外 ,随着所加的静电场强度的增大 ,电离率呈上升的趋势 。
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硅中电离率与有效多数载流子浓度的温度关系
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应用科学学报 1996年 第3期14卷 332-338页
作者： 肖志雄 郑茳 魏同立 东南大学
该文研究了重掺杂引起的禁带变窄效应对电离率与有效多数载流子浓度的影响；建立了从７７Ｋ到３００Ｋ广为适用的数学模型．获得的计算结果在轻掺杂时与已有的计算数据相一致；而在重掺杂时，解决了已有文献未能解决的难题：杂质电离率... 详细信息
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77K下硅中杂质电离率的计算
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东南大学学报（自然科学版） 1995年 第6期25卷 57-61页
作者： 王明网 魏同立 肖志雄 李 东南大学微电子中心
用纯数值技术计算了７７Ｋ硅中杂质的电离率，考虑了Ｆｅｒｍｉ－Ｄｉｒａｃ统计、禁带变窄效应、冻析效应以及温度对各种物理参数的影响，计算结果比简化模型精确，而且可插入到半导体器件模拟软件中。
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掺杂半导体的电离率
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河北大学学报（自然科学版） 1992年 第2期12卷 82-87页
作者： 马全喜 河北大学物理系
本文从电子占据能级的几率出发,经过严格数学推导,得到了杂质半导体的电离率、电离能、浓度及温度各量关系的一般表达式,并与某些极端条件下的近似结果进行了比较。分析表明,本文得到的表达式具有普遍意义,该关系式对于分析上述各量关系... 详细信息
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由大气密度的季变化所造成的中、低层大气电离率的季变化
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空间科学学报 1985年 第2期 117-122页
作者： 庄洪春 中国科学院空间物理研究所
本文对CIRA 1972模式下的中、低层大气密度季变化所造成的电离率的季变化作了理论计算,利用宇宙线电离源函数对全球中、低层大气的电离率作了数值计算.计算结果表明,在70 km以下的大气电离率的季变化幅度为百分之几十.在电离峰值高度(约... 详细信息
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在激光场中氢原子电离率的Monte Carlo经典模拟
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安徽大学学报（自然科学版） 1997年 第4期21卷 34-37页
作者： 温吉华 邱森友 安徽滁州师专
本文通过在激光场中氢原子电离率的ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ经典模拟结果的分析，得出了激光场的磁场部分对氢原子的稳定性有着一定的制约关系的结论。
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