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  • 2 篇 期刊文献

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日期分布

学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 2 篇 材料科学与工程（可...
    • 2 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 2 篇 热电子效应
  • 2 篇 电流坍塌效应
  • 1 篇 表面电荷
  • 1 篇 自加热效应
  • 1 篇 aigan/gan
  • 1 篇 gan-hemt器件
  • 1 篇 hemt器件

机构

  • 1 篇 同济大学
  • 1 篇 上海交通大学医学...
  • 1 篇 南通大学
  • 1 篇 常熟理工学院

作者

  • 1 篇 郝立超
  • 1 篇 段俊丽
  • 1 篇 王强
  • 1 篇 鲁宏
  • 1 篇 顾江

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=电流坍塌效应"
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AlGaN/GaN高速电子迁移率晶体管器件电流坍塌效应与界面热阻和温度的研究
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物理学报 2011年 第7期60卷 582-588页
作者： 顾江 王强 鲁宏 常熟理工学院物理电子系 常熟215500 南通大学电子信息学院 南通226019
本文系统研究了AlGaN/GaN基高速电子迁移率晶体管器件界面热阻和工作温度对器件在高功率下的电流坍塌效应的影响规律.研究发现低漏极电压下热电子是导致负微分输出电导的重要因素,器件工作温度变高会使负微分输出电导减小.高漏极电压下... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
表面电荷与体陷阱对GaN基HEMT器件热电子和量子效应的影响研究
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物理学报 2010年 第4期59卷 2746-2752页
作者： 郝立超 段俊丽 同济大学物理学院 上海200092 上海交通大学医学院附属新华医院 上海200240
研究了GaN基HEMT器件表面电荷和体陷阱的变化对输出特性的影响.通过分析表面电荷与体陷阱对电流坍塌效应、饱和电流和膝点电压的影响,初步确定了其变化关系.研究结果显示表面电荷的增加能够耗尽二维电子气,减弱电流坍塌效应,降低饱和电... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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