检索结果-南通市图书馆

一种针对AMOLED器件劣化的电学补偿技术

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液晶与显示 2019年第4期34卷 335-341页

作者：解红军张小宝维信诺科技股份有限公司河北固安065500

AMOLED显示屏经过长时间的使用,不可避免地会有OLED器件劣化的问题。同一显示屏内不同位置的像素器件的劣化程度不同,造成显示屏整体亮度下降和显示残像。使用越久、亮度越高的像素,器件劣化就越严重。本文提出一种电学补偿技术,用以改... 详细信息

AMOLED显示屏经过长时间的使用,不可避免地会有OLED器件劣化的问题。同一显示屏内不同位置的像素器件的劣化程度不同,造成显示屏整体亮度下降和显示残像。使用越久、亮度越高的像素,器件劣化就越严重。本文提出一种电学补偿技术,用以改善OLED器件劣化造成的亮度下降和显示残像。采用电学侦测的方法获得各个像素的OLED器件的VTH,将其存储于闪存芯片内,显示时通过查找表找到对应的OLED发光效率,计算得出各个像素的补偿后灰阶值,实现实时补偿的效果。本技术可以使劣化越严重的像素,获得越大的像素电流,从而弥补由于劣化造成的发光效率下降,最终得到理想的像素亮度。使用该方法可以补偿由于OLED劣化造成的亮度下降和显示残像,残像指标JND小于3.1。

关键词：电压侦测电学补偿器件劣化残像

SI-GaAs单晶热稳定性及其电学补偿机理研究

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固体电子学研究与进展 1991年第3期11卷 216-224页

作者：王占国戴元筠徐寿定杨锡权万寿科孙虹林兰英中国科学院半导体研究所北京100083

本文利用多种实验手段,包括OTCS,DLTS,低温PL等,对影响LEC SI-GaAs单晶电学性质热不稳定的可能因素进行了系统研究.在仔细分析对比文献发表的实验结果的基础上,提出了普遍成立的多能级电学补偿模型.这个模型不但能成功地对SI-GaAs单晶... 详细信息

本文利用多种实验手段,包括OTCS,DLTS,低温PL等,对影响LEC SI-GaAs单晶电学性质热不稳定的可能因素进行了系统研究.在仔细分析对比文献发表的实验结果的基础上,提出了普遍成立的多能级电学补偿模型.这个模型不但能成功地对SI-GaAs单晶热不稳定的本质进行合理解释,而且还为研制高热稳定的GaAs材料提供了科学依据.

关键词： SI-GaAs晶体热稳定性电学补偿

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SI-GaAs材料的电学补偿

Journal of Semiconductors 1999年第11期20卷 999-1003页

作者：赖占平齐德格高瑞良杜庚娜刘晏凤刘建宁电子工业部第四十六研究所天津300220

研究了ＨＰＬＥＣ工艺生长半绝缘砷化镓单晶过程中，熔体的化学剂量比对晶体深施主缺陷能级、浅受主碳的浓度以及晶体电学性能的影响．由Ｎ型半绝缘晶体的补偿机理对实验现象进行了解释，给出了既能保证晶体电学性能又可以使缺陷浓度... 详细信息

研究了ＨＰＬＥＣ工艺生长半绝缘砷化镓单晶过程中，熔体的化学剂量比对晶体深施主缺陷能级、浅受主碳的浓度以及晶体电学性能的影响．由Ｎ型半绝缘晶体的补偿机理对实验现象进行了解释，给出了既能保证晶体电学性能又可以使缺陷浓度较低的最佳熔体剂量比．并将近本征半导体的物理模型推广至半绝缘砷化镓单晶，得到了较理想的电阻率范围．

关键词： SI-GaAs材料电学补偿砷化镓半导体材料

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基于电学补偿的频率光纤传输系统设计

光通信技术 2016年第6期40卷 28-31页

作者：李东瑾梅进杰胡登鹏周文婵任天鹏空军预警学院武汉430019 航天飞行动力学技术重点实验室北京100094

针对高精度频率光纤传输的相位波动问题,分析了常规电学补偿传输方式存在的不稳定性因素,提出了可行的解决方案。首先着重分析了电学补偿及光纤频率传递流程。然后实验验证了光纤反射信号对补偿系统的干扰,定量分析了链路相位波动情况,... 详细信息

针对高精度频率光纤传输的相位波动问题,分析了常规电学补偿传输方式存在的不稳定性因素,提出了可行的解决方案。首先着重分析了电学补偿及光纤频率传递流程。然后实验验证了光纤反射信号对补偿系统的干扰,定量分析了链路相位波动情况,最后设计了单模光纤单波长双频传输方案,提出了提高同步精度的可行方法。

关键词：电学补偿双频传输相位波动链路对称

半绝缘InP的深能级缺陷、电学补偿及电学性质的研究

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半绝缘InP的深能级缺陷、电学补偿及电学性质的研究

作者：杨俊四川大学

学位级别：硕士

本文根据霍尔测量(Hall)和热激电流谱(TSC)的结果，研究了半绝缘InP材料中深能级缺陷的属性和产生原因，并讨论了缺陷对半绝缘InP电学性质的影响。对比研究原生掺铁和非掺退火两种半绝缘磷化铟材料发现，在原生掺铁半绝缘InP材料的迁移... 详细信息

本文根据霍尔测量(Hall)和热激电流谱(TSC)的结果，研究了半绝缘InP材料中深能级缺陷的属性和产生原因，并讨论了缺陷对半绝缘InP电学性质的影响。对比研究原生掺铁和非掺退火两种半绝缘磷化铟材料发现，在原生掺铁半绝缘InP材料的迁移率较低，缺陷较多，而非掺退火特别是磷化铁(IP)气氛下退火的半绝缘InP材料迁移率很高，缺陷很少。在此基础上揭示了磷化铟材料中一些缺陷的结构属性和形成机理。根据掌握的这一缺陷的形成机理，我们可以通过控制生长条件和后续的处理工艺，制备出缺陷浓度很低、电学性能参数优良的半绝缘磷化铟材料。根据热激电流谱(TSC)测得的结果，分析了原生掺铁和非掺退火两种半绝缘InP材料中深能级缺陷对电学补偿的影响。在掺铁半绝缘InP材料中由于存在高浓度的深能级缺陷参与电学补偿，降低了材料的电学性能。相比之下，非掺退火半绝缘InP材料中深能级缺陷浓度很低，通过扩散掺入的铁受主作为唯一的补偿中心钉扎费米能级，因而表现出优异的电学性质。对各种条件下制备的半绝缘InP材料中的深能级缺陷进行了分析和讨论，得出了一致性的结论：P气氛下退火的lnP材料中的化学配比趋向富磷，产生的深能级缺陷的数量和浓度高，降低了材料的电学性质：而在FeP气氛下退火处理得到的InP材料，材料中缺陷的数量和浓度均很低，产生了明显的缺陷抑制现象。这样的磷化铟材料具有优越的电学性质。

关键词： InP 半绝缘缺陷电学补偿

基于FPGA的频率远距离稳定传输方案设计及实现

同方学位论文库评论

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同方学位论文库

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重庆邮电大学学报（自然科学版） 2015年第5期27卷 614-619页

作者：胡登鹏任天鹏朱淑梅杨瑞娟秦豫文空军预警学院航天飞行动力学技术重点实验室 94647部队

研究了通过电学补偿且基于FPGA(field programmable gate array)设计实现的频率远距离稳定传输问题。根据共轭相位补偿法原理,设计了基于FPGA的数字锁相环频率远距离稳定传输方案。该方案通过4次变频及滤波来提取远端信号和本地信号的... 详细信息

研究了通过电学补偿且基于FPGA(field programmable gate array)设计实现的频率远距离稳定传输问题。根据共轭相位补偿法原理,设计了基于FPGA的数字锁相环频率远距离稳定传输方案。该方案通过4次变频及滤波来提取远端信号和本地信号的相位差,利用锁相环使远端的信号相位变化与本地点的基准信号相位变化相同,从而实现频率远距离稳定传输。在基于FPGA的数字信号处理板上对该方案进行了实现,并给出了具体的实现方案和FPGA实现结果。由于变频、滤波及锁相环均在FPGA内部通过编程实现,该实现方案具有很强的参数选择灵活性及工程易实现性。最后,设计了链路时延测量回路,对不同条件下频率传输的稳定性进行测量,测量结果表明,设计的频率传输方案有效地减小了环境温度变化对信号在光纤中传输时延的影响。

关键词：频率传输数字锁相环相位抖动电学补偿

高温退火处理提高半绝缘VGF-GaAs单晶的电学性能

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Journal of Semiconductors 2008年第9期29卷 1770-1774页

作者：占荣赵有文于会永高永亮惠峰中国科学院半导体研究所北京100083

垂直梯度凝固法(VGF)生长的低位错半绝缘(SI)GaAs单晶存在电阻率和迁移率低、电学补偿度小、均匀性差等问题.在3种不同温度条件下,对VGF-SI-GaAs晶片进行了加As压的闭管退火处理.结果表明,经过1160℃/12h的高温退火处理后,VGF-SI-GaAs... 详细信息

垂直梯度凝固法(VGF)生长的低位错半绝缘(SI)GaAs单晶存在电阻率和迁移率低、电学补偿度小、均匀性差等问题.在3种不同温度条件下,对VGF-SI-GaAs晶片进行了加As压的闭管退火处理.结果表明,经过1160℃/12h的高温退火处理后,VGF-SI-GaAs单晶的电阻率、迁移率和均匀性均得到了显著提高.利用Hall、热激电流谱(TSC)、红外吸收法分别测试分析了原生和退火VGF-SI-GaAs单晶样品的电学性质、深能级缺陷、EL2浓度和C浓度,并与常规液封直拉法(LEC)SI-GaAs单晶样品进行了比较.原生VGF-SI-GaAs单晶中的EL2浓度明显低于LEC-SI-GaAs单晶,经过退火处理后其EL2浓度显著增加,电学补偿增强,而且能级较浅的一些缺陷的浓度降低,因而有效提高了其电学性能.

关键词：垂直梯度凝固法半绝缘砷化镓电学补偿缺陷

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超磁致伸缩旋转超声加工系统研究进展

电加工与模具 2024年第4期 1-9,39页

作者：张宇兰天张翔宇冯峰张建富冯平法王健健清华大学深圳国际研究生院广东深圳518055 清华大学机械工程系北京100084

旋转超声加工是集传统旋转机加工方式和超声振动于一体的新型特种加工方法,在加工硬脆材料时具有切削力小、切削效率高、工件表面质量高、刀具寿命增长等优势。超磁致伸缩旋转超声加工系统具有相同功率条件下伸缩系数大、能量密度高等优... 详细信息

旋转超声加工是集传统旋转机加工方式和超声振动于一体的新型特种加工方法,在加工硬脆材料时具有切削力小、切削效率高、工件表面质量高、刀具寿命增长等优势。超磁致伸缩旋转超声加工系统具有相同功率条件下伸缩系数大、能量密度高等优点,在大功率、大振幅研究方面的前景广阔,是目前广受关注的一种新型旋转超声系统。因此,总结了超磁致伸缩旋转超声加工系统的核心功能部件和关键设计技术,综述了当下的超磁致伸缩旋转超声加工系统振幅控制研究现状,并展望其未来发展趋势。

关键词：旋转超声加工超磁致伸缩材料电学补偿频率跟踪技术振幅稳定性

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基于光学相控阵的波束调制研究

基于光学相控阵的波束调制研究

作者：林之铃浙江大学

学位级别：硕士

随着计算机存储能力的提升以及复杂算法的发展,以传感技术和嵌入式开发为基础的智能无人系统成为人们研究的热点。激光雷达作为代表产物之一,采用机械偏转技术来搜索目标位置。由于成本高、体积大等问题机械运转极大地限制了空间信息光... 详细信息

随着计算机存储能力的提升以及复杂算法的发展,以传感技术和嵌入式开发为基础的智能无人系统成为人们研究的热点。激光雷达作为代表产物之一,采用机械偏转技术来搜索目标位置。由于成本高、体积大等问题机械运转极大地限制了空间信息光学的发展,无法满足空间自由通信轻小化的要求。光学相控阵是一种阵列相位呈线性分布的非机械偏转技术,将传统的机械扫描转变为智能波束扫描。光学相控阵相邻阵元之间的光耦合易导致远场辐射效果不佳,需要制定相应的波束调制方案来实现波束的偏转。调制电路以STM32单片机作为系统的核心控制器,通过合理调配内部集成资源以及外围功能芯片,配合反馈优化算法来实现相位误差的补偿。电学补偿能够突破物理上耦合效应的限制,大幅压缩波导光栅阵列的间距,提高波束的扫描角度。本文在充分学习智能光波束成形发射技术和超大集成电路设计的基础上,对硅基光学相控阵的波束调制进行研究,提出结合片上监测的光学相控阵芯片,设计两种波束调制方案,并根据相控阵调制需求制作调制电路,最后对相控阵芯片进行测试。本文的主要内容如下:1)对光学相控阵的原理进行了详细的分析。分别从微波物理量和几何光学的角度推出光束出射角度与相邻波导相位差的关系,即相位控制光束扫描的原理。对待测相控阵芯片结构进行分析,针对相控阵的前后端分别提出上位机调制方案以及片上调制方案,详细介绍两个调制方案的工作原理、调制系统构成以及调制流程,搭建整体的测试系统。2)分析待测光学相控阵芯片的具体情况和调制需求,以此为基础设计调制电路硬件总体实施方案:将调制电路分为相位控制模块、电流采集模块以及通信模块。相位控制模块能够实现对相控阵波导的热调,电流采集模块实现对相控阵后端输出光电流的采集并发送给单片机进行处理,建立通信协议完成PC机与调制电路之间的数据交换。对PCB硬件板进行可靠性设计,保证了相控阵波束调制过程的稳定性。3)对光学相控阵调制电路的驱动进行设计。首先配置软件的开发环境,然后根据相控阵需求决定软件系统整体架构,分别对上位机程序以及调制电路程序进行分块设计。首先配置上位机和调制电路之间的串口,然后在单片机的主控程序里调用子程序来实现两种调制方案,最后展示相控阵两种调制方案的测试结果并进行分析。

关键词：嵌入式开发光学相控阵非机械偏转技术光耦合波束调制反馈优化电学补偿