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金和铂在Si-Al2O3界面的电学效应

应用科学学报 1988年第3期 233-240页

作者：李思渊殷之平张同军王毓珍贾笑天兰州大学

本文系统地研究了金、铂等杂质在Si-Al2O3界面的电学特性及其热处理变化,给出了界面的电子能谱分析结果,并对Au(Pt)等杂质界面效应的作用机制进行了探讨.

关键词：界面效应电学效应 Si-Al2O3 偶极极化电荷迁移界面区退火温度结构缺陷悬键 Al

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金在氮化硅—硅界面的电学效应

兰州大学学报 1983年第2期 126-127页

作者：李思渊李寿嵩王毓珍张同军

我们研究了金在氮化硅—硅界面的电学效应及其热处理行为,并与金在二氧化硅—硅界面的情形做了比较。用能谱分析技术对氮化硅—硅结构进行了AES和XPS分析,得出了界面区域的组分、剖面分布、各组分结合能的变化及价带谱。发现自氮化硅表... 详细信息

我们研究了金在氮化硅—硅界面的电学效应及其热处理行为,并与金在二氧化硅—硅界面的情形做了比较。用能谱分析技术对氮化硅—硅结构进行了AES和XPS分析,得出了界面区域的组分、剖面分布、各组分结合能的变化及价带谱。发现自氮化硅表面直至硅侧,有N、Si、O、C、Au（扩Au片）等多种元素。在SiH4—NH3—N2反应淀积的氮化硅—硅界面处存在着一个“氧包”,如图1所示,对界面性质有重要影响。同

关键词：氮化硅能谱分析淀积四氮化三硅氮化物电学效应

金属纳米粒子“远场”表面等离子体共振的形状和尺寸效应研究

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金属纳米粒子“远场”表面等离子体共振的形状和尺寸效应研究

作者：庄一琦华南理工大学

学位级别：硕士

金属纳米粒子的光学和电学效应,可以对有机发光二极管(OLED)的性能进行大幅度的增强,近几年引起了学术界的广泛关注。我们课题组在国际上首先提出利用金属纳米粒子“远场”表面等离子体共振(FSPR)增强有机电致发光,重现性好,可以使用金... 详细信息

金属纳米粒子的光学和电学效应,可以对有机发光二极管(OLED)的性能进行大幅度的增强,近几年引起了学术界的广泛关注。我们课题组在国际上首先提出利用金属纳米粒子“远场”表面等离子体共振(FSPR)增强有机电致发光,重现性好,可以使用金纳米球轻松实现对红、绿、蓝和白光的发射增强,在溶液加工制备有机发光二极管方面有着非常大的潜力。与局域表面等离子体共振效应,散射效应类似,远场效应对金属纳米粒子的尺寸、形状及表面配体等有着强烈的相关性。本论文主要讨论金属纳米粒子“远场”表面等离子体共振的形状和尺寸效应,主要包括以下三个方面内容:1.不同尺寸,形状和表面配体金纳米粒子的合成表征及对OLED的增强效应。我们合成了直径5-20 nm的金纳米球和纳米棒,并将其掺杂到OLED的PEDOT:PSS层中,以P-PPV为有机聚合物活性层制备正装OLED器件。实验结果表明配体浓度小于临界值的情况下,金属纳米粒子的引入对于器件性能的负效应可以忽略不计,所得器件具有良好的增强效果重现性和高于参比的寿命。在此基础上我们比较了不同形状尺寸的纳米粒子及不同掺杂浓度时的增强效应。对于同种纳米粒子,其增强效应随着纳米粒子的浓度的增加先增强后减弱;达到最好的增强效果时,大尺寸纳米粒子增强的最佳值明显好于小尺寸的,且所需要的金纳米粒子的浓度相对较少。金纳米棒的增强效果明显好于金纳米球。2.对金纳米粒子增强器件性能进行了机理的研究。首先,我们利用荧光寿命、变角度电致发光光谱等实验,证明了我们器件结构中的增强效果来源于FSPR效应,排除了近场效应、光散射效应及电学效应的影响;进一步,我们利用远场理论模型对于不同尺寸和形状纳米粒子的远场效应进行了模拟,对于上一章中实验现象进行了合理的解释。根据远场理论,金属的反射率和因反射引起的相位差在影响增强因子上起着至关重要的作用,这两个参数都是金属纳米粒子形状和尺寸的函数。利用FDTD对各种金纳米粒子的反射率进行了模拟,证实了大尺寸的金纳米粒子对应更高的反射率导致了 FSPR效应有着更好的增强效果,运用远场理论公式计算的结果与实验结果是一致的;通过改变器件厚度,研究了不同金纳米粒子表面与发光剖面最佳增强距离,得到了最佳增强距离对应的相位差和纳米粒子尺寸。总体来讲,利用大尺寸金纳米粒子的FSPR效应对器件性能的增强效果更好,源于高的反射率和合适的相位差。拥有高反射率且合适的相位差的金属纳米粒子对OLED的性能增强有重大意义。***304纳米粒子的电学效应增强OLED性能。我们使用研磨的方法合成了尺寸相对均一的Fe304纳米粒子,并将Fe304纳米粒子引入OLED器件中提高了器件的性能,电流密度和发光亮度的增强暗示着Fe304纳米粒子的电学作用增强了载流子的注入和传输,这种廉价,制备方便,电学效应显著的Fe304纳米粒子对器件性能的增强是非常有意义的。

关键词：金属纳米粒子远场效应尺寸表面配体电学效应

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关于半导体材料(锗、硅)微缺陷的研究

半导体技术 1980年第1期 44-51页

作者：曹普光 774厂中心实验室

近年来,随着大规模集成电路、CCD二极管阵列显示器件和微波功率晶体管的发展,这些大面积器件对半导体材料提出了更高的要求,促使人们加强对半导体材料的微缺陷研究.其研究的重点是集中于形成各种微缺陷的机理,微缺陷的结构、微缺陷分布... 详细信息

近年来,随着大规模集成电路、CCD二极管阵列显示器件和微波功率晶体管的发展,这些大面积器件对半导体材料提出了更高的要求,促使人们加强对半导体材料的微缺陷研究.其研究的重点是集中于形成各种微缺陷的机理,微缺陷的结构、微缺陷分布的非均匀性、微缺陷的杂质析出效应、微缺陷的运动和电活性以及微缺陷的电学效应.

关键词：微缺陷缺陷分析角锥电学效应