检索结果-南通市图书馆

直写成型制备PVDF/PZT复合薄膜的电学性能（英文）

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Journal of Central South University 2025年第01期 71-81页

作者：周润恺杨红彭超群王日初张斗房光强王小锋 School of Materials Science and Engineering Central South University State Key Laboratory of Powder Metallurgy Central South University National Key Laboratory of Aerospace Mechanism Institute of Aerospace System Engineering Shanghai

采用直写成型技术制备了聚偏氟乙烯/锆钛酸铅（PVDF/PZT）复合薄膜，研究了锆钛酸铅（PZT）含量对薄膜结晶行为和电学性能的影响。采用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）、傅里叶变换红外光谱仪（FTIR）和差示扫描量热仪（DSC... 详细信息

采用直写成型技术制备了聚偏氟乙烯/锆钛酸铅（PVDF/PZT）复合薄膜，研究了锆钛酸铅（PZT）含量对薄膜结晶行为和电学性能的影响。采用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）、傅里叶变换红外光谱仪（FTIR）和差示扫描量热仪（DSC）对薄膜进行了表征。结果表明，经表面改性后的PZT粉末（PZT@PDA）成功被聚多巴胺（PDA）包覆，形成的大量极性基团与PVDF中的—CF2—基团之间形成氢键，因而诱导了薄膜内β极性相的生成。该β相含量随着PZT@PDA含量的增加而增加。5 wt.%PZT@PDA复合薄膜的β相含量最高，为28.09%。PZT@PDA作为成核剂促进了复合薄膜中极性相的生成，同时也作为杂质阻碍晶核的生长，从而降低结晶度。此外，界面处PZT@PDA的存在为界面极化效应的发生提供了更多位点，从而改善薄膜的电学性能。5 wt.%PZT@PDA复合薄膜的介电常数（8.61）和残余极化值（0.6803μC/cm2）均最高。

关键词：聚偏氟乙烯锆钛酸铅直写成型结晶行为电学性能

导电硅橡胶复合材料的电学性能和力学性能研究

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塑料科技 2025年第1期53卷 85-87页

作者：张洪敏王玎安浩平王玉魁河南省科学院应用物理研究所有限公司河南郑州450003

以炭黑为导电填料,制备导电硅橡胶复合材料,研究导电硅橡胶复合材料的电学性能和力学性能。研究表明,随着炭黑掺量增大,复合材料的体积电阻率(ρ)先快速减小,然后基本稳定。复合材料的邵氏硬度先快速增大,最终趋于稳定,而拉伸强度先增... 详细信息

以炭黑为导电填料,制备导电硅橡胶复合材料,研究导电硅橡胶复合材料的电学性能和力学性能。研究表明,随着炭黑掺量增大,复合材料的体积电阻率(ρ)先快速减小,然后基本稳定。复合材料的邵氏硬度先快速增大,最终趋于稳定,而拉伸强度先增大后减小。炭黑占硅橡胶的质量分数为30%时,复合材料获得最优的综合性能,与未加炭黑相比,ρ降低15个数量级,拉伸强度和邵氏硬度分别提高544.4%和660.0%。

关键词：炭黑导电硅橡胶电学性能力学性能

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热压工艺参数对n型和p型Bi_2Te_3基赝三元热电材料电学性能的影响

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物理学报 2005年第7期54卷 3321-3326页

作者：吕强荣剑英赵磊张红晨胡建民信江波哈尔滨师范大学物理系牡丹江医学院电子技术教研室牡丹江157011 哈尔滨师范大学现代教育技术中心

通过熔炼研磨热压方法制备了n型和p型赝三元Bi2Te3基的热压合金样品,测量了由不同工艺参数(热压温度、热压压力)制备的样品Seebeck系数和电导率.分析了热压参数对热电性能产生的影响.特别是发现了增加热压压力和热压温度会使n型和p型热... 详细信息

通过熔炼研磨热压方法制备了n型和p型赝三元Bi2Te3基的热压合金样品,测量了由不同工艺参数(热压温度、热压压力)制备的样品Seebeck系数和电导率.分析了热压参数对热电性能产生的影响.特别是发现了增加热压压力和热压温度会使n型和p型热压样品的Seebeck系数和电导率都有所提高,这与单晶和取向晶体材料的Seebeck系数和电导率变化趋势相反的规律显然不同,其结果对热压样品的电学性能提高有积极的影响.

关键词： Bi2Te3 电学性能工艺参数热电材料 P型 n型三元热压温度热压压力电导率系数和合金样品热电性能热压参数变化趋势晶体材料制备单晶

用凝胶注模成型制备压电陶瓷体及其电学性能研究

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无机材料学报 2003年第5期18卷 1045-1050页

作者：郭栋蔡锴李龙土南策文桂治轮清华大学材料系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室北京100084

对PZT陶瓷浆料胶体化学特性进行了研究,成功制备了高固相含量低粘度的PZT陶瓷浆料.对含不同分散剂凝胶注模成型PZT样品电学性能的研究及其与普通干压法制备样品的比较表明,成型过程中的各种有机添加剂如单体和交联剂等不会对PZT的性能... 详细信息

对PZT陶瓷浆料胶体化学特性进行了研究,成功制备了高固相含量低粘度的PZT陶瓷浆料.对含不同分散剂凝胶注模成型PZT样品电学性能的研究及其与普通干压法制备样品的比较表明,成型过程中的各种有机添加剂如单体和交联剂等不会对PZT的性能造成影响,而某些无机成份如选择不当的分散剂,则会起到一种掺杂剂的作用,从而影响成型后样品的各种电学性能.本文结果说明,对于电子陶瓷材料,在应用凝胶注模这种成型方法时。

关键词：压电陶瓷凝胶注模成型电学性能

溶胶-凝胶法制备的ZnO:Al薄膜的微观结构及光学、电学性能

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金属学报 2006年第5期42卷 505-510页

作者：周宏明易丹青余志明肖来荣李荐王斌中南大学材料科学与工程学院长沙410083

采用溶胶-凝胶法制备了ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜．通过X射线衍射(XRD)、紫外-可见分光光度计 (UV-Vis)、扫描电镜(SEM)和电阻测量装置,考察了Al掺杂量、退火温度及镀膜层数等工艺参数对薄膜的微观结构和光电性能的影响．结果表明,退火... 详细信息

采用溶胶-凝胶法制备了ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜．通过X射线衍射(XRD)、紫外-可见分光光度计 (UV-Vis)、扫描电镜(SEM)和电阻测量装置,考察了Al掺杂量、退火温度及镀膜层数等工艺参数对薄膜的微观结构和光电性能的影响．结果表明,退火温度越高,多晶AZO薄膜的(001)晶面择优取向生长的趋势越强,并且随退火温度升高,薄膜的晶粒尺寸增大,透光率增加．薄膜晶体结构为纯ZnO的六角纤锌矿结构．在掺杂浓度1％(摩尔分数)、退火温度500℃及镀膜层数10的条件下,得到了电阻率为3．2×10-3Ω·cm、可见光区的平均透射率超过90％的AZO薄膜．

关键词： ZnO:Al(AZO)薄膜溶胶-凝胶法微观结构光学电学性能

硼硫协同掺杂金刚石的高压合成与电学性能研究

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物理学报 2019年第9期68卷 238-244页

作者：李勇王应李尚升李宗宝罗开武冉茂武宋谋胜铜仁学院物理与电子工程系铜仁554300 河南理工大学材料科学与工程学院焦作454000

FeNiMnCo-C体系中,在压力6.5 GPa、温度1280—1300℃的极端物理条件下,采用温度梯度法成功合成了硼(B)、硫(S)协同掺杂金刚石大单晶.通过傅里叶红外光谱测试对高温高压所制备金刚石中的杂质进行了表征.借助霍尔效应对典型金刚石样品的... 详细信息

FeNiMnCo-C体系中,在压力6.5 GPa、温度1280—1300℃的极端物理条件下,采用温度梯度法成功合成了硼(B)、硫(S)协同掺杂金刚石大单晶.通过傅里叶红外光谱测试对高温高压所制备金刚石中的杂质进行了表征.借助霍尔效应对典型金刚石样品的电输运性能进行了测试,测试结果表明:硼硫协同掺杂有利于提高p型金刚石的电导率,而且硼硫在合成体系中的添加比例可以决定金刚石的p, n特性.此外,第一性原理计算结果表明,合成体系中不同比例的硼硫协同掺杂对金刚石的p, n特性以及电导率有着直接的影响,计算结果与实验测试结果相吻合.

关键词：高温高压协同掺杂金刚石电学性能

He离子辐照对石墨烯微观结构及电学性能的影响

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物理学报 2020年第1期69卷 311-316页

作者：张娜刘波林黎蔚四川大学原子核科学技术研究所教育部辐射物理及技术重点实验室

本文采用5.4 ke V不同剂量的He离子辐照单层石墨烯,利用X射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱(Raman)和半导体参数分析仪表征辐照前后石墨烯微观结构和电学性能变化.研究结果表明:随着辐照剂量增大,单层石墨烯的缺陷密度逐渐增加,当辐照剂量... 详细信息

本文采用5.4 ke V不同剂量的He离子辐照单层石墨烯,利用X射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱(Raman)和半导体参数分析仪表征辐照前后石墨烯微观结构和电学性能变化.研究结果表明:随着辐照剂量增大,单层石墨烯的缺陷密度逐渐增加,当辐照剂量增至1.6×10^13 He+/cm^2,石墨烯开始由纳米晶结构向无定形碳结构转变,不断增多的缺陷致使石墨烯电导率持续降低,其电子输运机制也由玻尔兹曼扩散输运转变为跃迁输运;狄拉克电压(Vdirac)向正电压方向的偏移量随辐照剂量增大而增大,其主因是辐照缺陷和吸附杂质导致石墨烯P型掺杂效应增强.

关键词：石墨烯 He离子辐照微观结构电学性能

单壁碳纳米管-石墨烯杂化材料的自组装及其电学性能（英文）

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新型炭材料 2015年第4期30卷 342-348页

作者： Prashanta Dhoj Adhikari Yong-hun Ko Daesung Jung Chung-Yun Park Institute of Basic Science Sungkyunkwan University Department of Energy Science Sungkyunkwan University

以Si为基底,采用气相沉积法制备出石墨烯(G/Si)薄膜。将含1%APTES的苯溶液与G/Si密封,在115℃下加热2 h,G薄膜上自组装单层APTES膜(SAM-G/Si)。将SAM-G/Si浸渍于酸处理后的单壁碳纳米管氯仿液中,45℃干燥即得到单壁碳纳米管-石墨烯杂化... 详细信息

以Si为基底,采用气相沉积法制备出石墨烯(G/Si)薄膜。将含1%APTES的苯溶液与G/Si密封,在115℃下加热2 h,G薄膜上自组装单层APTES膜(SAM-G/Si)。将SAM-G/Si浸渍于酸处理后的单壁碳纳米管氯仿液中,45℃干燥即得到单壁碳纳米管-石墨烯杂化材料(SWCNT-G/Si)。结果表明,具有p-型电学性能的G/Si经表面改性后呈现出n-型性能,电容性能得到提高。

关键词：单壁碳纳米管自组装单层电学性能杂化材料石墨气相沉积法表面改性电容性能

微观定向结构Cu-W复合材料的力学与电学性能

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金属学报 2021年第8期57卷 1009-1016页

作者：韩颖王宏双曹云东安跃军谈国旗李述军刘增乾张哲峰沈阳工业大学电气工程学院沈阳110870 中国科学院金属研究所沈阳110016

采用熔渗法制备了具有微观定向W片层骨架结构Cu-W复合材料,对其力学和电学性能进行了研究,并与商用Cu-W复合材料进行了对比。结果表明,W含量(质量分数)为50%~90%时,具有微观定向结构的Cu-W复合材料的压缩强度在300~1100 MPa之间。压缩... 详细信息

采用熔渗法制备了具有微观定向W片层骨架结构Cu-W复合材料,对其力学和电学性能进行了研究,并与商用Cu-W复合材料进行了对比。结果表明,W含量(质量分数)为50%~90%时,具有微观定向结构的Cu-W复合材料的压缩强度在300~1100 MPa之间。压缩强度呈现出明显的各向异性,沿平行于W片层方向的强度高于垂直于W片层方向的强度。与商用Cu-W复合材料相比,具有微观定向结构的Cu-W复合材料在沿片层方向呈现出更高的导电特性和压缩强度,这主要与复合材料中Cu、W两相的微观定向规则排列有关。该复合材料有望用作电触头材料以显著提高其使用效果,延长使用寿命,减轻构件质量并降低能源损耗。

关键词： Cu-W复合材料微观定向结构力学性能电学性能