检索结果-南通市图书馆

化学学报 1982年第9期40卷 774-789页

作者：严继民张启元中国科学院化学研究所中国科学院化学研究所北京

本文研究了分子晶体电子能带的结构,指出:分子晶体电子能带的位置由分子的分子轨道能级决定,而能带宽度由各个分子中分子轨道间的相互作用决定。由此出发,提出了计算分子晶体的电子能带的简便方法。

关键词：分子晶体电子能带广义本征值问题结构特征

超晶格(Al_xGa_(1-x)As)_m/(GaAs)_m(110)的电子能带结构

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

固体电子学研究与进展 1993年第4期13卷 287-291页

作者：徐至中复旦大学物理系上海200433

采用紧束缚的重整化方法计算了超晶格(Al_xGa_1 xAs)_m/(GaAs)_m(110)的电子能带结构(1≤m≤10)。讨论了电子能带结构随超晶格层厚m及合金组分x的变化情况。计算结果表明,对于不同的合金组分x,超晶格可以处在三个不同区域:A区,直接能隙... 详细信息

采用紧束缚的重整化方法计算了超晶格(Al_xGa_1 xAs)_m/(GaAs)_m(110)的电子能带结构(1≤m≤10)。讨论了电子能带结构随超晶格层厚m及合金组分x的变化情况。计算结果表明,对于不同的合金组分x,超晶格可以处在三个不同区域:A区,直接能隙结构,Ⅰ-型超晶格;B区,间接能隙结构,Ⅰ-型超晶格;C区,间接能隙结构,Ⅱ—型超晶格。

关键词：能隙结构半导体晶格电子能带

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

导电高聚物聚吡啶的电子能带及其结构研究

高等学校化学学报 1991年第8期12卷 1113-1115页

作者：张景萍王荣顺东北师范大学化学系长春130024

聚吡啶(简称PPy)易于进行n-型掺杂并使其电导率大大提高,可用于制作高聚物电池的负极,本文将PPy视为准一维体系,采用EHMO/CO方法计算了新合成的导电高分子材料——聚吡啶4种可能构型的电子能带。

关键词：聚合物导电聚吡啶电子能带

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Si掺杂锐钛矿相TiO_2的电子能带结构

中国粉体技术 2012年第6期18卷 36-38页

作者：郑树凯吴国浩王芳刘磊河北大学电子信息工程学院河北保定071002 河北大学计算材料研究中心河北保定071002

利用基于密度泛函理论的第一性原理方法对Si掺杂前、后锐钛矿相TiO2的电子能带结构、电子态密度以及吸收光谱进行计算。结果表明,Si掺杂导致锐钛矿相TiO2的禁带宽度略增大0.048 eV;掺杂前锐钛矿相TiO2的价带和导带主要由O的2p和Ti的3d... 详细信息

利用基于密度泛函理论的第一性原理方法对Si掺杂前、后锐钛矿相TiO2的电子能带结构、电子态密度以及吸收光谱进行计算。结果表明,Si掺杂导致锐钛矿相TiO2的禁带宽度略增大0.048 eV;掺杂前锐钛矿相TiO2的价带和导带主要由O的2p和Ti的3d轨道构成,Si掺杂后其价带和导带主要由Si的3p、Ti的4s和Ti的3d轨道构成;Si掺杂可导致锐钛矿相TiO2的吸收边蓝移。

关键词：密度泛函理论锐钛矿电子能带

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

二维GaN结构、电子能带与热输运性质研究

二维GaN结构、电子能带与热输运性质研究

作者：蔡学儒华中科技大学

学位级别：硕士

Ⅲ-Ⅴ主族半导体材料氮化镓(GaN)具有宽直接带隙、高电子迁移率、高击穿电压、高导热等特性被广泛应用在光电器件及大功率电子器件中。在石墨烯、二硫化钼、硅烯等二维材料被广泛开发的背景下,二维GaN也引起了研究者的广泛关注。二维Ga... 详细信息

Ⅲ-Ⅴ主族半导体材料氮化镓(GaN)具有宽直接带隙、高电子迁移率、高击穿电压、高导热等特性被广泛应用在光电器件及大功率电子器件中。在石墨烯、二硫化钼、硅烯等二维材料被广泛开发的背景下,二维GaN也引起了研究者的广泛关注。二维GaN所表现出的更宽的带隙及更好的光学性能表明该材料是一种非常有潜力的电子材料。当前对于二维GaN的研究主要集中在极性c面,对于非极性m面二维GaN的研究尚缺乏。此外,作为非层状二维材料,二维GaN表面天然存在大量悬键,这些悬键为材料的表面改性提供了巨大的可能。基于上述问题,本文开展了如下工作:利用第一性原理探究了不同层数下m面二维GaN的几何结构及电子能带特征。结果表明,单层m面二维GaN具有平面六角蜂窝状结构,多层m面二维GaN为含褶皱六角单层GaN的堆叠。能带计算结果表明,单层二维GaN具有间接带隙,随层数增加,带隙类型将在12层时发生间接带隙向直接带隙的转变;带隙宽度将先减小后增大,且不断向块体带隙靠近。进一步分析表面,能带的变化主要来自表面几何结构的变化以及中间层层数的增多。在此基础上,我们进一步研究了表面氢原子修饰对m面二维GaN结构及电子能带的影响。对于单层GaN,我们探究了三种不同修饰方式的影响。结果表明,三种修饰均能使单层GaN维持稳定且起到增大带隙的作用,但其中仅Ⅰ型修饰(N-Ga异侧修饰)能使带隙由间接带隙转变为直接带隙。对于双层与三层GaN,表面修饰均能改变带隙类型并增大带隙宽度。利用第一性原理计算原子间力常数,结合声子玻尔兹曼方程对氢化前后单层GaN晶格热导率进行探究。结果表明,氢化对单层GaN晶格热导率的影响不大,使其由70.62 WmK上升至76.23WmK。声学支在单层GaN热导率中占绝对主导。氢化将显著影响声学声子热输运性,使得不同模式声子的热导率贡献值发生明显变化。其中,ZA声子热导率贡献由46.94 WmK下降至26.89 WmK,TA声子热导贡献由17.10 WmK上升至22.99 WmK,LA声子热导贡献从4.4 WmK上升至23.95WmK。进一步分析表明,ZA模式热导率下降来自声子群速及低频区域声子寿命的下降,TA与LA支晶格热导率的提升主要来自声子非谐性下降导致的声子寿命上升。

关键词：二维GaN 第一性原理声子玻尔兹曼方程电子能带晶格热导率

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

分子晶体电子能带的微扰理论处理

分子科学学报 1983年第4期 33-38页

作者：严继民中国科学院化学研究所

分子晶体的结构具有两个层次,一是同一分子内各原子的相互作用,它较强;另一是晶体内各分子间原子的相互作用,它较弱.本文将后一种相互作用作为前一种相互作用的微扰,提出分子晶体电子能带的微扰理论处理.

关键词：分子晶体电子能带微扰理论

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

聚吡咯的电子能带结构

化学学报 1986年第11期44卷 1081-1086页

作者：严继民张普文中国科学院化学研究所中国科学院化学研究所北京

本文用EHMO方法计算了类苯型、类等键长型及类醌型等聚吡咯的电子能带.分析了原子电荷分布及价带、导带与能隙的宽度,并由此探讨了聚吡咯可能的导电机理.

关键词：电子能带双聚体单体聚吡咯电荷分布电性结构单元极化子能带结构电子能态 EHMO

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

对称性与电子能带

成都大学学报（自然科学版） 1994年第3期13卷 46-52页

作者：刘鸿成都大学数理系

本文从对称性角度简明地论述了完整晶体中电子能带理论的基本内容．

关键词：对称性电子态能带论电子能带

TTF-TCNQ分子晶体的电子能带——Peierls相变前后能带结构的变化

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

中国科学(B辑化学生物学农学医学地学) 1986年第3期 233-242页

作者：严继民张启元刘津琨中国科学院化学研究所中国科学院化学研究所北京

本文对TTF-TCNQ分子晶体的电子能带进行了计算。计算结果表明,TTF-TCNQ晶体能带的位置和宽度完全符合能带位置由孤立分子的分子轨道能级决定,能带宽度由相邻分子间分子轨道的相互作用决定。计算结果也表明,Peierls相交后二聚现象对能带... 详细信息

本文对TTF-TCNQ分子晶体的电子能带进行了计算。计算结果表明,TTF-TCNQ晶体能带的位置和宽度完全符合能带位置由孤立分子的分子轨道能级决定,能带宽度由相邻分子间分子轨道的相互作用决定。计算结果也表明,Peierls相交后二聚现象对能带宽度产生了显著的影响,它使TTF和TCNQ两个分子柱各自能带宽度都剧烈变狭。根据Frhlich和Sewell所给出的载流子迁移率与能带宽度的关系,能够较满意地解释TTF-TCNQ在Peierls相变前后所发生的电导率的剧变。

关键词：分子晶体 TTF-TCNQ Peierls 电子能带能带结构电子能态

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

钙钛矿型氧化物电子能带结构计算方法比较

徐州工程学院学报(社会科学版) 2007年第6期 81-85页

作者：潘红亮王月花张文涛蔡孟秋中国矿业大学湖南大学

论述了钙钛矿型氧化物电子能带结构的几种常用计算方法:即赝势方法、线性缀加平面波方法(LAPW)、全电势LAPW方法(FLAPW)和线性化Muffin-tin轨道方法(LMTO)等,并采用赝势方法计算了BaTiO3材料的电子能带结构和光学性质,且将计算所得结果... 详细信息

论述了钙钛矿型氧化物电子能带结构的几种常用计算方法:即赝势方法、线性缀加平面波方法(LAPW)、全电势LAPW方法(FLAPW)和线性化Muffin-tin轨道方法(LMTO)等,并采用赝势方法计算了BaTiO3材料的电子能带结构和光学性质,且将计算所得结果与FLAPW方法、TB-LMTO方法及其它方法的计算结果进行比较,发现这些能带计算方法有着各自的优缺点,但总体来说赝势方法和FLAPW方法是目前基于密度泛函理论(DFT)中计算能带结构较为准确的第一性原理计算方法.

关键词：钙钛矿型氧化物电子能带赝势方法全电势线性缀加平面波方法