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文献类型

  • 24 篇 期刊文献
  • 4 篇 学位论文

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  • 28 篇 电子文献
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    • 1 篇 化学工程与技术
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主题

  • 28 篇 电子电流
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  • 2 篇 中子管
  • 2 篇 离子
  • 2 篇 半导体二极管
  • 2 篇 外加电压
  • 2 篇 二次电子
  • 2 篇 晶体管
  • 2 篇 多孔型阳极氧化铝
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  • 1 篇 电流调谐
  • 1 篇 自动跟踪装置
  • 1 篇 载流子迁移
  • 1 篇 杂质离子
  • 1 篇 捕获
  • 1 篇 理论分析

机构

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  • 3 篇 吉林大学
  • 1 篇 中国科学院电子学...
  • 1 篇 福州大学
  • 1 篇 北京大学
  • 1 篇 苏州大学
  • 1 篇 华中工学院
  • 1 篇 北京机床所精密机...
  • 1 篇 中国科学院自动化...
  • 1 篇 复旦大学
  • 1 篇 天津大学
  • 1 篇 江苏海洋大学
  • 1 篇 成都理工大学
  • 1 篇 哈尔滨工业大学
  • 1 篇 七一八厂
  • 1 篇 电子科技大学
  • 1 篇 内蒙古医学院

作者

  • 2 篇 宋晔
  • 2 篇 金斗英
  • 2 篇 戚卫星
  • 2 篇 朱绪飞
  • 1 篇 李浦生
  • 1 篇 王兆永
  • 1 篇 夏于乔
  • 1 篇 王建球
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  • 1 篇 奚大顺
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  • 1 篇 徐恭清
  • 1 篇 刘鸿辉
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  • 1 篇 甄郅卓
  • 1 篇 苏荫权
  • 1 篇 朱庆颐
  • 1 篇 曹晓宁
  • 1 篇 章倩苓

语言

  • 28 篇 中文
检索条件"主题词=电子电流"
28 条 记 录,以下是21-30 订阅
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干电池正极粉料的动力学
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电池 1978年 第2期 1-11页
作者: 平井竹次 福田雅太郎
1·绪言构成干电池正极的所谓粉料,占干电池内部体积的大部份。它是由二氧化锰粉末与炭粉的混合物组成的,形成一个厚的多孔体。用对碱有缓冲能力的 NH4Cl——ZnCl2—H2O 三组份体系电解液,作为浸渗液对它进行浸渗。对不同的粉料组成及... 详细信息
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CAP型固体钽电容器漏电及击穿特性的改善
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电子元件与材料 1984年 第2期 25-30页
作者: 张声飞 七一八厂
一、前言 以环氧树脂进行包封的CAP型固体钽电容器性能优良、体积小、容量大,其形状可根据多种电子仪表及设备的安装工艺要求进行设计,因而受到广大用户的欢迎。随着
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谈谈工业静电
收藏 引用
江苏电机工程 1990年 第1期9卷 61-64,39页
作者: 李林玉 苏州大学物理系
本文结合近年来工业静电研究中体会,扼要地介绍了静电在工业中主要危害,並提出静电(泄漏)电阻、静电电容不同于动电(欧姆)电阻、平板电容;静电现象中存在电子电流、静电动态电流、位移电流的概念和初步论述了静电接地和消静电的主要方法... 详细信息
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钛抽气机及其性能的测定
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北京大学学报(自然科学版) 1962年 第2期 194-198页
作者: 刘鸿辉 张兆祥
一、引言 随着电真空工业以及其他各个科学技术部门的发展,人们对于高真空技术的要求越来越高了。为了要把庞大容器的压强降到非常低(p<10;mmHg),就要求抽气机具有很高的吸气速率和很低的极限压强。钛抽气机在满足上述要求上此起其他类... 详细信息
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晶体管(下)
收藏 引用
电子制作 2010年 第12期18卷 58-62页
作者: 奚大顺 余小平 成都理工大学
场效应管(FET)因为通过它的电流只能是空穴电流电子电流的一种,故又称为单极性器件。又因为流经该器件的电流受控于外加电压所形成的电场,故称为场效应管。
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绝缘与介电材料
收藏 引用
电子科技文摘 1999年 第10期 7-8页
Y98-61452-1 9914782绝缘体中的电荷迁移和捕获:表面效应和体效应=Charge motion and trappling in insulators:surface andbulk effects[会,英]/Wintle,H.J.//1998 IEEE Inter-national Symposium on Electrical Insulation.Vol.1.—1... 详细信息
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电光日射仪
收藏 引用
气象科技 1979年 第6期 64-64页
贵州盘县特区气象站研制了一种日射自动记录仪器——电光日射仪,可用于测量天空水平总辐射、太阳直射、天空背景散射等。此仪器主要由探测器、电子电流差计、电子积算器与累时器、自动跟踪装置和电源等组成。探测器采用硒光电池。硒光... 详细信息
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半导体二极管
收藏 引用
电子科技文摘 1999年 第4期 31-31页
Y98-61380-312 99044904H-SiCP^+N 和6H-SiC 肖特基二极管的静态与动态特性=Static and dynamic characteristics of 4H-SiC P^+Nand 6H-SiC Schottky diodes[会,英]/Tolkkinen,L.E.& Ramalingam,M.L.//1997 IEEE 32nd
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