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文献类型

  • 4 篇 期刊文献
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馆藏范围

  • 5 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

  • 5 篇 工学
    • 4 篇 材料科学与工程(可...
    • 1 篇 机械工程
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主题

  • 5 篇 电子浴
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  • 1 篇 ain薄膜
  • 1 篇 光波浴
  • 1 篇 淋浴房
  • 1 篇 离子镀

机构

  • 4 篇 太原理工大学
  • 2 篇 上海交通大学
  • 1 篇 西安交通大学

作者

  • 4 篇 潘俊德
  • 4 篇 田林海
  • 4 篇 莘海维
  • 4 篇 贺琦
  • 1 篇 赵晋香
  • 1 篇 彭盛果
  • 1 篇 何家文

语言

  • 5 篇 中文
检索条件"主题词=电子浴"
5 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
工艺参数对电子浴辅助阴极电弧源法合成AlN薄膜的影响
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中国有色金属学报 2001年 第2期11卷 240-243页
作者: 潘俊德 田林海 莘海维 贺琦 太原理工大学表面工程研究所 太原030024 上海交通大学材料科学与工程学院 上海200030
介绍了一种应用电子浴辅助阴极电弧源法合成AlN薄膜的新方法 ,研究了N2 流量、阴极偏压、工作气压等工艺参数对合成AlN薄膜质量的影响规律。结果表明 ,随N2 流量的增加 ,AlN薄膜的质量得以提高 ,当N2 流量达到 30mL·min-1时 ,可合成较... 详细信息
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
电子浴辅助阴极电弧源法合成AlN薄膜影响因素研究
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热加工工艺 2000年 第6期29卷 34-35,64页
作者: 潘俊德 田林海 莘海维 贺琦 太原理工大学表面工程研究所 山西太原030024
研究了 N2 流量、阴极偏压、工作气压等工艺参数对电子浴辅助阴极电弧源法合成 Al N薄膜质量的影响规律及其原因。
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电子浴辅助阴极电弧源法合成AlN薄膜机理初探
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热加工工艺 2001年 第1期30卷 5-6页
作者: 潘俊德 田林海 莘海维 贺琦 赵晋香 太原理工大学表面工程研究所 山西太原030024
研究了电子浴辅助阴极电弧源法合成 Al N薄膜的形核生长过程 。
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电子浴辅助阴极电弧源法合成AlN薄膜工艺参数的研究
电子浴辅助阴极电弧源法合成AlN薄膜工艺参数的研究
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2000年中国材料研讨会
作者: 田林海 潘俊德 莘海维 贺琦 何家文 太原理工大学表面工程研究所 上海交通大学微电子研究所 西安交通大学材料科学与工程学院
本文研究了应用电子浴辅助阴极电弧源法合成AlN薄膜过程中N流量、阴极偏压和基体温度等工艺参数与合成AlN薄膜成分和结构的关系。结果表明,随N含量的增加,合成的AlN薄膜的纯度增加,当N流量达到30×10L/min时,可合成高质量的AlN薄膜;阴... 详细信息
来源: cnki会议 评论
随心所“”乐在其中——整体室、电脑房创造卫新时代
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现代家电 1999年 第6期 36-38页
作者: 彭盛果
家居设计、时装和汽车制造被公认为代表世界流行趋势的最前沿。近几年来,简约现代的风格大行其道,家居设计便通过其特有的表现形式向人们展示这种设计风格。积极倡导“卫文化”的现代人类提出来了“室革命”的口号。 在旧的传统观念... 详细信息
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