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一维周期调制磁场中二维电子气的热学输运特性

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上海交通大学学报 1997年第1期31卷 4-9页

作者：李铜忠顾世洧上海交通大学应用物理系上海

在线性响应理论的框架内讨论了一维调制磁场中二维电子气的热电系数Ｓμυ，热传导系数κμυ及热阻系数（κ－１）μυ等热力学输运特性．结果表明，由于磁场调制部分的存在，使二维电子气的热力学输运系数中除了通常的ＳｄＨ振荡特性... 详细信息

在线性响应理论的框架内讨论了一维调制磁场中二维电子气的热电系数Ｓμυ，热传导系数κμυ及热阻系数（κ－１）μυ等热力学输运特性．结果表明，由于磁场调制部分的存在，使二维电子气的热力学输运系数中除了通常的ＳｄＨ振荡特性外，还表现出与磁场调制周期相关的新的振荡特性，即Ｗｅｉｓ振荡．在Ｔ＝１，２Ｋ，各量均表现出两种振荡特性；Ｂ０＜０．２Ｔ时，ＳｄＨ振荡分辨不出来，只有Ｗｅｉｓ振荡；Ｂ０＞０．２Ｔ，ＳｄＨ振荡开始出现．在Ｔ＝４，１０Ｋ条件下，各量的ＳｄＨ振荡成分几乎完全消失，只剩下Ｗｅｉｓ振荡．二维电子气的热力学输运系数（κμυ，（κ－１）μυ）中的Ｗｅｉｓ振荡振幅比电学输运系数（σμυ，ρμυ）对温度的依赖性更强．

关键词：电子气调制磁场热力学输运系数

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电子气的化学势随温度的变化

大学物理 1995年第1期 18-19+17页

作者：张巨元杨景海四平师范学院物理系

本文较为详细地计算了低维电子气的化学势随温度的变化关系，结果表明低维电子气的化学势随温度的变化关系和三维电子气是不同的。

关键词：电子气化学势半经典近似

赝形In_xGa_(1-x)As/In_(0.52)Al_(0.48)As异质结构中二维电子气的回旋共振光谱研究

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物理学报 1998年第6期47卷 1018-1025页

作者：陈张海胡灿明陈建新史国良刘普霖沈学础李爱珍中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室

采用回旋共振光谱方法，同时获得了具有较高电子气浓度的赝形Ｉｎ０８０Ｇａ０２０Ａｓ／Ｉｎ０５３Ｇａ０４７Ａｓ／Ｉｎ０５２Ａｌ０４８ＡｓＨＥＭＴ结构中最低两个子能带的费密面附近电子有效质量、散射时间和迁移率．... 详细信息

采用回旋共振光谱方法，同时获得了具有较高电子气浓度的赝形Ｉｎ０８０Ｇａ０２０Ａｓ／Ｉｎ０５３Ｇａ０４７Ａｓ／Ｉｎ０５２Ａｌ０４８ＡｓＨＥＭＴ结构中最低两个子能带的费密面附近电子有效质量、散射时间和迁移率．观察到该系统中能带非抛物性和波函数穿透所导致的电子回旋有效质量的显著增大效应。

关键词：铟镓砷铟铝砷电子气异质结构回旋共振光谱

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三维紧束缚电子气的等离激元理论

物理学报 1991年第7期40卷 1149-1156页

作者：王晓蔡建华南京大学物理系上海交通大学应用物理系上海200030

本文采用紧束缚近似方法计算了三维电子气系统的集体激发行为。在简单立方、体心立方、面心立方三种结构情形下,提出了一种矩阵表述方法,通过引入矩阵密度关联函数,在无规周相近似(RPA)下有效地处理了系统的等离激元问题。

关键词：紧束缚模型电子气等离激元

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周期调制磁场中二维电子气的电学特性

上海交通大学学报 1996年第3期30卷 26-33页

作者：李铜忠顾世洧上海交通大学应用物理系上海

讨论了一般形式的弱周期调制磁场中二维电子气的电学特性．调制磁场消除了朗道能级的简并性，使之成为朗道子能带，从而导致磁致电阻的Ｗｅｉｓｓ振荡．结果表明：在纵向电阻ρｘｘ（及△ρｘｘ）和横向电阻ρｙｙ（及△ρｙｙ）中的Ｗ... 详细信息

讨论了一般形式的弱周期调制磁场中二维电子气的电学特性．调制磁场消除了朗道能级的简并性，使之成为朗道子能带，从而导致磁致电阻的Ｗｅｉｓｓ振荡．结果表明：在纵向电阻ρｘｘ（及△ρｘｘ）和横向电阻ρｙｙ（及△ρｙｙ）中的Ｗｅｉｓｓ振荡位相是相反的，而霍尔电阻△ρｘｙ与△ρｘｘ的位相相同．△ρｘｘ的振幅远大于△ρｙｙ及△ρｘｙ的振幅．在较强磁场下，调制磁场的高阶Ｆｏｕｒｉｅｒ分量的贡献很明显；而弱磁场中，高阶Ｆｏｕｒｉｅｒ分量的贡献可以忽略．

关键词：电子气磁致电阻 Weiss振荡磁场电学特性

Siδ掺杂Al＿xGa＿（1─x）As／GaAs异质结二维电子气的SdH振荡研究

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物理学报 1994年第2期43卷 281-288页

作者：韦亚一沈金熙郑国珍郭少令汤定元彭正夫张允强中国科学院上海技术物理研究所南京电子器件研究所

使用分子束外延方法生长了一种新的基于Ｓｉδ掺杂的ＡｌｘＧａ＿１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结，测量了０．３－３０Ｋ低温下异质结处二维电子气的横向磁阻、迁移率和Ｈａｌｌ电阻，磁阻的Ｓｈｕｂｎｉ－ｋｏｖ－ｄｅＨａｓｓ（ＳｄＨ）... 详细信息

使用分子束外延方法生长了一种新的基于Ｓｉδ掺杂的ＡｌｘＧａ＿１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结，测量了０．３－３０Ｋ低温下异质结处二维电子气的横向磁阻、迁移率和Ｈａｌｌ电阻，磁阻的Ｓｈｕｂｎｉ－ｋｏｖ－ｄｅＨａｓｓ（ＳｄＨ）振荡非常明显。对振荡曲线作快速Ｆｏｕｒｉｅｒ变换分析，获得了二维电子气中每一子能带上占据的电子数密度和有效质量（ｍ＿０／ｍ＿０＝０．０７３，ｍ＿１／ｍ＿０＝０．０６８）．随温度降低，子带上占据的电子增多，实验中发现：当样品温度为０．３Ｋ，横向磁场从０到７Ｔ扫描时，磁阻振荡出现间歇性的反常峰，磁阻振幅陡然增大５－６倍。

关键词： δ掺杂异质结振荡磁阻电子气

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校正电子相关能的改进电子气法

科学通报 1993年第17期38卷 1569-1571页

作者：吴国是杨晓梅清华大学化学系北京100084

近20年来,作为计算量子化学主流的从头算法在预测分子几何构型和单电子性质上取得了令人信服的成功,但在能量结果上却尚差强人意。原因是分子轨道理论过分强调了电子运动的独立性而未能准确描述其相关性,导致自洽场从头算总是高估电子... 详细信息

近20年来,作为计算量子化学主流的从头算法在预测分子几何构型和单电子性质上取得了令人信服的成功,但在能量结果上却尚差强人意。原因是分子轨道理论过分强调了电子运动的独立性而未能准确描述其相关性,导致自洽场从头算总是高估电子间的排斥能。分子精确非相对论能量与从头算给出的Hartree-Fock(以下简称H-F)能量之差称为电子相关能。后者在总能量中占的份额虽然不大(0.3—1％)。

关键词：量子化学电子气电子相关能

改进电子气法校正电子相关能中的梯度修正和自旋平行相关问题

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科学通报 1995年第16期40卷 1472-1475页

作者：杨晓梅吴国是清华大学化学系北京100084

文献[1]中,在局域密度泛函近似(LDA)的基础上,通过自相关校正(SIC)和自旋平行相关扣除(SPCC),我们提出了估算多电子体系电子相关能的改进电子气方案(MEGA),对大多数中性原子、分子体系给出了相当准确的电子相关能,相对误差分别在5%,10%... 详细信息

文献[1]中,在局域密度泛函近似(LDA)的基础上,通过自相关校正(SIC)和自旋平行相关扣除(SPCC),我们提出了估算多电子体系电子相关能的改进电子气方案(MEGA),对大多数中性原子、分子体系给出了相当准确的电子相关能,相对误差分别在5%,10%以内.但尚有一些不足之处.由于视Hartree-Fock(HF)极限能量包含全部自旋平行电子间的相关能,MEGA过多地进行了自旋平行相关扣除;同时因没有考虑实际体系电子密度的“非均匀性”造成的梯度效应,LDA(即零级梯度近似)又高估了相关能.对大多数中性原子和分子。

关键词：自旋平行样关 LDA 电子气梯度修正电子相关能

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用改进电子气法校正分子的电子相关能

科学通报 1995年第4期40卷 318-320页

作者：吴国是杨晓梅清华大学化学系北京100084

电子相关校正是提高计算量子化学的定量化水平的关键.为探索一种计算量小、可适用于组态相互作用(CI)或多体微扰(MP)法无法处理的大分子体系的电子相关校正新途径,作者在前文中提出了一种基于局域密度近似(LDA)的改进电子气处理方案(MEG... 详细信息

电子相关校正是提高计算量子化学的定量化水平的关键.为探索一种计算量小、可适用于组态相互作用(CI)或多体微扰(MP)法无法处理的大分子体系的电子相关校正新途径,作者在前文中提出了一种基于局域密度近似(LDA)的改进电子气处理方案(MEGA),经原子体系大量算例的检验表明:它比较成功地克服了传统的(由无限个电子构成的)均匀电子气模型用于仅包含有限个电子、密度非均匀的实际体系时面临的主要障碍.对于总电子数N≥7的基态原子,相关能校正的精度达到95%以上,其计算量仅约正比于N^2～N^3而不是CI或MP处理的N^6～N^8.看来是颇有发展前途的处理方案.然而,MEGA模型对分子体系的适用性尚需进一步检验.本文简要报道有关研究的最近进展.

关键词：量子化学电子气从头计算分子电子相关能