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学科分类号

  • 3 篇 工学
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    • 1 篇 仪器科学与技术
    • 1 篇 材料科学与工程（可...
    • 1 篇 动力工程及工程热...
    • 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 3 篇 电子束诱生电流
  • 2 篇 晶界
  • 2 篇 铸造多晶硅
  • 1 篇 电子束背散射衍射
  • 1 篇 肖特基结
  • 1 篇 p-n结
  • 1 篇 insb半导体器件

机构

  • 3 篇 浙江大学
  • 1 篇 昆明物理研究所
  • 1 篇 国立物质材料研究...

作者

  • 2 篇 陈君
  • 2 篇 席珍强
  • 2 篇 杨德仁
  • 1 篇 余黎静
  • 1 篇 柴圆媛
  • 1 篇 宋欣波
  • 1 篇 信思树
  • 1 篇 关口隆史
  • 1 篇 太云见
  • 1 篇 尚发兰
  • 1 篇 阙端麟
  • 1 篇 龚晓霞
  • 1 篇 高思伟
  • 1 篇 孙祥乐
  • 1 篇 毛渲

语言

  • 3 篇 中文
检索条件"主题词=电子束诱生电流"
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铸造多晶硅晶界的EBSD和EBIC研究
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太阳能学报 2006年 第4期27卷 364-368页
作者： 陈君 杨德仁 席珍强 浙江大学硅材料国家重点实验室 杭州310027
利用电子背散射衍射(electron back-scattered diffraction,EBSD)和电子束诱生电流(electron beam induced cur-rent,EBIC)技术对铸造多晶硅的晶界类型和晶界复合特性进行了研究。EBSD分析显示铸造多晶硅中的大部分晶界为大角度晶界(tθ... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
用EBIC法观察InSb半导体器件中的p-n结
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红外技术 2019年 第8期41卷 742-749页
作者： 孙祥乐 高思伟 毛渲 龚晓霞 余黎静 宋欣波 柴圆媛 尚发兰 信思树 太云见 昆明物理研究所 云南昆明650223 浙江大学硅材料国家重点实验室 浙江杭州310027
能够直观地“看到”半导体材料中制作的p-n结,对于半导体器件的设计和制造工艺很有意义,知道p-n结的厚度及其在样品中的位置,有利于设计器件的结构、保护膜的厚度、电极的尺寸等,也可以优化离子注入、表面处理、电路互联等工艺参数。本... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
定向凝固铸造多晶硅材料的EBIC研究
定向凝固铸造多晶硅材料的EBIC研究
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2003年中国太阳能学会学术年会
作者： 陈君 杨德仁 席珍强 阙端麟 关口隆史 浙江大学硅材料国家重点实验室 浙江大学硅材料国家重点实验室 浙江大学硅材料国家重点实验室 浙江大学硅材料国家重点实验室 国立物质材料研究所纳米电子光学材料实验室
本文利用电子束诱生电流（EBIC）对定向凝固生长铸造多晶硅中缺陷的电学性能进行了分析。EBIC结果显示铸造多晶硅中晶界和位错的复合特性与晶锭的凝固位置有关。室温下,晶锭中部样品中的晶界没有明显的EBIC衬度,而在100K时晶界和晶内缺... 详细信息
来源： cnki会议 评论
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