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电子封装材料表面化学制备高导电率聚吡咯薄膜的研究

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功能材料 2006年第7期37卷 1051-1053页

作者：沈腊珍胡明古美良天津大学电子信息工程学院天津300072

研究了在环氧树脂塑料封装材料表面制备导电聚吡咯(PPy)薄膜的化学聚合方法,分析了影响聚吡咯薄膜微观形貌、附着力及电导率的因素。用四探针法测聚吡咯薄膜的电导率,并用扫描电子显微镜(SEM)、红外光谱(IR)、X射线光电子能谱(XPS)进行... 详细信息

研究了在环氧树脂塑料封装材料表面制备导电聚吡咯(PPy)薄膜的化学聚合方法,分析了影响聚吡咯薄膜微观形貌、附着力及电导率的因素。用四探针法测聚吡咯薄膜的电导率,并用扫描电子显微镜(SEM)、红外光谱(IR)、X射线光电子能谱(XPS)进行了表征。通过对电子封装材料的表面预处理与改性,制得了附着性好、均匀连续的聚吡咯薄膜,经掺杂电导率达到了45.10S/cm。

关键词：聚吡咯薄膜电子封装材料化学聚合

高硅铝合金电子封装材料的制备及3D打印工艺研究

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高硅铝合金电子封装材料的制备及3D打印工艺研究

作者：程元光盐城工学院

学位级别：硕士

高硅铝合金材料具有较低的密度、较低的热膨胀系数和较高的热导率,是一种轻型、环保的电子封装材料。随着现代科技的发展,对电子封装材料的要求趋向于高质量化、高复杂化和微小型化,传统的制备工艺已经无法满足当前电子封装材料的使用... 详细信息

高硅铝合金材料具有较低的密度、较低的热膨胀系数和较高的热导率,是一种轻型、环保的电子封装材料。随着现代科技的发展,对电子封装材料的要求趋向于高质量化、高复杂化和微小型化,传统的制备工艺已经无法满足当前电子封装材料的使用要求。而选区激光熔化(SLM)技术不仅解决了传统制备工艺难以加工复杂零部件的问题,还解决了传统制备工艺难以控制等问题。但是,通过SLM技术制备高硅铝合金电子封装材料起步较晚,对SLM技术工艺的研究尚不成熟。因此,本文选用Al-50Si合金粉末作为选区激光熔化技术的原材料,对SLM关键工艺参数进行系统分析,探讨SLM技术工艺对高硅铝合金材料的影响规律。在Al-50Si合金粉末中加入适量Si粉末,通过机械合金化技术制备Al-60Si合金粉末,通过SLM制备Al-60Si合金试样。具体研究内容如下:通过选区激光熔化技术制备了Al-50Si合金试样,并研究了激光功率和激光扫描速度工艺参数对试样致密度和硬度的影响规律。随着激光扫描速度的增大(1200-2000mm/s内),试样的致密度和硬度都呈现出增大的趋势。激光功率在290-350W内,对试样的致密度和硬度影响较小。当激光功率为290W(激光扫描速度为2000mm/s,扫描间距为0.09mm)时,合金致密度可达98.13%,硬度为160.96HV。在相同激光功率下,当扫描速度下降到1200mm/s时,合金试样致密度最低,为94.34%,硬度为147.42HV。以Al-50Si粉末和Si粉为原材料通过机械合金化技术制备Al-60Si合金粉末。通过正交实验对机械合金化技术的主要工艺参数进行研究,制备了Al-60Si合金粉末。通过结果分析,在选用的机械合金化工艺参数中,球磨转速是影响粉末粒度的主要影响因素。在球磨转速为180r/min(球磨时间为14h,球料比为5:1)时,Al-60Si粉末中粒径为17.651μm,且粉末分布均匀,可用于SLM技术成形Al-60Si合金。以机械合金化技术工艺参数优化后的Al-60Si粉末为选区激光熔化技术的原材料,通过SLM制备Al-60Si合金试样。研究了激光能量密度对Al-60Si合金成形性的影响。当激光能量密度降低到134.26J/mm时,Al-60Si合金试样致密度最高为95.74%,试样中除少量孔隙外,未发现其他缺陷。随着Si含量的提高,Al-60Si的热膨胀系数和热导率均降低,Al-50Si合金和Al-60Si合金的热膨胀系数实测值均高于理论模型预测值,材料的热导率实测值明显低于理论值,低膨胀系数、低热导率的Si含量增加降低了高硅铝合金的热膨胀系数和热导率,理论模型忽略了材料内部孔隙、增强相形貌等,因此热膨胀系数低于实测值,热导率高于实测值。

关键词：高硅铝合金电子封装材料选区激光熔化机械合金化球磨

钨粉化学镀铜对W/15Cu电子封装材料性能的影响

同方学位论文库评论

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稀有金属材料与工程 2007年第3期36卷 550-553页

作者：吴泓王志法姜国圣崔大田郑秋波中南大学材料科学与工程学院湖南长沙410083

采用化学镀铜的方法在钨粉中加入诱导铜,经压型,熔渗后制成W/15Cu合金。用扫描电镜研究了材料的显微结构,并测出合金样品的密度、气密性、热膨胀系数等物理性能,通过与传统工艺制备的W/15Cu合金的显微组织以及物理性能方面做比较,讨论... 详细信息

采用化学镀铜的方法在钨粉中加入诱导铜,经压型,熔渗后制成W/15Cu合金。用扫描电镜研究了材料的显微结构,并测出合金样品的密度、气密性、热膨胀系数等物理性能,通过与传统工艺制备的W/15Cu合金的显微组织以及物理性能方面做比较,讨论了钨粉化学镀铜对W/15Cu合金性能的影响。结果表明,钨粉化学镀铜对于提高钨生坯成形性能、改善钨铜复合材料的显微组织结构、提高材料物理性能方面都有很大作用。经过综合比较,镀铜含量以2%为宜。

关键词：化学镀铜 W/15Cu合金电子封装材料诱导铜熔渗

喷射沉积制备新型电子封装材料70％Si-Al的研究

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金属学报 2005年第12期41卷 1277-1279页

作者：王晓峰赵九洲田冲中国科学院金属研究所沈阳110016

采用喷射沉积技术制备了新型电子封装材料70％Si-Al合金,对其进行热等静压致密化处理后,测试了合金的主要性能．结果表明:喷射沉积70％Si-Al合金的密度低,组织细小均匀,各向同性,Si相粒子尺寸在10-20 μm之间且弥散分布．新型70％Si-A... 详细信息

采用喷射沉积技术制备了新型电子封装材料70％Si-Al合金,对其进行热等静压致密化处理后,测试了合金的主要性能．结果表明:喷射沉积70％Si-Al合金的密度低,组织细小均匀,各向同性,Si相粒子尺寸在10-20 μm之间且弥散分布．新型70％Si-Al合金具有与Si和GaAs等半导体材料相近的热膨胀系数,热稳定性好,经热等静压后合金的性能进一步提高．喷射沉积70％Si-Al合金具有良好的机械加工性能,可以用作功率芯片、微波电子器件、集成电路块等的封装材料．

关键词： 70%Si-Al合金电子封装材料喷射沉积热等静压热膨胀

退火温度对轧制复合Cu/Mo/Cu电子封装材料性能的影响

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金属热处理 2004年第5期29卷 17-20页

作者：王海山王志法姜国圣肖学章莫文剑中南大学材料科学与工程学院湖南长沙410083

研究了不同退火温度对轧制复合Cu/Mo/Cu电子封装材料性能的影响。结果表明退火温度对复合材料的剪切强度、轧向导电能力和厚度方向导热能力有显著影响 ,退火温度为 85 0℃时 ,Cu/Mo/Cu电子封装材料的综合性能最好。

关键词：电子封装材料 Cu/Mo/Cu 轧制复合退火温发任一芭

放电等离子烧结制备高导热SiC_P/Al电子封装材料

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复合材料学报 2010年第1期27卷 57-61页

作者：尹法章郭宏贾成厂张习敏张永忠北京有色金属研究总院国家有色金属复合材料工程技术研究中心北京100088 北京科技大学材料科学与工程学院北京100083

为了满足电子封装材料越来越高的性能要求,采用放电等离子烧结(SPS)工艺制备了SiCP/Al复合材料。研究了烧结温度和保温时间等工艺条件对SiCP/Al复合材料组织形貌和性能的影响。结果表明:采用SPS烧结,温度为700℃、保温时间为5 min时,所... 详细信息

为了满足电子封装材料越来越高的性能要求,采用放电等离子烧结(SPS)工艺制备了SiCP/Al复合材料。研究了烧结温度和保温时间等工艺条件对SiCP/Al复合材料组织形貌和性能的影响。结果表明:采用SPS烧结,温度为700℃、保温时间为5 min时,所制备的70 vol%SiCP/Al复合材料热导率达到195.5 W(m.K)-1,与传统15%W-Cu合金相当,是Kovar合金的10倍,但密度小,仅为3.0 g.cm-3;其热膨胀系数为6.8×10-6K-1,与基板材料热膨胀系数接近;抗弯强度为410 MPa,抗拉强度为190 MPa,达到了电子封装材料对热学性能和力学性能的要求。

关键词：电子封装材料放电等离子烧结热导率

Al_2O_3陶瓷基片电子封装材料研究进展

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中国有色金属学报 2011年第8期21卷 1893-1903页

作者：刘兵彭超群王日初王小锋李婷婷王志勇中南大学材料科学与工程学院长沙410083

总结微电子封装技术对封装基片材料性能的要求,介绍Al2O3的多晶转变和典型性能,讨论超细Al2O3粉体的3种制备方法:固相法、气相法和液相法;分析Al2O3陶瓷常用烧结助剂的基本作用和Al2O3陶瓷常用的6种烧结方法:常压烧结法、热压烧结法、... 详细信息

总结微电子封装技术对封装基片材料性能的要求,介绍Al2O3的多晶转变和典型性能,讨论超细Al2O3粉体的3种制备方法:固相法、气相法和液相法;分析Al2O3陶瓷常用烧结助剂的基本作用和Al2O3陶瓷常用的6种烧结方法:常压烧结法、热压烧结法、热等静压烧结法、微波加热烧结法、微波等离子烧结法和放电等离子烧结法;指出Al2O3陶瓷基片的发展方向。

关键词：电子封装材料 Al2O3陶瓷超细粉体烧结助剂烧结方法

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电子封装材料的研究现状及发展

热加工工艺 2011年第4期40卷 84-87页

作者：方明王爱琴谢敬佩王文焱河南科技大学材料学院河南洛阳471003

根据电子封装材料的特点及要求,介绍了几种封装材料,详细地阐述了金属基复合封装材料的性能特点、制备方法、应用背景及存在的问题。并展望了电子封装材料的发展前景。

关键词：电子封装材料金属基复合材料

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硅含量对硅铝合金电子封装材料性能的影响

电子与封装 2022年第12期22卷 17-22页

作者：李海军宗福春胡增武李云飞彭文佳齐敬河北新立中有色金属集团有限公司河北保定071100

以热等静压方法成形的AlSi12、AlSi27、AlSi35、AlSi42、AlSi50、AlSi60、AlSi70、AlSi80系列的硅铝合金电子封装材料为研究对象,对Si含量对材料的金相组织、热物理性能、力学性能等的影响进行分析评估。结果发现,随着Si含量的增加,合... 详细信息

以热等静压方法成形的AlSi12、AlSi27、AlSi35、AlSi42、AlSi50、AlSi60、AlSi70、AlSi80系列的硅铝合金电子封装材料为研究对象,对Si含量对材料的金相组织、热物理性能、力学性能等的影响进行分析评估。结果发现,随着Si含量的增加,合金材料的密度、热导率、热膨胀系数(CTE)、断后伸长率降低,刚度、硬度提高;当Si的质量分数不大于60%时,随着Si含量的增加,材料强度提高,Si颗粒由点状或蠕虫状变为球状或片状,且分布均匀、独立。当Si的质量分数大于60%时,材料强度降低,Si颗粒逐渐连接成骨架基体。

关键词：硅铝合金电子封装材料物理性能力学性能金相组织