检索结果-南通市图书馆

维普期刊数据库

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

知名生产商电压基准源参数精选

电子质量 2002年第6期 134-135页

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

带隙型集成电压基准源的应用

现代电子技术 1995年第2期18卷 20-22页

作者：李平西安大学机电系

详细介绍了ＡＤ５８Ｘ系列带隙型电压基准源工作原理及有关参数定义，并以ＡＤ５８１和ＡＤ５８４为例，阐述基准源在Ａ／Ｄ转换、Ｄ／Ａ转换和高精度大电流源方面的应用。

关键词：模-数转换器电压基准源数-模转换器

维普期刊数据库

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

电压基准源的选择

电子设计技术 2001年第10期 70-70页

作者： Mark Pearson Maxim集成产品公司

大部多数字电路、混合信号和模拟电路需要使用电压基准源,因此了解基准电压的参数、不同类型基准源的特点和选择方法,对于系统设计是一个颇为重要的因素。本文比较了齐纳二极管、隐埋齐纳二极管和带隙电

关键词：电压基准源

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

精密的15ppm／℃电压基准源

电子产品世界 2004年第05B期11卷 15-15页

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

几个带“最”字的电压基准源IC

世界电子元器件 2002年第3期 30-30页

作者：戴维德

这里介绍Linear公司几个带“最”字的电压基准源集成电路。 1.最高精度的低压差电压基准源LT1461 LT1461-2.5输出电压2.5V。其主要特点:初始精度

关键词：电压基准源 IC 温度漂移

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

采用电阻补偿的高PSRR基准电压源设计

微电子学 2008年第2期38卷 192-196+200页

作者：刘珂杨海钢尹韬北京100039 中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室北京100080 中国科学院研究生院

与传统的带隙基准电路完全使用p-n结达到高次温度补偿不同,提出利用标准CMOS工艺下不同电阻的不同温度系数,实现温度的高次补偿,大大减小了电路的复杂性和功耗。同时,通过增加电源电压耦合电路,提高电源抑制比,并在输出级利用低压差电... 详细信息

与传统的带隙基准电路完全使用p-n结达到高次温度补偿不同,提出利用标准CMOS工艺下不同电阻的不同温度系数,实现温度的高次补偿,大大减小了电路的复杂性和功耗。同时,通过增加电源电压耦合电路,提高电源抑制比,并在输出级利用低压差电压DC转换电路,实现电压转换,提供可调的多种参考电压。该电路采用Chartered 0.35μm CMOS工艺实现,采用3.3 V电源电压,在-40~100℃范围内,达到低于6 ppm/℃的温度系数,在1 kHz和27℃下,电源抑制比达到82 dB。

关键词：带隙基准源电压基准源电源抑制比温度补偿

一种超低功耗高性能的亚阈值全CMOS基准电压源

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体技术 2016年第4期41卷 261-266页

作者：朱智勇段吉海邓进丽韦雪明赵洪飞桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室广西桂林541004

介绍了一种超低功耗、无片上电阻、无双极型晶体管（BJT）的基于亚阈值CMOS特性的基准电压源,该带隙基准源主要用于低功耗型专用集成电路（ASIC）。采用Oguey电流源结构来减小静态电流,以降低功耗。通过使用工作在线性区的MOS管代替传... 详细信息

介绍了一种超低功耗、无片上电阻、无双极型晶体管（BJT）的基于亚阈值CMOS特性的基准电压源,该带隙基准源主要用于低功耗型专用集成电路（ASIC）。采用Oguey电流源结构来减小静态电流,以降低功耗。通过使用工作在线性区的MOS管代替传统结构中的电阻消除迁移率和电流的温度影响,同时减小芯片面积;采用共源共栅电流镜以降低电源电压抑制比和电压调整率。电路基于SMIC 0.18μm CMOS工艺进行仿真。仿真结果表明,在-45~130℃内,温漂系数为29.1×10-6/℃,电源电压范围为0.8~3.3 V时,电压调整率为0.056%,在100 Hz时,电源电压抑制比为-53 d B。电路功耗仅为235 n W,芯片面积为0.01 mm2。

关键词：专用集成电路(ASIC) 超低功耗电压基准源亚阈值电源电压抑制比(PSRR) 共源共栅电流镜

维普期刊数据库

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

全CMOS基准电压源的设计与研究

全CMOS基准电压源的设计与研究

作者：陈迎乐河北大学

学位级别：硕士

随着CMOS工艺技术进入深亚微米时代,输出电压在1.2 V左右的传统带隙基准电压源已不再适合电源电压逐渐降低的集成电路,因此与标准CMOS工艺技术兼容的低压低功耗基准电压源电路设计成为模拟电路研究的主要课题之一。本文主要研究可在低... 详细信息

随着CMOS工艺技术进入深亚微米时代,输出电压在1.2 V左右的传统带隙基准电压源已不再适合电源电压逐渐降低的集成电路,因此与标准CMOS工艺技术兼容的低压低功耗基准电压源电路设计成为模拟电路研究的主要课题之一。本文主要研究可在低电源电压下工作,具有低功耗的全CMOS基准电压源电路。首先介绍了基准电压源的发展及国内外研究现状,给出了基准电压源的性能指标,分析了MOS晶体管阈值电压及其温度特性。确定电路主要架构后,分别对PTAT(Proportional to Absolute Temperature)模块、CTAT(Complementary to Absolute Temperature)模块及启动电路进行分析和比较,确定各模块使用的电路结构。我们主要利用阈值电压与载流子温度系数相互补偿的原理分别设计了低压低功耗、宽温度范围、低温度系数及多基准电压输出的四种CMOS基准电压源电路。对于每种电路均给出了详细的电路原理分析、相关电路公式及电路设计参数选择。并且基于TSMC 0.18μm标准CMOS工艺模型,利用HSPICE电路仿真工具,针对TT,SS和FF工艺角,对所设计的基准电压源电路进行了直流(DC)特性、交流(AC)特性和瞬态(TRAN)特性的仿真,四种电路中最低电源电压为0.7 V,最小温度系数为20 ppm／℃,最小功耗仅为4μW,电源电压调整率均在1%左右,高频电源抑制比在-60 dB左右。

关键词：电压基准源 CMOS 亚阈值 HSPICE

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

低温漂CMOS带隙基准电压源设计

低温漂CMOS带隙基准电压源设计

作者：杨见辉贵州大学

学位级别：硕士

带隙基准源是模拟、数字电路和混合信号电路中一个至关重要的部分,对于很多电路模块来说,都需要一个稳定的基准电压作为参考。随着科技不断进步,人们对带隙基准提出了更高的性能要求。本文提出了两种基准电压源,分别为全CMOS基准源和低... 详细信息

带隙基准源是模拟、数字电路和混合信号电路中一个至关重要的部分,对于很多电路模块来说,都需要一个稳定的基准电压作为参考。随着科技不断进步,人们对带隙基准提出了更高的性能要求。本文提出了两种基准电压源,分别为全CMOS基准源和低温漂带隙基准源。在第一款基准源结构中,利用偏置电路产生一个与绝对温度成正比（Proportional To Absolute Temperature,PTAT）电流,并将该电流引入NMOS管获得参考电压。因全CMOS基准源结构在温度系数、电源抑制比等方面不尽人意,进而提出低温漂带隙基准源。在第二种基准源结构中,为降低温度系数,先利用PTAT电流和一个与绝对温度成反比（Contrary To Absolute Temperature,CTAT）电流相加实现一阶温度补偿,再采用了I电流实现二阶温度补偿;为提高电源抑制比,核心电路采用Cascode结构,并且设计了一种负反馈预稳压电路模块作为缓冲级。为减小由生产工艺不匹配带来的线性误差,采用电阻修调网络修调。本次通过仿真平台Cadence Spectre基于TSMC 0.13μm的工艺对两款电路进行仿真验证。仿真结果表明,在-40℃～125℃温度范围内,在最优情况即TT工艺角下,第一款基准源输出电压为578.0mV,温度系数为20.97 ppm/℃,电源电压抑制比（Power Supply Rejection Ratio,PSRR）在100KHz处为-47.03dB,线性调整率为1.7%/V,功耗为2.45μA;第二款基准源的输出参考电压为470.66mV,最优情况下温度系数为2.51ppm/℃,经修调后全工艺角下温度系数可低于6ppm/℃,静态电流功耗仅为41.39μA,线性调整率为0.028%/V,低频电源抑制比可高达-97.02dB。该结构改善了第一款基准源电路结构的部分参数,虽然增加了少许功耗,但温度系数降低了7倍,低频电源抑制比提升了50dB,以及线性调整率降低了60倍,整体性能得到大幅度提升。

关键词： CMOS 电压基准源 IPTAT2电流补偿预稳压调节低温漂