检索结果-南通市图书馆

电子测量技术 2003年第3期26卷 6-7页

作者：杨振吉 92493部队

文中阐述电压基准器件的现状及应用情况,着重介绍如何提高电压基准的稳定度。

关键词：电压基准现状稳定度齐纳二极管

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10～3000MHz电压基准的研究

计量学报 2006年第4期27卷 297-303页

作者：甄真田伟阎景莲蒋志清侯立新中国计量科学研究院北京100013

论述了10～3000MHz电压基准的工作原理及特点，分析了不确定度。通过自行研制的电阻臂可变自动平衡电桥，建立了应用测热技术的射频电压自动校准系统。理论分析和实验表明：该基准装置在10～3000MHz频段内，0．1～2V量程中，不确定度为0... 详细信息

论述了10～3000MHz电压基准的工作原理及特点，分析了不确定度。通过自行研制的电阻臂可变自动平衡电桥，建立了应用测热技术的射频电压自动校准系统。理论分析和实验表明：该基准装置在10～3000MHz频段内，0．1～2V量程中，不确定度为0．25％～0．7％，置信概率为99．73％。

关键词：计量学电压基准测辐射热式电压标准电阻臂可变自平衡电桥双薄膜测热电阻射频座不确定度评定

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宽输入快速启动的高精度电压基准电路设计

西安电子科技大学学报 2008年第2期35卷 272-276页

作者：王辉王松林来新泉代国定郭宝龙西安电子科技大学机电工程学院陕西西安710071 西安电子科技大学电子工程学院陕西西安710071

采用BCD（bipolar CMOS DMOS）工艺,设计了一款不需调节且可快速启动的高精度电压基准电路.利用齐纳二极管的稳压特性,构成TTL BUFFER缓冲电路,使基准电路的输入电压变化范围在1 V左右,从而提高电压基准精度.运用MOS器件的自偏特性,迅... 详细信息

采用BCD（bipolar CMOS DMOS）工艺,设计了一款不需调节且可快速启动的高精度电压基准电路.利用齐纳二极管的稳压特性,构成TTL BUFFER缓冲电路,使基准电路的输入电压变化范围在1 V左右,从而提高电压基准精度.运用MOS器件的自偏特性,迅速给电压基准提供一个偏置,完成了整个电路的快速启动.该电路与基准电路结合后,当输入电压在6.3~14 V的范围内时,其基准电压摆动小于2 mV;启动时间为20μs左右.与同类电路相比,该电压基准输出摆动缩小了60%,启动时间缩短了40%.

关键词： bipolar CMOS DMOS(BCD) 电压基准快速启动

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基于CMOS阈值电压设计的电压基准源

电子技术应用 2023年第1期49卷 32-35页

作者：徐晴昊奚冬杰中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214035

基于TSMC 0.18μm标准CMOS工艺,提出了一种新型无电阻低温漂电压基准源。通过采用CMOS阈值电压(Vth)和与温度成正比的电压(VPTAT)作为基础线性温度单元加权求和的方式,消除了电压基准源输出中残留的非线性温度分量,最终得到高精度的电... 详细信息

基于TSMC 0.18μm标准CMOS工艺,提出了一种新型无电阻低温漂电压基准源。通过采用CMOS阈值电压(Vth)和与温度成正比的电压(VPTAT)作为基础线性温度单元加权求和的方式,消除了电压基准源输出中残留的非线性温度分量,最终得到高精度的电压基准输出。其中CMOS阈值电压由无电阻结构产生,VPTAT的产生和与CMOS阈值电压的加权求和由非对称差分运放完成。实测结果证明,在-55℃~125℃温度范围内,电压基准源输出为1.23 V,温度系数为4.5 ppm/℃。在无滤波电容的情况下,基准电源抑制比可达-93 dB。

关键词：电压基准阈值电压温度系数电源抑制比

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30 kHz^30 MHz电压基准研究

计量学报 2014年第6期35卷 528-533页

作者：何昭黄见明田伟中国计量科学研究院北京100029

中国计量科学研究院研制了30 kHz^30 MHz频率范围内基于同轴热电转换器的直流—交流电压转换器，并基于该转换器建立了该频段的低频电压基准装置。理论分析与实验验证结果表明：该基准装置在30 kHz^30 MHz频率范围内，0.1~100 V量程中... 详细信息

中国计量科学研究院研制了30 kHz^30 MHz频率范围内基于同轴热电转换器的直流—交流电压转换器，并基于该转换器建立了该频段的低频电压基准装置。理论分析与实验验证结果表明：该基准装置在30 kHz^30 MHz频率范围内，0.1~100 V量程中，不确定度为0.01%~0.1%（k=2），填补了现有国家电压计量基准装置在1~30 MHz频段范围内的空白。

关键词：计量学同轴热电转换器电压基准

一种适用于超高频标签芯片的低功耗电压基准电路

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固体电子学研究与进展 2021年第3期41卷 223-228页

作者：沈红伟赵东艳唐晓柯李德建冯曦北京智芯微电子科技有限公司北京100192

提出了一种适用于超高频无源电子标签芯片的低功耗电压基准电路。电路采用N+注入栅的PMOS管和亚阈值区温度补偿技术。芯片采用TSMC 0.18μm CMOS混合工艺流片。测试结果表明:该芯片可以在1.2~2.4 V的电源电压范围下工作,1.2 V电源电压... 详细信息

提出了一种适用于超高频无源电子标签芯片的低功耗电压基准电路。电路采用N+注入栅的PMOS管和亚阈值区温度补偿技术。芯片采用TSMC 0.18μm CMOS混合工艺流片。测试结果表明:该芯片可以在1.2~2.4 V的电源电压范围下工作,1.2 V电源电压下电压基准电路静态功耗为60 nW。电路面积为0.01 mm2,TT/FF/SS工艺角无校准条件下输出电压温度系数为75×10^(-6)/℃。

关键词：射频识别低功耗电压基准

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高稳定度电源电压基准研究

核电子学与探测技术 2003年第4期23卷 367-370页

作者：吴伟傅新华上海大学物理系上海200436

介绍了高稳定度电源对电压基准的要求,及电源的高稳定度与电压基准的关系,研究了电压基准在电压驱动器件和电流驱动器件情况下的线性问题,给出了实现高稳定度电压基准的两种方法。

关键词：高稳定度电源电压基准电压驱动器件电流驱动器件放大器漂移

一种新型的基于pMOS和nMOS阈值电压差的CMOS电压基准源(英文)

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Journal of Semiconductors 2007年第10期28卷 1546-1550页

作者：孔明郭健民张科李文宏复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

提出了一种新的纯MOS结构的基准电压源,它利用pMOS和nMOS的阈值电压差来抵消工艺偏差,提高了基准的精度.该电路经过Chartered0.35mm标准CMOS工艺成功流片,芯片面积为0.022mm2.测试结果表明:输出平均电压在室温下与仿真结果的绝对误差为6... 详细信息

提出了一种新的纯MOS结构的基准电压源,它利用pMOS和nMOS的阈值电压差来抵消工艺偏差,提高了基准的精度.该电路经过Chartered0.35mm标准CMOS工艺成功流片,芯片面积为0.022mm2.测试结果表明:输出平均电压在室温下与仿真结果的绝对误差为6mV,在0～100℃范围内温度系数为180ppm/℃,电源调整率为±1.1%.该基准应用于自适应功率管驱动器中.

关键词：纯MOS结构电压基准阈值电压温度系数线性调整率

基于MOSFET ZTC工作点的高阶曲率补偿电压基准

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半导体技术 2021年第2期46卷 117-123页

作者：刘锡锋王津飞林婵居水荣江苏信息职业技术学院微电子学院江苏无锡214153 江苏省专用集成电路重点实验室江苏南通226000

工作在饱和区的MOSFET存在零温度系数(ZTC)特定工作点,基于这一特性设计实现了一款具有低温度系数的电压基准芯片。所设计的电路利用ZTC工作点的温度系数接近于0这一特点,辅以高阶曲率补偿电路,实现极低温度系数的输出电压。此外,针对ZT... 详细信息

工作在饱和区的MOSFET存在零温度系数(ZTC)特定工作点,基于这一特性设计实现了一款具有低温度系数的电压基准芯片。所设计的电路利用ZTC工作点的温度系数接近于0这一特点,辅以高阶曲率补偿电路,实现极低温度系数的输出电压。此外,针对ZTC工作点对工艺偏差的敏感性,根据蒙特卡洛仿真结果,专门设计了熔丝修调电路,以保证电路的输出结果具有较高工艺稳定性。该电路在CSMC 0.18μm CMOS工艺平台进行了流片验证,芯片面积为0.0025 mm^(2)。结果表明该芯片在室温时能够稳定输出475.5 mV电压,在-40~125℃内,温度系数达到1.8×10^(-6)/℃,在10 kHz时电源抑制比达到-68.7 dB。

关键词：电压基准 MOSFET 零温度系数(ZTC) 曲率补偿熔丝修调电路

可校准低漂移的4096V／5V／10V电压基准

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电子技术（上海） 1995年第11期22卷 17-18页

作者：王东平

文章介绍了ＭＡＸＩＭ公司生产的电压基准芯片ＭＡＸ６７６／ＭＡＸ６７７／ＭＡＸ６７８的原理与应用

关键词：电压基准芯片校准逻辑电路