检索结果-南通市图书馆

物理学报 2004年第10期53卷 3565-3570页

作者：尹鑫王继扬山东大学晶体材料研究所晶体材料国家重点实验室济南250100

研究了晶体的旋光性与电光效应的交互作用。

关键词：电光q开关电光效应晶体旋光性交互作用

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高重复率电光q开关Nd:YAG激光器

光电子．激光 2005年第7期16卷 797-801页

作者：叶志生张鹏泉撒昱徐锡强王升平高惠敏天津大学精密仪器与光电子工程学院天津300072

研制了高重复率电光q开关Nd:YAG激光器,激光谐振腔是曲率半径为10m的全反镜和反射率为4%的输出镜组成的平凹腔,选用2支脉冲氙灯(7mm×130mm)串联作为Nd:YAG激光棒(8mm×140mm)的泵浦源,电光晶体选用KDP。为了实现高脉冲能量、窄脉... 详细信息

研制了高重复率电光q开关Nd:YAG激光器,激光谐振腔是曲率半径为10m的全反镜和反射率为4%的输出镜组成的平凹腔,选用2支脉冲氙灯(7mm×130mm)串联作为Nd:YAG激光棒(8mm×140mm)的泵浦源,电光晶体选用KDP。为了实现高脉冲能量、窄脉冲宽度和高重复率的激光输出,设计了新型的IGBT氙灯斩波放电电路和雪崩管电光q开关电路。应用上述方法和装置,成功地获得了重复率3～20kHz、脉宽10～25ns、脉冲能量300～500mJ的重复率脉冲Nd:YAG激光。

关键词：高重复率电光q开关雪崩管串联电路 IGBT斩波器

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电光q开关消光比的测量以及影响因素分析

激光杂志 2016年第3期37卷 79-83页

作者：刘溢嘉纳全鑫张艺轩王庆高春清北京理工大学光电学院北京100081

设计了一种电光q开关消光比测试系统,将整个系统分为主光路和监视光路,主光路由起偏器、检偏器、电光晶体、主探测器组成,用于测量电光晶体在加压和不加压的情况下的透射光功率;用一个监视探测器测量监视光路的透射光功率以便校正激光... 详细信息

设计了一种电光q开关消光比测试系统,将整个系统分为主光路和监视光路,主光路由起偏器、检偏器、电光晶体、主探测器组成,用于测量电光晶体在加压和不加压的情况下的透射光功率;用一个监视探测器测量监视光路的透射光功率以便校正激光器的功率波动的影响。对起偏器和检偏器的透过率、自身消光比,激光器功率的波动,激光器功率的大小,激光器的偏振态,电光晶体的外加电压对电光q开关消光比测量的影响逐一进行了分析。利用所设计的电光q开关消光比测试系统进行了影响因素的验证实验,最后提出了消除或减小这些因素的影响的措施。

关键词：电光q开关消光比影响因素

La_3Ga_5SiO_(14)晶体电光q开关的研究

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中国激光 2004年第1期31卷 29-32页

作者：尹鑫王继扬张少军山东大学晶体材料研究所晶体材料国家重点实验室山东济南250100

模拟旋光晶体在激光腔中作为电光q开关使用时的工作状态 ,建立了研究旋光晶体电光效应的实验装置。通过对旋光晶体在正交偏光和平行偏光干涉实验中干涉现象的研究 ,得到了旋光晶体在激光腔中作为电光q开关使用时的最佳构图 ,并将典型的... 详细信息

模拟旋光晶体在激光腔中作为电光q开关使用时的工作状态 ,建立了研究旋光晶体电光效应的实验装置。通过对旋光晶体在正交偏光和平行偏光干涉实验中干涉现象的研究 ,得到了旋光晶体在激光腔中作为电光q开关使用时的最佳构图 ,并将典型的旋光晶体La3 Ga5SiO14

关键词：旋光性电光效应偏光干涉电光q开关旋光晶体激光腔 La3Ga5SiO14晶体

1.3414μm Nd:YAlO_3电光q开关脉冲激光器

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激光杂志 2006年第2期27卷 26-27页

作者：黄呈辉张戈魏勇黄凌雄中国科学院福建物质结构研究所福建福州350002

本文介绍了一种用LiNbO3晶体作为电光q开关晶体的闪光灯泵浦1.3414μm Nd:YAlO3,电光调q脉冲激光器,实验得到了脉宽45ns、输出能量312mJ的巨脉冲激光输出。

关键词： Nd:YAlO3晶体 LiNbO3 电光q开关

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电光q开关电路的研究

光子学报 1994年第1期23卷 78-80页

作者：陈健高继魁中国科学院西安光学精密机械研究所西安电子科技大学信息工程系

分别使用冷阴极触发管和弧光放电充气管（Ｋｒｙｔｒｏｎ）作为开关器件制作了加压式、退压式毫微秒脉冲发生器，主要是针对电光Ｑ开关电路来研究的。由于脉冲幅度以及宽度可以很方便的调整，也可应用于其它需要高压单脉冲的场合。

关键词：脉冲发生器电光q开关光电开关

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高重复频率长寿命电光q开关驱动电源

强激光与粒子束 1996年第4期8卷 623-624页

作者：邵英斌刘云涛西南流体物理研究所

用高频金属陶瓷三极管作高压脉冲形成级，设计了一种高重复频率长寿命电光Ｑ开关驱动电源，工作频率可达１ｋＨｚ，输出高压脉冲辐度２．５～８ｋＶ，前沿小于２５ｎｓ。

关键词：电光q开关驱动电源固体激光器

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电光q开关驱动电源介绍

爆炸与冲击 2005年第6期25卷 540-540页

固体激光器的快速电光q开关驱动电路的实验研究

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科学技术与工程 2007年第8期7卷 1613-1616页

作者：陈颖撒昱叶志生白云王升平高惠敏天津大学精密仪器与光电子工程学院天津300072

比较了三种不同的电光调q驱动电路。电子管式调q电路工作稳定,退压沿70ns左右,但空间体积大,激光脉冲能量较低;雪崩管串联式调q电路退压时间大约为20ns,输出激光脉冲能量高,脉宽窄;MOSFET管串联调q电路,简单可靠,单管耐压高,退压时间为5... 详细信息

比较了三种不同的电光调q驱动电路。电子管式调q电路工作稳定,退压沿70ns左右,但空间体积大,激光脉冲能量较低;雪崩管串联式调q电路退压时间大约为20ns,输出激光脉冲能量高,脉宽窄;MOSFET管串联调q电路,简单可靠,单管耐压高,退压时间为50ns。

关键词：电光q开关功率MOSFET管雪崩管电子管

退压式La_3Ga_5SiO_(14)晶体电光调qNd∶YAG激光器激光性能研究

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光学学报 2006年第5期26卷 689-692页

作者：张少军田召兵尹鑫张怀金王青圃李世忱山东大学晶体材料国家重点实验室济南250100 天津大学精密仪器学院天津300072

通过对硅酸镓镧(LGS)晶体旋光性与电光效应的交互作用的理论研究,推导出晶体旋光性和电光效应共同作用下的光强表示式I=1-4B2(Asin 2ω-Ccos 2ω)2。利用此表示式设计计算了旋光晶体LGS尺寸为8 mm×8 mm×25 mm电光q开关在1064 nm波长... 详细信息

通过对硅酸镓镧(LGS)晶体旋光性与电光效应的交互作用的理论研究,推导出晶体旋光性和电光效应共同作用下的光强表示式I=1-4B2(Asin 2ω-Ccos 2ω)2。利用此表示式设计计算了旋光晶体LGS尺寸为8 mm×8 mm×25 mm电光q开关在1064 nm波长使用时的开关电压和偏振角分别为4995 V和27.3°。将理论研究得到的结论应用于LGS晶体电光调q的Nd∶YAG晶体激光器的实验研究中,实验结果与理论计算结果基本一致。得到输出能量为361 mJ,脉冲宽度为7.8 ns的脉冲激光输出。

关键词：激光器件电光q开关旋光性电光效应硅酸镓镧(La3Ga5SiO14)晶体