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纳秒级脉冲电压的电光测量

清华大学学报（自然科学版） 1997年第4期37卷 65-67页

作者：郭小明苏进喜罗承沐张贵新清华大学电机工程与应用电子技术系

为避免强电磁脉冲ＥＭＰ（ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃｐｕｌｓｅ）的瞬间电场对军用和民用设施产生很大的破坏，准确测量ＥＭＰ的高速变化的电场，从而利用铌酸锂（ＬｉＮｂＯ３）晶体的电光效应，采用横向运行方式，研制成电压、... 详细信息

为避免强电磁脉冲ＥＭＰ（ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃｐｕｌｓｅ）的瞬间电场对军用和民用设施产生很大的破坏，准确测量ＥＭＰ的高速变化的电场，从而利用铌酸锂（ＬｉＮｂＯ３）晶体的电光效应，采用横向运行方式，研制成电压、电场传感器。以理论分析和计算作定性估计，指导调整光学器件；巧妙利用机械加工的精确度保证传感器上光学器件的相对定位和准直；用实验调整进行定量研究。利用纳秒脉冲电压发生器（ＭＦＤ－１）产生的方波电压，对此传感器性能进行了测试，测试结果表明：传感器上升时间小于５ｎｓ（波形有一点过冲）和７ｎｓ（波形无过冲）；测量误差在５％左右。

关键词：铌酸锂脉冲电压纳秒级电光测量

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邻近导体布局对电光测量的影响

微电子学 2004年第4期34卷 428-431页

作者：闫欣张洪波张大明侯阿临刘鸿飞衣茂斌吉林大学集成光电子学国家重点实验室吉林大学实验区吉林长春130023

　采用静态有限差分法[1],求解了电光探测时探头内部的电场分布;发现了电光信号随布线的变化,设计了一系列不同布线的电极;采用ITO导电膜进行电光信号幅度校准并减少串扰。理论分析与实验结果符合得很好。最后,分析了ITO导电膜对CMOS反... 详细信息

　采用静态有限差分法[1],求解了电光探测时探头内部的电场分布;发现了电光信号随布线的变化,设计了一系列不同布线的电极;采用ITO导电膜进行电光信号幅度校准并减少串扰。理论分析与实验结果符合得很好。最后,分析了ITO导电膜对CMOS反相器高频特性的影响。

关键词：电光测量邻近导体布局信号幅度校准参考电极

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用于电光测量的电流放大器及其噪声测量方法

吉林大学自然科学学报 1999年第4期 57-60页

作者：谢春山田小建孙伟衣茂斌吉林大学电子工程系长春130023

分析在微弱电流信号放大过程中由放大电路自身带来的各类噪声及其在电路输出端所产生的影响．用正弦波发生器法辅以锁相放大器（LIA）实现对放大电路噪声因子NF值的测量，进而判定各类放大器的最佳工作区间．

关键词：热噪声噪声电流电流放大器噪声测量电光测量

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基于法-珀腔的有机聚合物薄膜的电光测量

基于法-珀腔的有机聚合物薄膜的电光测量

中国光学学会2004年学术大会

作者：侯阿临张洪波雷仁方崔占臣刘运涛张大明衣茂斌集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区吉林大学化学学院

选用在甲基丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸缩水甘油酯的共聚物（PMMA-GMA）中掺杂分散红（DR1）形成的主客掺杂型有机聚合体系作为研究对象,调节高真空下溅射铝的时间,在玻璃表面上分别制作低反射镜面（LRM）和高反射镜面（HRM）,将有机聚合物... 详细信息

选用在甲基丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸缩水甘油酯的共聚物（PMMA-GMA）中掺杂分散红（DR1）形成的主客掺杂型有机聚合体系作为研究对象,调节高真空下溅射铝的时间,在玻璃表面上分别制作低反射镜面（LRM）和高反射镜面（HRM）,将有机聚合物材料在低反射镜面上旋涂成膜,电晕极化后倒置在高反射镜面上构成不对称法布里-帕罗（AFP）腔。利用多光束干涉效应,将相位调制转换成幅度调制,用正面入射式电光检测系统测量其电光调制信号,并对系统的工作原理进行了理论分析。结果表明,用不对称法布里-帕罗干涉原理设计的正面入射式电光检测系统可以有效地检测有机聚合物薄膜的非线性光学效应。

关键词：法-珀腔聚合物薄膜电光测量

来源： cnki会议评论

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基于电光效应的脉冲电磁场测量技术研究

基于电光效应的脉冲电磁场测量技术研究

作者：武俊杰清华大学

学位级别：硕士

基于电光效应的脉冲电磁场测量技术具有全电介质结构、频带宽、体积小、抗电磁干扰能力强等明显的优势,可以对复杂环境中或有限空间内的脉冲电磁场进行无扰动、高保真的测量,本文介绍了电光测量系统的各分系统的相关技术,实验研究了分... 详细信息

基于电光效应的脉冲电磁场测量技术具有全电介质结构、频带宽、体积小、抗电磁干扰能力强等明显的优势,可以对复杂环境中或有限空间内的脉冲电磁场进行无扰动、高保真的测量,本文介绍了电光测量系统的各分系统的相关技术,实验研究了分立器件型电光测量系统,最终研制了带有微型传感探头的全光纤化的电光测量系统,并在三种典型的信号场下进行了实验验证。首先采用折射率椭球法直观的介绍了线性电光效应的基本原理,同时也是电光调制的物理基础,继而分析了电光材料的特性,总结了电光材料选择的五个性能指标要求,提供了电光材料选择时的评判标准;介绍了测量系统的构成,针对光源部分、光信号传输部分、光信号调制部分、光信号检测部分分别介绍了相关的光纤、偏振器件、自聚焦透镜、光电探测器等基础型器件技术,讨论了测量系统设计时需要考虑的系统带宽、工作点设定、可测量场强范围、电磁干扰的屏蔽等因素。为了验证电光材料的特性,介绍了泡克尔斯单元的偏振调制实验,准确测量了泡克尔斯单元的半波电压;采用递进的方式分别进行了分立器件型电光测量技术研究以及U-bench型电光测量技术研究,其中,U-bench测量单元为自制测量单元,系统中采用自制的带熊猫型保偏光纤的激光光源,实验结果表明,该U-bench测量单元可以测量狭小空间内的电场,环境适应性强,信号光损耗小,获得的测量结果的分辨率好。总结了微型传感探头的设计制作需要考虑的因素,将其作为核心元件,建立了全光纤化的电光测量系统,对于平板电场(MV/m-秒级)、脉冲高压电场(30kV/m-100ns)以及波导内的电场(1.6GHz-50V/m)三种典型的应用场景进行了实际的测量,均获得了很好的测量结果,并与各自的理论分析计算结果以及国外的相关实验结果相吻合。有效的证实了该微型传感探头以及全光纤化的电光测量系统在平板电场、脉冲高压电场以及波导内的电场三种应用场景中的有效性。

关键词：脉冲电磁场测量泡克尔斯效应电光测量 U-bench 全光纤化

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真空绝缘子脉冲表面电场在线测量系统的实现

强激光与粒子束 2014年第4期26卷 85-90页

作者：刘微粒邹晓兵付洋洋王鹏王新新清华大学电机系北京100084

基于Kerr电光效应,建立了用以对纳秒脉冲高电压作用下的真空绝缘子表面电场进行在线测量的实验系统。该测量系统由快脉冲高电压源、YAG激光器、同步控制系统、被测中空薄壁绝缘子及Kerr效应单元、光学相位差检测系统等部分构成。利用YA... 详细信息

基于Kerr电光效应,建立了用以对纳秒脉冲高电压作用下的真空绝缘子表面电场进行在线测量的实验系统。该测量系统由快脉冲高电压源、YAG激光器、同步控制系统、被测中空薄壁绝缘子及Kerr效应单元、光学相位差检测系统等部分构成。利用YAG激光器输出的激光脉冲,触发导通快脉冲高压源中的高压气体开关,使其给被测绝缘子试品上施加一个脉宽100ns的高压脉冲方波。利用同步控制,使得探测激光在试品上的脉冲方波达到幅值后,入射到Kerr腔体中对Kerr效应进行探测。从而实现了对绝缘子表面电场的在线测量,并给出了初步的测量结果。

关键词：真空绝缘子表面电场高压脉冲 Kerr效应电光测量

基于Kerr效应的绝缘子表面电场在线测量系统

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高电压技术 2011年第3期37卷 718-725页

作者：朱宏林刘微粒邹晓兵王新新徐硕清华大学电机工程与应用电子技术系电力系统及发电设备控制和仿真国家重点实验室北京100084

为了有助于快脉冲功率装置中真空绝缘子的正确设计,避免其沿面闪络,研制了1套基于Kerr效应的可以在线测量快脉冲高电压作用下的真空绝缘子表面电场的电光测量系统。该测量系统由基于Marx发生器和脉冲形成线的快脉冲高电压源(100ns,200～... 详细信息

为了有助于快脉冲功率装置中真空绝缘子的正确设计,避免其沿面闪络,研制了1套基于Kerr效应的可以在线测量快脉冲高电压作用下的真空绝缘子表面电场的电光测量系统。该测量系统由基于Marx发生器和脉冲形成线的快脉冲高电压源(100ns,200～350kV)、基于Nd:YAG倍频脉冲激光器的探测光源(532nm,8ns)、抗强电磁干扰的同步控制系统、被测中空薄壁绝缘子及Kerr效应单元、相位差检测系统(Mach-Zehnder干涉仪)等部分构成。在分析了快脉冲高电压作用下在线测量的必要性后介绍了该测量系统各部分的组成、工作原理、运行参数及初步实验结果。

关键词：真空绝缘子表面电场表面电荷克尔效应电光测量马赫-贞德干涉仪

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集成电路电光测试仪相关技术研究

集成电路电光测试仪相关技术研究

作者：王叙翔吉林大学

学位级别：硕士

随着我国国民经济的不断发展,科学技术水平也不断的进行提高。我国电子商业的发展正呈现出突飞猛进的态势。基于该种情势背景之下,我国随着电子工业的高速发展,对于半导体的研究也开始日益加深,其中所蕴含的各项技艺也开始逐渐朝向复杂... 详细信息

随着我国国民经济的不断发展,科学技术水平也不断的进行提高。我国电子商业的发展正呈现出突飞猛进的态势。基于该种情势背景之下,我国随着电子工业的高速发展,对于半导体的研究也开始日益加深,其中所蕴含的各项技艺也开始逐渐朝向复杂化方向发展。在此发展背景之下,我国集成电路测试技术开始被广为人知,并得到了不断地重视和使用,电路测试在电路整体框架结构的设计以及线路构成方面起到了不可忽视的关键作用。集成电路测试技术贯穿芯片生产的整个流程当中。我们对其种类进行详细的划分工作,按照出厂时间来进行计算的话,主要分为芯片内部测试以及芯片出厂测试,这样能够最高程度上的提升产品的出厂效率。在此过程当中,属芯片内部测试这一环节最为重要,其能够在最大程度上保证芯片质量符合国家出厂要求,从一定程度上避免出厂隐患。相较于其他检测技术来说,其主要是采用电光测试的方式对其采取检测,其主要的检测原理就是通过激光的的方式对于集成电路进行检测,既能够使得检测效率提升,也能够使得其中的精确性得以确认。能够进行电光测试的前提条件就是电路构成材质是一种特定的物理材质,激光在对其自身进行检评时通过测试将其呈现出来。互联线电光信号强弱依据不同的外部条件会呈现出不同的效果,使用电光推测的手段就能够分辨出其信号的强弱,该项测试技术使用方便,并且受干扰因素较少。在本文当中将主要研究的重点放在集成电路电光测试仪的实用方面,在现实生活当中对其运营使用。在对其进行研究的过程当中,结合光电信号的转变提出了具体的研究方案以及使用措施,我们针对于这种状况,建立直流光检测机制将光学信号进行相互之间的转换,并使得信号不断的进行优化,对于波段进行处理,结合我国如今发展的实际情况,使用一定先进技术对数据进行自主搜集和处理工作,对其测试仪也进行具体的研究工作。

关键词：电光测量集成电路测试程控滤波器跨阻放大器