检索结果-南通市图书馆

热退火对离子注入制备Au纳米颗粒生长和光学性能的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

材料热处理学报 2015年第8期36卷 186-190页

作者：周小东周思华孙现科周口师范学院物理与机电工程学院河南周口466001

利用金属蒸发真空多弧离子源（MEVVA源）注入机,将Au离子注入到高纯石英玻璃衬底中来制备Au纳米颗粒,Au离子注入的加速电压分别为20、40和60 k V,注入剂量为1×1017ions/cm2,随后将注入样品在普通管式退火炉中700~1000℃退火处理。研究... 详细信息

利用金属蒸发真空多弧离子源（MEVVA源）注入机,将Au离子注入到高纯石英玻璃衬底中来制备Au纳米颗粒,Au离子注入的加速电压分别为20、40和60 k V,注入剂量为1×1017ions/cm2,随后将注入样品在普通管式退火炉中700~1000℃退火处理。研究了注入条件和热退火参数对Au纳米颗粒的形成、生长、分布以及光学性能的影响。采用光学吸收谱、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对注入样品的光学性能、表面形貌和微观结构进行了测试和表征。实验结果表明,采用该低压离子注入结合热退火工艺的方法,所制备的Au纳米颗粒具有很强的局域表面等离子体共振特性,同时该方法也为制备尺寸和分布可控的Au纳米颗粒提供了一些新的参考途径。

关键词：热退火离子注入 Au纳米颗粒生长光学性能

热退火处理对基于液相基底生长的金薄膜表面形貌以及SERS性能影响的研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

热退火处理对基于液相基底生长的金薄膜表面形貌以及SERS性能影响...

作者：徐凤云浙江工业大学

学位级别：硕士

许多研究表明基底的性质对薄膜的生长机理,微观结构和表面形貌有着重要影响。在固体基底表面沉积的金属薄膜的表面形貌、微观结构和生长机理已经被广泛研究。从1996以来,人们发现液相基底可以被用来沉积金属薄膜,逐渐拉开了沉积在液相... 详细信息

许多研究表明基底的性质对薄膜的生长机理,微观结构和表面形貌有着重要影响。在固体基底表面沉积的金属薄膜的表面形貌、微观结构和生长机理已经被广泛研究。从1996以来,人们发现液相基底可以被用来沉积金属薄膜,逐渐拉开了沉积在液相基底表面金属薄膜的表面形貌、微观结构和生长机理的研究的序幕。本文首次研究了热退火处理对基于液相基底表面生长的金薄膜的表面形貌和表面增强拉曼散射（Surface enhanced Raman scattering,SERS）的影响。本实验采用热蒸发方法在室温下基于硅油表面制备了三种不同厚度的金薄膜,并以不同的退火温度和相同的退火时间在石英管式炉中进行热退火处理。本课题主要研究内容如下:（1）用光学显微镜观察在不同温度下进行热退火后的金薄膜的光学形貌的变化和用扫描电子显微镜（Scanning electron microscope,SEM）观察不同退火温度下的金薄膜的微观结构的变化。金薄膜的光学形貌图表明,沉积在硅油表面上的金薄膜是由微米级的金分支凝聚体组成的。SEM观测沉积在硅油表面上的金薄膜是由纳米尺寸的金晶粒组成的。由于热退火会导致纳米颗粒的再整合,因此经过热退火处理后的金薄膜的形貌会发生显著变化。（2）在拉曼测试过程中,采用共聚焦拉曼光谱仪测试退火前后的金薄膜的SERS信号,罗丹明6G溶液（Rhodamine 6G,R6G）作为拉曼测试的探针分子。拉曼光谱显示具有三种不同厚度的金薄膜的SERS活性表现出对退火温度的依赖性。这项工作发现在合理的退火温度下金薄膜具有良好的SERS活性。对SERS基底的最适退火温度的可以进一步促进高温下SERS检测的应用（3）采用时域有限差分法（Finite difference time domain,FDTD）模拟退火前后金薄膜的电磁场分布。模拟结果表明在不同温度下进行热退火后的金薄膜电磁场分布发生了改变,从理论上支撑了实验结果。

关键词：金薄膜液相基底热退火表面增强拉曼散射时域有限差分方法

热退火-选择性溶胀成孔法制备PS-b-PNIPAAm/PVDF纳米均孔复合膜

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

化工新型材料 2016年第10期44卷 61-63页

作者：赖舒忆马绍玲李战王倩冯霞天津工业大学材料科学与工程学院省部共建分离膜与膜过程国家重点实验室天津300387

将两亲嵌段共聚物聚苯乙烯-b-聚(N-异丙基丙烯酰胺)(PS-b-PNIPAAm)涂覆在聚偏氟乙烯(PVDF)膜上构建复合膜,采用热退火方式控制PS-b-PNIPAAm的微相分离行为,并以异丙醇为溶剂,利用选择性溶胀成孔法制备PS-b-PNIPAAm/PVDF复合膜,研究了不... 详细信息

将两亲嵌段共聚物聚苯乙烯-b-聚(N-异丙基丙烯酰胺)(PS-b-PNIPAAm)涂覆在聚偏氟乙烯(PVDF)膜上构建复合膜,采用热退火方式控制PS-b-PNIPAAm的微相分离行为,并以异丙醇为溶剂,利用选择性溶胀成孔法制备PS-b-PNIPAAm/PVDF复合膜,研究了不同退火温度对PS-b-PNIPAAm薄膜分相行为及PS-b-PNIPAAm/PVDF复合膜形貌的影响。结果表明:通过热退火和选择性溶胀成孔法能够得到纳米均孔复合膜,热退火温度对复合膜表面的形貌有较大影响。

关键词：两亲嵌段共聚物选择性溶胀成孔法热退火纳米均孔复合膜微相分离

热退火对基于酞酰亚胺太阳能电池性能提升的研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

盐湖研究 2020年第2期28卷 65-70页

作者：邱方龙贾永忠中国科学院青海盐湖研究青海西宁810008 中国科学院大学北京100049

本文研究了100℃下热退火对薄膜太阳能电池的性能提升的原因。借助多种表征手段,对太阳能电池的光学性能、光伏性能、载流子传输性能以及形貌进行表征。热退火后吸收光谱得到明显红移,增加了对太阳光的吸收。载流子传输性能分析表明,热... 详细信息

本文研究了100℃下热退火对薄膜太阳能电池的性能提升的原因。借助多种表征手段,对太阳能电池的光学性能、光伏性能、载流子传输性能以及形貌进行表征。热退火后吸收光谱得到明显红移,增加了对太阳光的吸收。载流子传输性能分析表明,热退火处理能增大载流子迁移率、降低载流子的复合、增大光电流。原子力显微镜和透射电镜分析表明,热处理后的薄膜具有更好的相分离和相容性。热退火后太阳能电池的能量转化效率提高到3.6%,提升了56%。

关键词：热退火形貌能量转化效率太阳能电池

热退火对MEH-PPV/Alq3掺杂膜能量转移及光学性质的影响(英文)

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

西南大学学报（自然科学版） 2011年第9期33卷 157-162页

作者：赵勇张鹏西南大学化学化工学院重庆400715

以旋转涂膜技术制备了m(MEH-PPV)∶m(Alq3)为5∶1,5∶2,5∶4,11和1∶2的MEH-PPV/Alq3复合膜.利用紫外可见吸收谱和荧光光谱研究了该复合膜的能量转移和光学性质.结果表明,Alq3的发射谱和MEH-PPV的吸收谱存在较大的重叠,此暗示在复合膜... 详细信息

以旋转涂膜技术制备了m(MEH-PPV)∶m(Alq3)为5∶1,5∶2,5∶4,11和1∶2的MEH-PPV/Alq3复合膜.利用紫外可见吸收谱和荧光光谱研究了该复合膜的能量转移和光学性质.结果表明,Alq3的发射谱和MEH-PPV的吸收谱存在较大的重叠,此暗示在复合膜发光过程中从Alq3到MEH-PPV的能量转移起着重要作用.此外,在室温到80℃之间,测量了复合膜的发光性质,结果显示复合膜的能量转移和发光性质都严重受热淬灭.总之,复合物发光性质除了依赖掺杂浓度外,还受退火温度的影响.

关键词：聚(2-甲氧基-5-(2′-乙基已氧基)-1,4-对苯乙炔(MEH-PPV) 8-氢基喹啉铝(Alq3) 热退火能量转移

热退火对ZnO-SiO_2复合薄膜的微结构及荧光特性的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

人工晶体学报 2007年第1期36卷 141-145页

作者：卢相甫程文娟马学鸣石旺舟华东师范大学物理系上海200062

采用脉冲激光沉积技术(PLD)在单晶Si衬底上制备了ZnO-SiO2复合薄膜。分别用SEM、XRD观察了样品在沉积态(300℃)及700℃和900℃下热退火后的形貌和结构。发现经700℃热处理后,样品中有第三相β-Zn2SiO4形成,经900℃热处理后的样品中硅锌... 详细信息

采用脉冲激光沉积技术(PLD)在单晶Si衬底上制备了ZnO-SiO2复合薄膜。分别用SEM、XRD观察了样品在沉积态(300℃)及700℃和900℃下热退火后的形貌和结构。发现经700℃热处理后,样品中有第三相β-Zn2SiO4形成,经900℃热处理后的样品中硅锌矿型Zn2SiO4取代了β-Zn2SiO4成为第三相。研究了热退火处理前后样品的荧光特性变化,结果表明经700℃热处理后,荧光光谱与沉积态相比,紫外区域的发光强度有较大提高,可见光区域的宽带强度变弱;经900℃热处理后,紫外区域荧光强度与700℃处理相比略有减小,可见光发光带消失。

关键词： ZnO-SiO2复合薄膜热退火 Zn2SiO4 光致发光

不同钝化层结构对HgCdTe热退火Hg空位调控影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

红外与毫米波学报 2022年第2期41卷 425-429页

作者：沈川刘仰融孙瑞赟卜顺栋陈路何力红外材料与器件重点实验室中科院上海技术物理研究所上海200083 国科大杭州高等研究院浙江杭州310024

对不同钝化层结构的分子束外延(MBE)生长的HgCdTe外延材料的Hg空位浓度控制进行研究。获得了更高Hg空位浓度调控范围的外延材料,为后续新型焦平面器件的研发提供基础。研究发现,在热退火过程中,HgCdTe外延材料的Hg空位浓度的变化随着钝... 详细信息

对不同钝化层结构的分子束外延(MBE)生长的HgCdTe外延材料的Hg空位浓度控制进行研究。获得了更高Hg空位浓度调控范围的外延材料,为后续新型焦平面器件的研发提供基础。研究发现,在热退火过程中,HgCdTe外延材料的Hg空位浓度的变化随着钝化层结构的不同而发生改变。且这种改变是因为HgCdTe表层的钝化层的存在改变了原始热退火的平衡态过程。同时,通过二次离子质谱(SIMS)测试以及相应的理论拟合进行了验证。

关键词：碲镉汞 Hg空位钝化层热退火

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

热退火对太阳电池用多晶硅特性的影响

太阳能学报 2007年第4期28卷 351-354页

作者：任丙彦勾宪芳马丽芬励旭东许颖王文静河北工业大学天津300130 北京市太阳能研究所北京100083

对多晶硅片进行三步退火处理,用傅里叶红外光谱仪(FTIR)和准稳态光电导衰减法(QSSPCD)测硅片退火前后氧碳含量及少子寿命,并对单晶硅片做同样处理进行比较。实验发现:经三步退火后,多晶硅比单晶硅氧碳含量下降的幅度大,这表明多晶硅内... 详细信息

对多晶硅片进行三步退火处理,用傅里叶红外光谱仪(FTIR)和准稳态光电导衰减法(QSSPCD)测硅片退火前后氧碳含量及少子寿命,并对单晶硅片做同样处理进行比较。实验发现:经三步退火后,多晶硅比单晶硅氧碳含量下降的幅度大,这表明多晶硅内部形成的氧沉淀多,其体内的高密度缺陷如晶界、位错等对氧沉淀的形成有促进作用。多晶硅与单晶硅少子寿命大大提高,可能是由于高温退火后晶体内部形成氧沉淀及缺陷的络和物可以作为电活性杂质的吸除中心,从而减少了分散的载流子复合中心,提高了硅片的少子寿命。变化趋势的不同与晶体内部结构有关。

关键词：太阳电池多晶硅氧沉淀少子寿命热退火

热退火过程对锑化物合金质量及发光特性影响的研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

热退火过程对锑化物合金质量及发光特性影响的研究

作者：高虹一长春理工大学

学位级别：硕士

作为窄禁带半导体的GaAsSb,是一种性能优良的红外光电材料。在合金生长过程中,由于Sb的引入,造成合金内组分不均匀现象,形成局域态,并且对载流子产生束缚,引起局域态发光现象。而热退火工艺可以对合金中组分不均匀现象进行改善,可以有... 详细信息

作为窄禁带半导体的GaAsSb,是一种性能优良的红外光电材料。在合金生长过程中,由于Sb的引入,造成合金内组分不均匀现象,形成局域态,并且对载流子产生束缚,引起局域态发光现象。而热退火工艺可以对合金中组分不均匀现象进行改善,可以有效的调节局域态发光。因此开展热退火工艺对锑化物合金质量及发光特性研究工作是有重要意义的。利用分子束外延(MBE)技术在GaAs衬底上生长了Sb组分为9%的GaAsSb合金,并在合金中观察到局域态发光的现象。对GaAsSb合金进行慢速退火处理,研究发现这种退火处理引起了局域态的加重,造成的原因可能是退火所引起的砷和锑组分扩散。虽然慢速退火处理后合金带边发光比例增加,这对于提高带边发光是有利的,但是并没有消除局域态的发光。采用快速热退火在不同的时间下对合金进行处理。其中退火为10s的处理条件下,局域态得到了较好的抑制。但是,随着退火时间的增加,合金中的局域态现象又加重了。通过XRD测试表明,GaAsSb合金质量在10s退火处理下是最优化的。通过慢速退火和快速热退火处理后对比,分析合金的XRD和PL光谱,可知,慢速退火会使合金中的局域态现象更加严重。而通过快速热退火可以减少GaAsSb合金中的局域态现象,是调控局域态的良好手段。本文通过快速热退火对GaAsSb合金的处理方法,达到良好的抑制局域态效果,并且提高合金质量。因此抑制局域态发光以及改善局域态发光方面,快速热退火处理技术优于慢速退火。

关键词：局域态热退火 GaAs0.91Sb0.09 发光质量