检索结果-南通市图书馆

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

热蒸发制备高质量透明氧化铟导电薄膜

光电子技术 1983年第4期 76-79页

作者：郑康

从置于低氧压真空中的 In+In;O;源里,借助热蒸发技术已制成高透射率（在可见光范围内透射率超过90%）和高导电性(电阻率（?）2×10;欧姆·厘米)的氧化铟（非掺杂）薄膜。其特性可与曾报导过的最佳的掺锡氧化铟薄膜相媲美、甚至更好,并... 详细信息

从置于低氧压真空中的 In+In;O;源里,借助热蒸发技术已制成高透射率（在可见光范围内透射率超过90%）和高导电性(电阻率（?）2×10;欧姆·厘米)的氧化铟（非掺杂）薄膜。其特性可与曾报导过的最佳的掺锡氧化铟薄膜相媲美、甚至更好,并有极好的重复性。虽然电子浓度相当高(≥4×10;/厘米;),但霍尔效应测量表明:低电阻率主要是良好的电子迁移率(（?）70厘米;/伏·秒)所致。X 射线衍射测量清楚地表明:多晶氧化铟结构具有一个从10.07到10.11埃的晶格常数范围。电解质电反射率光谱至少显示出四个临界跃迁。根据这些跃迁我们确定了直接与间接的光学能带隙(分别为（?）3.56和2.69电子伏特)。同时还观察到导带电子密度所致的 Burstein 位移。文章就上述及其他结果与工艺过程细节的讨论一道报导。

关键词：氧化铟铟化合物热蒸发薄膜厚度电子迁移率电导率跃迁非掺杂

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

热蒸发法ZnO纳米棒阵列的研究

热蒸发法ZnO纳米棒阵列的研究

热蒸发沉积法制备多足状ZnO及其生长机理的研究

第六届中国功能材料及其应用学术会议

作者：张志鹏王浩莫琦王毅汪汉斌杨辅军朱建华湖北大学物理与电子技术学院暨铁电压电材料与器件湖北省重点实验室

采用热蒸发的方法在 ZnO 薄膜缓冲层上成功制备了高密度的 ZnO 纳米棒阵列,其中 ZnO 薄膜缓冲层是通过 PLD(Pulsed Laser Deposition)的方法制得。与已有的报道不同,该方法未使用任何金属催化剂。X 射线衍射仪(XRD)以及场发射扫描电子... 详细信息

采用热蒸发的方法在 ZnO 薄膜缓冲层上成功制备了高密度的 ZnO 纳米棒阵列,其中 ZnO 薄膜缓冲层是通过 PLD(Pulsed Laser Deposition)的方法制得。与已有的报道不同,该方法未使用任何金属催化剂。X 射线衍射仪(XRD)以及场发射扫描电子显微镜(FE-SEM) 的结果表明,实验得到的 ZnO 纳米棒阵列整齐垂直排列在衬底上。此外,在常温下测量得到的光致发光(PL) 谱和透射电子显微镜显示该 ZnO 纳米棒阵列结晶较好, 无明显的缺陷。研究结果表明纳米棒阵列的形成主要归因于 ZnO 纳米棒和薄膜之间完美的晶格匹配。

关键词：热蒸发 ZnO 纳米棒阵列 ZnO 薄膜缓冲层

来源： cnki会议评论

在线全文

cnki会议

学校读者我要写书评

暂无评论

热蒸发沉积法制备多足状ZnO及其生长机理的研究

用热蒸发卷绕真空镀膜技术镀制功能性卷状镀膜材料

第六届中国功能材料及其应用学术会议

作者：谭天刘毅宋雪梅王波严辉北京工业大学材料学院薄膜材料实验室

利用热蒸发沉积方法,使用高纯 Zn 粉为原料 (＞99．99％),在常压下,成功制备了多针状的 ZnO 微结构．当沉积气氛为纯氧气时,多钟 ZnO 单支的直径尺寸在2μm 左右,通过调整 Ar 和 O的比例,发现当蒸发源温度为800℃,气体流量控制在 Ar：O=... 详细信息

利用热蒸发沉积方法,使用高纯 Zn 粉为原料 (＞99．99％),在常压下,成功制备了多针状的 ZnO 微结构．当沉积气氛为纯氧气时,多钟 ZnO 单支的直径尺寸在2μm 左右,通过调整 Ar 和 O的比例,发现当蒸发源温度为800℃,气体流量控制在 Ar：O=0．5L/min： 0．1L/min 的时候,所制备的多足状 ZnO 的单支直径减小为400nm．采用 XRD 和 SEM 对样品进行了表征,并对形成这种多针状 ZnO 的生长机理进行了详细的讨论．

关键词：热蒸发多针状氧化锌生长机理

来源： cnki会议评论

在线全文

cnki会议

学校读者我要写书评

暂无评论

包装前沿 2016年第2期 8-10页

作者：高德铨

卷绕真空镀膜技术直接对卷状物（如塑料薄膜卷材或金属箔卷材）进行真空镀膜加工，具有较高的生产效率。镀氧化铝或氧化硅的透明阻隔薄膜不但具有和镀铝膜一样的阻隔性能，还可透过可见光，具有高的微波穿透性，可直接用于微波炉加热和... 详细信息

卷绕真空镀膜技术直接对卷状物（如塑料薄膜卷材或金属箔卷材）进行真空镀膜加工，具有较高的生产效率。镀氧化铝或氧化硅的透明阻隔薄膜不但具有和镀铝膜一样的阻隔性能，还可透过可见光，具有高的微波穿透性，可直接用于微波炉加热和进行金属检测，大气环境适应性和环保性优良。

关键词：真空镀膜技术镀膜材料卷绕热蒸发功能镀制环境适应性塑料薄膜

真空热蒸发法制备SnS/In_2S_3异质结及退火温度对其整流特性影响

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

三明学院学报 2017年第2期34卷 69-71,77页

作者：李弘楠严琼福建江夏学院电子信息科学学院福建福州350108

采用真空热蒸发法制备SnS与In_2S_3薄膜,研究在不同热退火温度下对SnS与In_2S_3薄膜的物相和光学特性的影响。退火处理后的SnS薄膜的吸收边位置大约在1.5 e V,In_2S_3薄膜有较高的透过率,可以满足太阳电池的光学性能要求。制备得到结构... 详细信息

采用真空热蒸发法制备SnS与In_2S_3薄膜,研究在不同热退火温度下对SnS与In_2S_3薄膜的物相和光学特性的影响。退火处理后的SnS薄膜的吸收边位置大约在1.5 e V,In_2S_3薄膜有较高的透过率,可以满足太阳电池的光学性能要求。制备得到结构为ITO/In_2S_3/SnS/In/Ag的异质结器件,并讨论退火温度对其整流特性的影响,当退火温度为300℃,器件整流特性最佳。

关键词：热蒸发退火温度 Sn S薄膜 In2S3薄膜异质结

利用磁控溅射及热蒸发法制备SnO2纳米线及结构表征

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

纳米科技 2012年第4期9卷 62-66页

作者：张晓森李玉国翟冠楠王宇方香山东师范大学物理与电子科学学院山东济南250014

以Sn为原料，采用磁控溅射及热蒸发法制得SnO2纳米线，用扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）、X射线衍射（XRD）、能量弥散X射线谱（EDS）、傅氏转换红外线光谱分析（FTIR）、拉曼光谱分析（Raman）等测试手段对纳米结构进行表征，结果... 详细信息

以Sn为原料，采用磁控溅射及热蒸发法制得SnO2纳米线，用扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）、X射线衍射（XRD）、能量弥散X射线谱（EDS）、傅氏转换红外线光谱分析（FTIR）、拉曼光谱分析（Raman）等测试手段对纳米结构进行表征，结果表明，合成的二氧化锡纳米结构具有金红石结构，二氧化锡纳米材料的生长机制遵循气一液一固生长机制，生长过程中的温度和退火时间对二氧化锡纳米结构的形貌起着极其重要的作用，可以通过这些因素对二氧化锡纳米材料实行可控生长。

关键词： SnO2纳米线热蒸发磁控溅射生长机制

利用热蒸发和PCVD结合方法制备SnS薄膜

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

利用热蒸发和PCVD结合方法制备SnS薄膜

第十五届全国等离子体科学技术会议

作者：程莉莉刘明海王曼星周启燕宋晓琴王国栋腾云华中科技大学物理学院华中科技大学电气与电子工程学院

本文利用热蒸发和等离子体化学气相沉积(Plasma Chemical Vapor Deposition,PCVD)相结合的方法制备了具有较高的光吸收系数、质量较好的SnS薄膜。利用FSEM,AFM,XRD,EDX,uV测试方法对SnS薄膜表面形貌,晶形结构,薄膜成分,光学性能进行了表... 详细信息

本文利用热蒸发和等离子体化学气相沉积(Plasma Chemical Vapor Deposition,PCVD)相结合的方法制备了具有较高的光吸收系数、质量较好的SnS薄膜。利用FSEM,AFM,XRD,EDX,uV测试方法对SnS薄膜表面形貌,晶形结构,薄膜成分,光学性能进行了表征,结果表明:在射频功率为270W,基片温度为300℃,沉积时间20min,热处理时间为1h的工艺条件下,所制备出SnS薄膜呈正交立方结构,其平均晶粒尺寸为300nm,平均表面粗糙度为59.1nm,薄膜杂质含量较低,同时该薄膜具有良好的光学性能,当光子能大于3ev,其光吸收系数大于10。

关键词：热蒸发 PCVD SnS薄膜

来源： cnki会议评论

在线全文

cnki会议

学校读者我要写书评

暂无评论

纳微氧化锌形貌演变过程的实验和模拟研究

化学研究与应用 2023年第11期35卷 2765-2770页

作者：田会娟孟君赵玥洪岩唐山学院新材料与化学工程学院河北唐山063000 迁安市宏奥工贸有限公司河北迁安063000

利用热蒸发锌粉法在水平管式炉中成功生长出了纳微结构氧化锌。研究了不同的O_(2)/N2流量下,锌源上、下游氧化锌形貌的演变过程。采用扫描电子显微镜(SEM)、X-射线衍射(XRD)和拉曼光谱等对产物形貌和结构进行了表征。制备的纳微氧化锌... 详细信息

利用热蒸发锌粉法在水平管式炉中成功生长出了纳微结构氧化锌。研究了不同的O_(2)/N2流量下,锌源上、下游氧化锌形貌的演变过程。采用扫描电子显微镜(SEM)、X-射线衍射(XRD)和拉曼光谱等对产物形貌和结构进行了表征。制备的纳微氧化锌具有六方纤锌矿结构,纯度高,结晶好。当保持O_(2)流量为0.25 sccm,O_(2)和N2的总流量分别为100 sccm、200 sccm和400 sccm时,上游产物形貌为钉状且钉帽尺寸逐渐减小,而产物形貌分别为多足、铅笔和针状。当保持总流量为400 sccm,随着O_(2)流量的增加,上游的钉状氧化锌的钉帽变大,下游针状氧化锌的顶部直径变粗,长度变长。计算流体动力学模拟结果表明:纳微氧化锌的形貌演变过程与Zn蒸汽和O_(2)的反应速率决定相关。

关键词：纳微氧化锌热蒸发形貌演变计算流体动力学反应速率

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

整齐排列的氧化锌纳米针阵列的场发射性能

物理学报 2008年第11期57卷 7057-7062页

作者：肖竞柏鑫张耿民北京大学纳米器件物理与化学教育部重点实验室北京大学电子系北京100871

采用简单的热蒸发方法,不使用任何催化剂,在硅基底上制备出了两种垂直于基底、整齐排列的氧化锌纳米针阵列.它们具有均匀的分布以及一致的取向和高度.场发射性能研究表明它们同时具有较低的开启和阈值场强,稳定的发射电流和长时间维持... 详细信息

采用简单的热蒸发方法,不使用任何催化剂,在硅基底上制备出了两种垂直于基底、整齐排列的氧化锌纳米针阵列.它们具有均匀的分布以及一致的取向和高度.场发射性能研究表明它们同时具有较低的开启和阈值场强,稳定的发射电流和长时间维持发射的能力.较低的开启和阈值场强来源于它们较高的长径比和较细的尖端;稳定发射电流和长时间维持发射的能力来源于它们在基底上均匀一致的分布以及由于较粗的根部带来的与基底的良好接触.实验结果表明整齐的氧化锌针状纳米结构阵列是一种理想的平面场发射材料.

关键词：氧化锌热蒸发阵列场发射屏蔽效应