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华南理工大学学报（自然科学版） 2020年第9期48卷 79-85页

作者：于晓东高维铖伍广鹏周文凯毕宏伟杨晓冬郑小军哈尔滨理工大学先进制造智能化技术教育部重点实验室黑龙江哈尔滨150080

在高速重载工况下静压推力轴承由于强剪切和强挤压联合作用,油膜发热量大,温升高且分布不均,会产生热变形。不同工况下静压推力轴承对流换热不同,进一步导致工作台和底座热变形不均匀。为表征其热特性,提出等面积分割法,通过区域计算不... 详细信息

在高速重载工况下静压推力轴承由于强剪切和强挤压联合作用,油膜发热量大,温升高且分布不均,会产生热变形。不同工况下静压推力轴承对流换热不同,进一步导致工作台和底座热变形不均匀。为表征其热特性,提出等面积分割法,通过区域计算不同工况下静压推力轴承对流换热系数。运用软件ANSYS Workbench对工作台和底座温度分布及热变形进行仿真,得到工作台热变形分布及载荷和转速对轴承的影响,搭建实验台并进行验证。结果表明:承载0~8 t时,随载荷增大和转速减小,变形量逐渐增大。承载8~24 t时,随载荷增大和转速减小,变形量逐渐减小。承载24~32 t时,旋转工作台为Z向负变形,且最大变形在工作台边缘处,底座最大变形集中在底座最下面肋板部分。底座变形比旋转工作台变形小。承载16~30 t时静压推力轴承变形较小,最优承载在16~30 t之间。建议通过优化其内部结构或增强散热进一步提高抗热变形性能。

关键词：静压推力轴承高速重载工况对流换热系数热特性表征数值模拟与实验

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纳米银粉的热特性表征

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贵金属 2000年第1期21卷 8-11页

作者：刘雄谭富彬吴庆伟赵万春昆明贵金属研究所中国昆明650221

用X -射线衍射、透射电镜 (TEM )、比表面测定和热分析 (TA)技术 ,对从高分子保护化学还原法制得的纳米Ag粉 ,做了相关的测定表征 ;从表观比热的测定结果探讨这一亚稳微晶体系在加热过程和热处理后所发生的各种变化。

关键词：纳米银粉比表面测定热分析热特性表征

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基于TEC控温的半导体激光器热稳定性仿真及其热特性表征

基于TEC控温的半导体激光器热稳定性仿真及其热特性表征

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作者：王世飞中国计量大学

学位级别：硕士

随着现代科技的快速发展,各种高新技术得到了广泛的关注和研究,其中半导体激光技术是现代科技的重要部分,但半导体激光器的散热问题已成为制约其发展的主要瓶颈。相对于其它几种激光器的控温方案,热电制冷(TEC)具有体积小巧、结构简单... 详细信息

随着现代科技的快速发展,各种高新技术得到了广泛的关注和研究,其中半导体激光技术是现代科技的重要部分,但半导体激光器的散热问题已成为制约其发展的主要瓶颈。相对于其它几种激光器的控温方案,热电制冷(TEC)具有体积小巧、结构简单以及容易集成等优点。本课题选用了目前被广泛应用的蝶形封装光纤布拉格光栅稳定型半导体激光器作为研究对象。探讨激光二极管控温温度对半导体激光器输出光特性的影响,以求得到控温温度对半导体激光器性能的影响规律,从而提出更合理的半导体激光器的控温温度和供电方案。本课题的研究采取了仿真模拟计算分析与实验测量验证相结合的研究方式。首先分析了热电制冷系统模块对半导体激光器的热特性影响,论证了实验所选的研究对象具有良好的热电控温性能。设计并选型搭建了一套包括半导体激光器工作系统和激光器性能测试系统的实验装置。主要研究思路是从温度因素对半导体激光器的影响入手,通过仿真,考虑论证了热电制冷模块对于蝶形封装的半导体激光器的必要性和有效性,仿真发现TEC制冷模块具有良好的控温性,仿真条件范围内,LD控温温度受LD功率影响相对较大,但最大温差仅为1.54℃。通过实验,探讨分析了温度因素对半导体激光器性能的影响效果。深入研究了半导体激光器分别工作在高温区和低温区的性能。发现温度每升高25℃,阈值电流增加1倍。且在控温温度低于10℃时,激光器表现出良好的稳定性。另外,激光器在较高驱动电流下,表现出激光质量下降的现象,输入电流每升高1A时,输出激光的主瓣宽度增加13%。通过数据分析,提出了几个特殊工况下的控温温度和驱动电流对半导体激光器性能的影响。综合而言,较低且合适的输入电流,较低的控温温度,可以让激光器发挥最优的性能和稳定性。本文所研究的内容和思路,为某些特殊应用领域,对激光性能稳定性要求较高的半导体激光器的控温策略做出了优化建议和设计思路。

关键词：半导体激光器热电制冷热特性表征光输出

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基于脉冲I-V测试方法的半导体激光器热特性测量

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飞通光电子技术 2002年第4期2卷 186-189页

作者：南矿军张永刚何友军李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

报道了一种在脉冲驱动条件下基于半导体激光器I—V特性测量进行半导体激光器热特性表征的实验方法。结果表明,基于分析在不同脉冲驱动条件下1.3μm InAsP/InGaAsP脊型波导应变补偿多量子阱激光器芯片的I—V特性,可以方便地得到该激光器... 详细信息

报道了一种在脉冲驱动条件下基于半导体激光器I—V特性测量进行半导体激光器热特性表征的实验方法。结果表明,基于分析在不同脉冲驱动条件下1.3μm InAsP/InGaAsP脊型波导应变补偿多量子阱激光器芯片的I—V特性,可以方便地得到该激光器的热阻等热特性参数。本文还对该激光器在不同脉冲驱动条件下的驱动电流和结电压波形进行了讨论。该方法也可用于其它波段的半导体激光器的热特性表征。

关键词：脉冲I-V测试方法半导体激光器热特性表征多量子阱

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