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SPAD探测器深n阱保护环宽度对暗计数噪声的影响

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半导体技术 2022年第12期47卷 979-984页

作者：董杰刘丹璐许唐徐跃南京邮电大学集成电路科学与工程学院南京210023 射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室南京210023

为了探究单光子雪崩二极管(SPAD)器件的保护环宽度(W_(GR))对暗计数噪声的影响,基于标准180 nm CMOS工艺,设计了以低浓度掺杂深n阱(DNW)为保护环的p阱(PW)/DNW结构,通过实验和TCAD仿真研究了W_(GR)对暗计数噪声的影响。实验结果表明,当W... 详细信息

为了探究单光子雪崩二极管(SPAD)器件的保护环宽度(W_(GR))对暗计数噪声的影响,基于标准180 nm CMOS工艺,设计了以低浓度掺杂深n阱(DNW)为保护环的p阱(PW)/DNW结构,通过实验和TCAD仿真研究了W_(GR)对暗计数噪声的影响。实验结果表明,当W_(GR)从1μm增加到2μm时,室温下SPAD器件的暗计数率(DCR)从79 kHz显著减小到17 kHz;当W_(GR)从2μm增加到3μm时,DCR不再发生明显变化。TCAD仿真揭示了当W_(GR)从2μm减小到1μm时,保护环区域的电场强度增长较大,导致缺陷辅助隧穿(TAT)效应引起的暗计数显著增加。当W_(GR)增加到2μm以上时,保护环区域的电场强度不再降低,继续增大W_(GR)对降低DCR不再有效,反而会导致SPAD器件填充因子减小。因此DNW W_(GR)为2μm的SPAD器件在具有低暗计数率的同时又有较小的尺寸,有利于高密度阵列的集成。

关键词：单光子雪崩二极管(SPAD) 暗计数率(DCR) 保护环缺陷辅助隧穿(TAT) 激活能

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非晶合金非等温晶化激活能的计算方法

兰州理工大学学报 2006年第3期32卷 7-10页

作者：袁子洲佟亚东陈学定兰州理工大学甘肃省有色金属新材料省部共建国家重点实验室甘肃兰州730050

介绍了计算非晶合金非等温晶化激活能的各类方法,指出等转化法是最可靠的一类方法.对等转化法中的各种具体计算方法,进行了分析并将它们分为A、B、C三种类型.类型A的计算公式在推导过程未作任何数学近似,而类型B则引入了温度积分的近似... 详细信息

介绍了计算非晶合金非等温晶化激活能的各类方法,指出等转化法是最可靠的一类方法.对等转化法中的各种具体计算方法,进行了分析并将它们分为A、B、C三种类型.类型A的计算公式在推导过程未作任何数学近似,而类型B则引入了温度积分的近似解析解,类型C以不同加热速度条件下所测得的晶化放热峰顶温度处的晶化体积分数是一个常数为前提假设,可以使用类型A和类型B的所有计算公式.类型C的前提假设与实际晶化过程往往有出入而产生误差.当热分析曲线基线难于精确确定时,用类型B中的公式计算出的激活能比类型A计算出的精度高.

关键词：非晶态合金非等温晶化差热分析差示扫描量热激活能计算方法

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测量非晶合金激活能的新方法

物理测试 2001年第4期19卷 33-36页

作者：胡西多林德明林光明中山大学物理系广州510275

介绍了一种测量非晶晶化激活能的新方法——MTGA法。分别用DSC和MTGA研究了Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9非晶合金的晶化动力学。结果表明,MTGA法不但比DSC法能更加详细反映出晶化动力学和相变的过程,而且用DSC和MTGA测量的α—Fe(Si)... 详细信息

介绍了一种测量非晶晶化激活能的新方法——MTGA法。分别用DSC和MTGA研究了Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9非晶合金的晶化动力学。结果表明,MTGA法不但比DSC法能更加详细反映出晶化动力学和相变的过程,而且用DSC和MTGA测量的α—Fe(Si)相的晶化激活能基本一致。

关键词：非晶合金 MTGA法晶化动力学激活能测量方法

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Co基非晶合金晶化激活能的实验研究

金属材料研究 1990年第1期16卷 15-16,54页

作者：王丽云

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本征微晶硅薄膜的激活能特性研究

滨州学院学报 2011年第6期27卷 59-62页

作者：陈庆东王俊平马国利滨州学院物理与电子科学系山东滨州256603

利用激活能测试装置测量了VHF-PECVD高速沉积的本征微晶硅薄膜的激活能,结果表明,在不同沉积条件下制备的本征微晶硅薄膜的晶化处于非晶-微晶相变域附近,激活能都偏低,存在氧污染问题.给出了氧污染解决途径.

关键词： VHF-PECVD 微晶硅激活能

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管径对碳纳米管膜激活能的影响

管径对碳纳米管膜激活能的影响

中国微米、纳米技术第七届学术会年会

作者：韩向宇张祖伟胡陈果重庆大学

通过实验测定了不同管径的碳纳米管膜的电阻率随温度的变化,结果表明,各种管径的碳纳米管膜的电阻率随温度升高均呈下降趋势,表现为负的温度效应;建立了碳纳米管膜的导电模型,并通过理论公式与实验曲线计算了碳蚋米管膜激活能,结果表明... 详细信息

通过实验测定了不同管径的碳纳米管膜的电阻率随温度的变化,结果表明,各种管径的碳纳米管膜的电阻率随温度升高均呈下降趋势,表现为负的温度效应;建立了碳纳米管膜的导电模型,并通过理论公式与实验曲线计算了碳蚋米管膜激活能,结果表明,碳纳米管膜的激活能随管径的增大而减小。

关键词：碳纳米管膜电阻率温度激活能

来源： cnki会议评论

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吉氏类杆菌的生长速率和激活能

山东师范大学学报（自然科学版） 1993年第3期8卷 64-66页

作者：李济生张洪林高永军南照东祁学勇山东师大化学系济南250014 曲阜师大化学系曲阜273165 山东教育学院济南250013

利用热活性检测仪在得出吉氏类杆菌30℃、35℃和37℃下指数生长曲线图谱的基础上,计算了细菌的指数生长速度常数和激活能。

关键词：吉氏类杆菌激活能生长速率

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7050铝合金的蠕变行为研究

特种铸造及有色合金 2023年第6期43卷 825-830页

作者：徐显强董显娟徐勇涂泽立鲁世强龚思恒南昌航空大学航空制造工程学院南昌330063 江西洪都航空工业集团有限公司

通过恒应力单轴蠕变拉伸试验,研究了7050铝合金在温度为121~177℃,外加应力为170~250 MPa范围内的蠕变拉伸行为,分析了蠕变温度和外加应力对蠕变拉伸行为的影响。结果表明,外加应力在170~250 MPa应力范围内,7050铝合金在温度为121℃和14... 详细信息

通过恒应力单轴蠕变拉伸试验,研究了7050铝合金在温度为121~177℃,外加应力为170~250 MPa范围内的蠕变拉伸行为,分析了蠕变温度和外加应力对蠕变拉伸行为的影响。结果表明,外加应力在170~250 MPa应力范围内,7050铝合金在温度为121℃和149℃时具有优良的低温抗蠕变性能。通过扫描电镜(SEM)观察断口形貌,发现蠕变断裂机制随应力的增加由典型的韧窝断裂向准解理-韧窝混合断裂转变。计算了表观应力指数n、蠕变激活能Q,表明随着蠕变温度的升高和外加应力的增大,蠕变机制可能由晶界扩散控制的位错黏性滑移机制转变为第二相粒子控制机制。

关键词： 7050铝合金蠕变应力指数激活能蠕变机制

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谈有机晶体激活能

衡阳师专学报 1997年第3期18卷 64-67页

作者：高峰衡阳师专物理系湖南衡阳421008

Vannikov和Boguslavskii在1970年建立了有机晶体的暗电导率表达式，本文对式中出现的激活能进行了详尽的物理解释。

关键词：有机晶体电导率激活能