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物理学报 2010年第2期59卷 1268-1274页

作者：薛正群黄生荣张保平陈朝厦门大学物理系厦门361005 厦门三安电子有限公司厦门361005 福建省半导体照明中心厦门361005

采用激光诱导掺锌的方法提高了常规GaN基外延片p-GaN层的空穴浓度,并将它制备成小功率白光发光二极管(LED).对其光电性能做了详细的测量并进行了加速老化实验和分析.结果表明,与常规LED相比,经过激光诱导p-GaN层掺锌LED的光电性能获得... 详细信息

采用激光诱导掺锌的方法提高了常规GaN基外延片p-GaN层的空穴浓度,并将它制备成小功率白光发光二极管(LED).对其光电性能做了详细的测量并进行了加速老化实验和分析.结果表明,与常规LED相比,经过激光诱导p-GaN层掺锌LED的光电性能获得了明显改善:正向工作电压VF从3.33V降到3.13V,串联电阻从30.27Ω降到20.27Ω,室温下衰退系数从1.68×10-4降到1.34×10-4,老化1600h后的反向漏电流从超过0.2μA降为不超过0.025μA,器件的预测寿命延长了41%.器件光电性能改善的主要原因是激光诱导掺锌使LED的p-型欧姆接触改善和热阻降低所致.

关键词：激光诱导掺杂 GaN 老化发光二极管

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脉冲激光诱导Zn/InP掺杂过程中温度分布的数值计算

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厦门大学学报（自然科学版） 2006年第5期45卷 643-645页

作者：黄生荣陈朝厦门大学物理学系福建厦门361005

脉冲激光诱导InP的Zn掺杂过程中,金属-半导体分界面附近的温度是影响掺杂浓度和掺杂深度的一个重要因素.确定材料的温度分布有利于合理选择激光功率、辐照时间等工艺参数使表面或界面达到预期的温度.本文分析了脉冲激光诱导InP掺杂Zn的... 详细信息

脉冲激光诱导InP的Zn掺杂过程中,金属-半导体分界面附近的温度是影响掺杂浓度和掺杂深度的一个重要因素.确定材料的温度分布有利于合理选择激光功率、辐照时间等工艺参数使表面或界面达到预期的温度.本文分析了脉冲激光诱导InP掺杂Zn的过程,利用数值计算的方法,计算了在简化一维模型下激光辐照过程中材料的温度场分布,得到了材料表面温度、金属-半导体分界面温度与激光脉冲宽度的关系,两者都近似呈线性关系,表面温度和分界面温度相差不大,这与解析方法得到的结果基本相同.研究表明,通过数值方法给出材料中温度场分布情况,可以直接在普通的PC机上计算任意给定时刻材料表面温度和金属-半导体分界面的温度.

关键词：激光诱导掺杂温度分布 Zn/InP

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硫族化合物（Mo、Pb）薄膜的制备与光电探测性能研究

硫族化合物（Mo、Pb）薄膜的制备与光电探测性能研究

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作者：肖永红华中科技大学

学位级别：硕士

石墨烯的零带隙特性限制了其在逻辑器件中的应用,与其结构类似、具有优良性质的硫族化合物成为了很好的代替者。在硫族化合物家族中,硫化钼(MoS)和硫化铅(PbS)由于带隙可调、易于制备和光电性能优异等特性,在光电探测领域具有广泛的应... 详细信息

石墨烯的零带隙特性限制了其在逻辑器件中的应用,与其结构类似、具有优良性质的硫族化合物成为了很好的代替者。在硫族化合物家族中,硫化钼(MoS)和硫化铅(PbS)由于带隙可调、易于制备和光电性能优异等特性,在光电探测领域具有广泛的应用。本文采用脉冲准分子激光诱导合成新方法制备MoS薄膜,具有快速制备、选区制备、可应用于柔性衬底和合成掺杂同步完成等优势,对其生长机理进行了探索。同时本文利用磁控溅射制备具有最佳光响应的(200)取向准单晶PbS薄膜,并对其制备工艺进行了研究分析。本文的主要研究内容如下:(1)采用脉冲准分子激光诱导合成新方法制备了MoS薄膜。研究了合成工艺参数对成膜质量的影响,包括原料和衬底的处理、前驱体工艺参数和激光工艺参数,成功制备了多层混合相1T@2H-MoS薄膜。利用Gaussian软件对前驱体进行仿真,并结合实验结果给出了前驱体的光化学分解路径图和反应机理,为激光光化学合成的设计与应用提供参考。(2)采用脉冲准分子激光诱导实现了MoS薄膜的原位掺杂。通过调配加入Au元素的前驱体溶液,一步合成了Au掺杂MoS薄膜。制备了背栅场效应晶体管,阈值电压为-13.13 V,开关态电流比为10,场效应迁移率为0.58 cm/V·s,表明原位Au掺杂的MoS薄膜呈现p型导电。设计了基于MoS的同质结光电探测器,通过湿法转移工艺,将CVD生长的单层2H-MoS与多层1T@2H-MoS结合制备垂直同质结光电探测器,光响应达1917 A/W,探测率达7.55×10Jones,外量子效率为4.84×10%。(3)采用磁控溅射制备了PbS薄膜。研究了磁控溅射各参数对成膜质量的影响。通过调控溅射参数及后退火处理,制备具有最佳光响应的(200)取向准单晶n型PbS薄膜。设计并制备了PbS薄膜异质结红外探测器,异质结的整流比达10,探测器的光响应是0.76 m A/W、探测率是6.07×10Jones。

关键词：光电探测器硫化钼硫化铅激光诱导合成激光诱导掺杂磁控溅射光化学反应

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