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四叶草形超宽带漫散射编码超表面

雷达学报（中英文） 2021年第3期10卷 382-390页

作者： YASIR Saifullah 杨国敏徐丰复旦大学电磁波信息科学教育部重点实验室上海200433

该文提出了一种结构新颖的四叶草形编码超表面,并利用该超表面实现了超宽带漫散射。所提出的编码超表面具有旋转对称性,它对x极化和y极化波产生相似的反射特性。为了实现1比特编码超表面,该文设计了在15.5~40.5 GHz的频率范围内且相位差... 详细信息

该文提出了一种结构新颖的四叶草形编码超表面,并利用该超表面实现了超宽带漫散射。所提出的编码超表面具有旋转对称性,它对x极化和y极化波产生相似的反射特性。为了实现1比特编码超表面,该文设计了在15.5~40.5 GHz的频率范围内且相位差为180°±37°的两个超表面单元。采用优化算法得到阵列中单元的最佳排列,从而实现了宽带RCS的缩减。四叶草形编码超表面可以在15.5~26.5 GHz和30.5~40.5 GHz这两个频带内实现10 dB的RCS缩减。该文加工了该编码超表面并与仿真结果进行了比较,从而有效验证了所设计的四叶草形编码超表面可以在宽频带内实现RCS的缩减。

关键词：编码超表面水循环算法雷达散射截面漫散射四叶草形

一种编码式低雷达散射截面超表面天线阵列设计

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物理学报 2020年第24期69卷 119-129页

作者：郝彪杨宾锋高军曹祥玉杨欢欢李桐空军工程大学信息与导航学院西安710077

设计了一种非周期排布的低雷达散射截面超表面天线阵列.该阵列由两种天线单元构成,两种天线单元的上层贴片形状相同,正交放置,作为天线单元能以同种极化方式在相同频带下工作,作为超表面单元相互之间能形成180°±37°的有效相位差.阵列... 详细信息

设计了一种非周期排布的低雷达散射截面超表面天线阵列.该阵列由两种天线单元构成,两种天线单元的上层贴片形状相同,正交放置,作为天线单元能以同种极化方式在相同频带下工作,作为超表面单元相互之间能形成180°±37°的有效相位差.阵列在x极化方向与y极化方向上分别利用相位对消与吸波原理减缩雷达散射截面.同时,根据编码超材料理论,使用编程软件将两种单元进行非周期编码,使阵列的反射场呈漫散射状分布,有效降低了其峰值雷达散射截面.仿真结果显示天线阵列的辐射性能良好.与同等大小的金属板相比,在x极化波垂直入射时,设计天线阵列单站雷达散射截面(radar cross section,RCS)的6 dB减缩带宽为4.8—7.4 GHz,相对带宽为42.6%;在y极化波垂直入射时,设计天线阵列单站RCS的6 dB减缩带宽为4.6—7.8 GHz,相对带宽为51.6%.同时,设计天线阵较棋盘式天线阵散射能量分布更加均匀,空间中RCS峰值明显降低.实测结果与仿真结果符合较好.

关键词：低雷达散射截面贴片天线阵漫散射

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BEPC漫散射实验站控制和数据获取系统

核电子学与探测技术 1993年第A11期13卷 62-64,42页

作者：王功利武家扬

ＢＥＰＣ漫散射实验站是一个Ｘ光衍射装置，本文对其准直系统和数据获取软件进行了简要的叙述，这套装置中的准直平台和步进电机控制驱动系统已经形成列化产品。

关键词：控制数据采集 X射线衍射漫散射

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黄昆X射线漫散射的实验研究

Journal of Semiconductors 1992年第2期13卷 75-83页

作者：蒋四南中国科学院半导体研究所中国科学院半导体材料科学实验室北京100083

本文描述了黄昆X射线漫散射的实验方法及其所需的实验条件,并利用它研究了离子注入CaAs中点缺陷所引起的黄昆散射,在同一GaAs晶片上的不同部分分别注入Mo和Er,浓度均为1×10^(15)cm^(-2),注入电压为500keV,经850℃退火30分钟后分别在77... 详细信息

本文描述了黄昆X射线漫散射的实验方法及其所需的实验条件,并利用它研究了离子注入CaAs中点缺陷所引起的黄昆散射,在同一GaAs晶片上的不同部分分别注入Mo和Er,浓度均为1×10^(15)cm^(-2),注入电压为500keV,经850℃退火30分钟后分别在77K的条件下进行黄昆散射测量,实验观测到注入Er元素比Mo元素引起的黄昆散射要强,这一结果表明Er元素在GaAs中大多处于间隙状态,而Mo元素在GaAs中大多处于替换状态.

关键词：黄昆X射线半导体晶体漫散射实验

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空间偏移拉曼光谱信号探测及增强技术

原子能科学技术 2019年第2期53卷 214-219页

作者：刘秋实张晓华赵保真李雨尘中国原子能科学研究院核物理研究所北京102413

空间偏移拉曼光谱技术是一种新型拉曼光谱探测技术,具有无损、快速检测不/半透明介质覆盖下隐藏的内层成分的拉曼光谱的优势。文章开展了空间偏移激光拉曼光谱信号探测及增强技术研究,实现了NaNO_3、Na_2SO_4等多种隐藏成分的探测,并基... 详细信息

空间偏移拉曼光谱技术是一种新型拉曼光谱探测技术,具有无损、快速检测不/半透明介质覆盖下隐藏的内层成分的拉曼光谱的优势。文章开展了空间偏移激光拉曼光谱信号探测及增强技术研究,实现了NaNO_3、Na_2SO_4等多种隐藏成分的探测,并基于该技术现存探测信号微弱有待提高的问题,进行了探测系统的建立及优化,针对信号相对强度随偏移距离、探测深度等重要参数的变化关系进行了分析研究,有效增强了探测信号强度比,为其后续在安检、医疗、生物、考古等方面的应用研究打下基础。

关键词：空间偏移拉曼光谱技术拉曼光谱漫散射无损检测

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散射技术与铁电材料局部结构

硅酸盐学报 2022年第3期50卷 661-681页

作者：安哲毅张楠西安交通大学电子科学与工程学院电子陶瓷与器件教育部重点实验室暨国际电介质研究中心西安710049

晶体材料的局部结构是对长程有序平均结构的偏离,随着技术的进步和多年来的深入探究,局部结构对材料性能的深刻影响逐渐被学界所认识,对局部结构的探索为材料的性能提升和器件开发提供了关键理论指导。另一方面,铁电材料往往具备十分复... 详细信息

晶体材料的局部结构是对长程有序平均结构的偏离,随着技术的进步和多年来的深入探究,局部结构对材料性能的深刻影响逐渐被学界所认识,对局部结构的探索为材料的性能提升和器件开发提供了关键理论指导。另一方面,铁电材料往往具备十分复杂的局部结构,并且局部结构对平均结构的偏离十分微小,对其进行准确表征具有很大挑战性。本工作针对国际上较为通用的局部结构表征手段进行了综述,主要包括基于X射线和中子进行的单晶漫散射实验技术和粉末全散射实验技术,以及相关数据分析和结构模型构建方法;此外,对散射技术用于铁电压电材料局部结构表征的典型范例进行了回顾。

关键词： X射线散射中子散射局部结构原子对分布函数漫散射

探测非透明介质下深层成分的拉曼光谱技术研究

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原子能科学技术 2014年第3期48卷 518-522页

作者：张晓华张骥张海峰路建新孙书营王雷剑徐永生王晓洁汤秀章中国原子能科学研究院核技术应用研究所北京102413

本文分别采用传统拉曼光谱装置及空间偏移拉曼光谱装置,对不/半透明塑料瓶装的NaNO3粉末进行了测量和对比,并对空间偏移拉曼光谱技术对非透明塑料瓶装介质进行有效探测的作用机理进行了分析。空间偏移拉曼光谱技术突破了传统拉曼光谱测... 详细信息

本文分别采用传统拉曼光谱装置及空间偏移拉曼光谱装置,对不/半透明塑料瓶装的NaNO3粉末进行了测量和对比,并对空间偏移拉曼光谱技术对非透明塑料瓶装介质进行有效探测的作用机理进行了分析。空间偏移拉曼光谱技术突破了传统拉曼光谱测量技术的瓶颈(探测深度小,不能对非透明介质覆盖下的深层成分进行探测),实现了对非透明介质(不/半透明塑料瓶)中物质成分(NaNO3)的测量和识别。

关键词：空间偏移拉曼光谱不半透明塑料瓶深层成分漫散射

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黄散射──杂质或缺陷引起的漫散射

物理 1990年第9期19卷 568-523页

作者：朱邦芬中国科学院半导体研究所

X射线与物质相遇时,会被物质原子的电子所散射.它在物质结构分析方面有着非常广泛的应用.对于完整晶体,如果入射与散射的X射线波矢差等于晶体倒格矢,则会出现布拉格峰,峰高与样品的体积平方成正比,而峰宽则反比于晶体尺寸.对于大块样品... 详细信息

X射线与物质相遇时,会被物质原子的电子所散射.它在物质结构分析方面有着非常广泛的应用.对于完整晶体,如果入射与散射的X射线波矢差等于晶体倒格矢,则会出现布拉格峰,峰高与样品的体积平方成正比,而峰宽则反比于晶体尺寸.对于大块样品来说,布拉格峰非常尖锐. 然而,实际材料往往偏离严格的周期排列.其原因可以是晶格原子的热运动,它在布拉格峰附近产生附加的散射强度,被称为热漫散射;另一种可能的漫散射的机制是由材料中外来杂质与缺陷引起的,它是由黄昆先生首先提出并在理论上作出分析. 1947年,在莫特教授建议下,黄先生定量地研究了稀固溶…

关键词：漫散射点缺陷晶体缺陷倒格矢倒易矢杂质原子固溶体倒易空间

γ射线辐照对MgO单晶的点缺陷组态及磁性的影响

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核技术 2016年第10期39卷 24-34页

作者：曹梦雄马亚茹樊聪俐王兴宇刘昊王海欧周卫平马春林谭伟石南京理工大学理学院应用物理系软化学与功能材料教育部重点实验室南京210094 苏州工业职业技术学院苏州215104 杭州电子科技大学材料物理研究所杭州310018

对(100)取向的MgO单晶进行了不同剂量的60Coγ射线辐照,辐照剂量从30 kGy到1 750 kGy。利用同步辐射漫散射技术以及紫外-可见吸收光谱研究了辐照样品的点缺陷情况,并将实验测量的漫散射结果与理论计算结果进行比对,以获得点缺陷组态的... 详细信息

对(100)取向的MgO单晶进行了不同剂量的60Coγ射线辐照,辐照剂量从30 kGy到1 750 kGy。利用同步辐射漫散射技术以及紫外-可见吸收光谱研究了辐照样品的点缺陷情况,并将实验测量的漫散射结果与理论计算结果进行比对,以获得点缺陷组态的信息。利用超导量子干涉仪(Superconducting Quantum Interference Device,SQUID)测量了样品在不同温度下的磁性质。漫散射和吸收光谱的实验结果表明,经γ射线辐照的MgO单晶产生了阴离子弗伦克尔缺陷,并在室温下没有表现出铁磁性,只是在低温下观察到了顺磁信号,且辐照前后样品在零场冷却和加场冷却下的M-T曲线没有变化,说明阴离子空位没有导致MgO的d0铁磁性。

关键词： γ射线辐照 MgO单晶点缺陷漫散射 d0铁磁性