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文献类型

  • 2 篇 期刊文献

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日期分布

学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 2 篇 材料科学与工程（可...
    • 2 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 2 篇 漏感应势垒降低效...
  • 1 篇 表面势
  • 1 篇 短
  • 1 篇 电荷分享
  • 1 篇 热载流子效应
  • 1 篇 n型金属-氧化物-半...
  • 1 篇 双栅内嵌绝缘柱金...
  • 1 篇 沟道侧壁绝缘柱
  • 1 篇 halo
  • 1 篇 短沟效应

机构

  • 1 篇 安徽大学
  • 1 篇 北京大学

作者

  • 1 篇 储晓磊
  • 1 篇 黄如
  • 1 篇 王兵冰
  • 1 篇 张兴
  • 1 篇 李尚君
  • 1 篇 汪洋
  • 1 篇 高珊

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=漏感应势垒降低效应"
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Halo注入角度对热载流子效应的影响及优化
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固体电子学研究与进展 2007年 第1期27卷 130-133页
作者： 王兵冰 汪洋 黄如 张兴 北京大学深圳研究生院 深圳518055 北京大学微电子所 北京100871
通过模拟和实验研究了不同的halo注入角度的NMOSFET,研究发现halo的注入角度越大,热载流子效应的退化越严重。考虑到由于热载流子的注入造成栅氧化层损伤,使器件可靠性变差,halo注入时应该采用小的倾角注入。
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
双栅MOSFET沟道侧壁绝缘柱(DP)表面势解析模型
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引用
固体电子学研究与进展 2015年 第5期35卷 424-428页
作者： 李尚君 高珊 储晓磊 安徽大学电子信息工程学院 合肥230601
采用抛物线近似方法求解二维泊松方程,建立了漏端沟道侧壁绝缘柱表面电势解析模型。在该解析模型下,求解了不同漏压下的表面势,并与Atlas仿真结果做对比。比较了在相同条件下,DPDG MOSFET与DG MOSFET的沟道侧壁电势与电场分布。在不同... 详细信息
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