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文献类型

  • 1 篇 学位论文

馆藏范围

  • 1 篇 电子文献
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学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 1 篇 有效迁移率
  • 1 篇 源漏串联电阻
  • 1 篇 漏击穿
  • 1 篇 界面态
  • 1 篇 碳化硅pmos器件

机构

  • 1 篇 西安电子科技大学

作者

  • 1 篇 郜锦侠

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=漏击穿"
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碳化硅PMOS器件特性模拟及仿真
碳化硅PMOS器件特性模拟及仿真
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作者： 郜锦侠 西安电子科技大学
学位级别：硕士
鉴于CMOS具有十分重要的地位和SiC MOS器件的诱人前景，本文对6H-SiC PMOS器件的基本特性做了较为详细的研究，着重研究了界面态以及源漏寄生电阻对SiC PMOS器件特性的影响。 研究了SiC的晶体结构，分析了SiC中杂质的不完全离化现... 详细信息
来源： 同方学位论文库 同方学位论文库 评论
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