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染料敏化太阳电池是高效率、低成本太阳电池的一个重要发展方向。半导体多孔膜是制约染料敏化太阳电池光电转换效率的关键部件。本文拟先在导电玻璃基板上生长出彼此平行排列且垂直于基板的一维ZnO单晶纳米棒阵列,然后再借助添加剂DAP可以在ZnO晶体不同晶面优先吸附的特性,在ZnO六边形纳米棒的六个面生长出分枝结构,形成ZnO分枝纳米棒阵列膜,旨在保持纳米棒优良传输特性的基础上通过增大ZnO纳米结构膜的比表面积来增加染料吸附量,并改善入射光的捕获效率,从而提高染料敏化太阳电池的光电转换效率。采用两步溶液生长法,以Zn(NO)·6HO和HMT的混合液为生长体系,先在导电玻璃上生长出ZnO一维纳米棒阵列,然后通过在生长溶液中添加1,3-二氨基丙烷(DAP)进行二次生长,合成出ZnO多枝纳米棒阵列;采用SEM对ZnO纳米结构的表面微观形貌进行表征;采用XRD对合成的复合结构进行晶型分析;采用MATLAB6.5系统进行纳米棒直径及其长度的测量;采用紫外分光光度计测定复合结构对染料的吸附性能。系统考察有无晶种、一次生长液浓度、二次生长液浓度、添加剂浓度及生长模式等因素对二次生长出的ZnO分级复合纳米结构的直径、长度、分布密度等微观结构参数的影响。通过实验获得,当无晶种存在、一次浓度为0.03M、二次浓度为0.05M、添加剂浓度为0.08M、一次生长温度90℃、生长时间为6h、二次生长温度为60℃、二次生长总时间为6h以及采用分级生长模式时,可制备出分布均匀、结构完整、清晰且染料吸附性能较好的ZnO复合纳米结构膜。将最优条件下制备的ZnO纳米晶进行XRD、荧光光谱、能谱及吸收光谱等表征,并经N719敏化成光阳极,与镀铂对电极组装成一个三明治结构,在两电极之间注加电解液即构成染料敏化太阳电池,测试了电池的光电特性。结果表明:基于优化的ZnO复合纳米结构膜的染料敏化太阳电池的光电转换效率高达1.66%。此外,尝试了在ZnO复合纳米结构的表面包裹TiO,进行表征,并分别以N719和P3HT/PCBM为敏化剂制作染料敏化光阳极,组装电池,进行了光电性能测试,考察了包裹TiO膜对电池性能的影响。

关键词：染料敏化太阳电池 ZnO 纳米阵列分级复合纳米结构溶液生长法

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Structural phase transition, optical and pyroelectric properties of lead-free single crystals

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Chinese Science Bulletin 2013年第33期58卷 4064-4071页

作者： FANG BiJun WANG Meng YUAN NingYi DING JianNing ZHAO XiangYong XU HaiQing LUO HaoSu School of Materials Science and Engineering Changzhou University School of Materials Science and Engineering Jiangsu University Key Laboratory of Inorganic Function Material and Device Chinese Academy of Sciences

0.14 at%Mn-doped 0.95(Na1/2Bi1/2)TiO3-0.05BaTiO3(0.95NBT-0.05BT)lead-free single crystals were grown by a top-seeded solution growth method(TSSG).X-ray powder diffraction measurement showed that the as-grown single crystals exhibit rhombohedral perovskite structure with apparent *** the increase of temperature,successive structural phase transitions occur in the Mn-doped 0.95NBT-0.05BT single *** poling,apparent dielectric anomaly is induced accompanied by the increase of the character of diffuse phase transition and the decrease of the value of dielectric *** Mn-doped0.95NBT-0.05BT single crystals exhibit complex domain structure,in which micro and macro domains coexist with statistically 4mm *** Mn-doped 0.95NBT-0.05BT lead-free single crystals exhibit excellent piezoelectric and pyroelectric properties,which will lead to promising advance in piezoelectric and pyroelectric *** infrared-absorption band occurred around 630.6 cm 1can be assigned to the"stretching"normal vibration of[Na1/2Bi1/2]/Ti-O *** three diffused Raman bands centered around 300,560 and 800 cm 1can be attributed to F2g[TiO6]bending vibration,A1g[TiO6]stretching vibration and"soft mode"mixed by bending and stretching vibrations.

关键词：结构相变热释电性能单晶无铅 X-射线粉末衍射溶液生长法 Mn掺杂弯曲振动

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流通Na有助于生长大的GaN晶体

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现代材料动态 2009年第3期 10-11页

作者：邓志杰（摘译）

宽带电子学器件具有效率高、温度和电流处理能力强等优点，非常适合于多种应用。例如，混合动力轿车和火车中将直流输出变换为交流信号以驱动马达，无线信号放大基站等。理想的器件应在同一材料衬底上制造以消除外延层中的应变，但大尺... 详细信息

宽带电子学器件具有效率高、温度和电流处理能力强等优点，非常适合于多种应用。例如，混合动力轿车和火车中将直流输出变换为交流信号以驱动马达，无线信号放大基站等。理想的器件应在同一材料衬底上制造以消除外延层中的应变，但大尺寸的GaN晶体很难制备，且晶体中位错密度很高。为此，日本大阪大学开发出一种溶液生长法生长GaN晶体，

关键词：溶液生长法 GaN 晶体 Na 流通混合动力轿车日本大阪大学电流处理

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硅纳米管的制备及应用前景

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新材料产业 2005年第3期 16-19页

作者：唐元洪裴立宅湖南大学材料科学与工程学院

自组生长的硅纳米管是在一定条件下由一个个原子自己搭建生成、内部排列有序的一种新型的一维纳米材料,它完全可以体现硅纳米管的真实特性,同时具备碳纳米材料和硅纳米线材料的性能,在传感器、晶体管、光电器等纳米器件及场发射显示屏... 详细信息

自组生长的硅纳米管是在一定条件下由一个个原子自己搭建生成、内部排列有序的一种新型的一维纳米材料,它完全可以体现硅纳米管的真实特性,同时具备碳纳米材料和硅纳米线材料的性能,在传感器、晶体管、光电器等纳米器件及场发射显示屏等方面具有广泛的应用前景。作者采用全新的水热溶液生长法合成硅纳米管。这种硅纳米管是国际上第一次合成自组生成的硅纳米管,为将来制造纳米电子器件提供了继碳纳米管、硅纳米线后的又一种全新的纳米材料。

关键词：前景应用制备一维纳米材料硅纳米线碳纳米材料溶液生长法纳米器件碳纳米管电子器件传感器晶体管显示屏场发射光电器合成

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电光晶体硒酸氢铷过饱和溶液的成核研究

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人工晶体学报 2000年第4期29卷 376-380页

作者：陈建中郭飞云庄乃锋林树坤福州大学化学系福州350002

本文对硒酸氢铷 (RbHSeO4 ,RHSe)晶体生长过饱和溶液的均匀成核过程进行了初步的研究。通过动态目视法测量RHSe过饱和溶液的诱导期 ,讨论过饱和比、温度对诱导期的影响 ,并根据经典均匀成核理论计算不同温度下的晶体表面张力、成核自由... 详细信息

本文对硒酸氢铷 (RbHSeO4 ,RHSe)晶体生长过饱和溶液的均匀成核过程进行了初步的研究。通过动态目视法测量RHSe过饱和溶液的诱导期 ,讨论过饱和比、温度对诱导期的影响 ,并根据经典均匀成核理论计算不同温度下的晶体表面张力、成核自由能和临界成核半径 ,为探讨RHSe单晶的水溶液生长的较佳条件提供依据。

关键词：硒酸氢铷均匀成核诱导期溶液生长法电光晶体

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住友公司提高SiC单晶生长速度

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现代材料动态 2009年第6期 13-13页

作者：邓志杰（摘译）

住友金属工业公司宣布，用一种新的溶液生长法生长SiC单晶，比常用的升华法快1倍，且缺陷更少。作为日本钢铁生产“专家”将其高温材料生产技术扩展到生产6英寸SiC晶片，生长速度达200μm／h以上。该公司已成功生长出厚5mm、直径2英寸... 详细信息

住友金属工业公司宣布，用一种新的溶液生长法生长SiC单晶，比常用的升华法快1倍，且缺陷更少。作为日本钢铁生产“专家”将其高温材料生产技术扩展到生产6英寸SiC晶片，生长速度达200μm／h以上。该公司已成功生长出厚5mm、直径2英寸的单晶，计划在2009年3月将厚度提高到10mm而可用于切片。所述溶液法主要是：将籽晶浸入熔体（熔体是一种金属的高温溶液，例如Si和Ti）然后用与CZ法拉Si单晶那样的方式从溶液中上拉籽晶。

关键词： SiC单晶生长速度住友公司溶液生长法金属工业生产技术高温材料钢铁生产

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