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学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程（可...
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主题

  • 1 篇 自加热效应
  • 1 篇 热阻
  • 1 篇 h型栅
  • 1 篇 部分耗尽soi
  • 1 篇 源体二极管法

机构

  • 1 篇 中国科学院硅器件...
  • 1 篇 中国科学院大学
  • 1 篇 中国科学院微电子...

作者

  • 1 篇 王芳
  • 1 篇 罗家俊
  • 1 篇 王可为
  • 1 篇 卜建辉
  • 1 篇 李垌帅
  • 1 篇 韩郑生

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=源体二极管法"
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90 nm PDSOI MOSFET热阻研究
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微电子学 2021年 第2期51卷 251-254页
作者： 李垌帅 王芳 王可为 卜建辉 韩郑生 罗家俊 中国科学院大学 北京100049 中国科学院微电子研究所 北京100029 中国科学院硅器件技术重点实验室 北京100029
对90 nm PDSOI MOSFET的热阻进行了提取与研究。以H型栅MOSFET为研究对象,将源体二极管作为温度敏感器,通过测量源体结电流与器件温度的关系以及源体结电流与器件功率的关系,获得MOS器件功率与器件温度的关系,从而获取MOS器件热阻值。... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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