检索结果-南通市图书馆

半导体技术 2024年

作者：张力飞路新春闫妹赵德文清华大学机械工程系高端装备界面科学与技术全国重点实验室华海清科股份有限公司

SiO2磨料因其化学性质稳定及抛光后良好的表面平整度，作为关键磨料被广泛应用于化学机械抛光（CMP）。CMP后晶圆表面残留的颗粒物易引发划伤、击穿及短路等缺陷问题，严重削弱芯片的可靠性。基于SiO2颗粒在Cu、Co和介质材料表面的吸附... 详细信息

SiO2磨料因其化学性质稳定及抛光后良好的表面平整度，作为关键磨料被广泛应用于化学机械抛光（CMP）。CMP后晶圆表面残留的颗粒物易引发划伤、击穿及短路等缺陷问题，严重削弱芯片的可靠性。基于SiO2颗粒在Cu、Co和介质材料表面的吸附特性，综述了互连结构CMP后清洗技术和清洗液体系的原理、特点及研究现状。从颗粒清洗效率、表面质量、环境影响控制等多个维度对比了干法清洗和湿法清洗技术，分析了各类清洗技术的优势与局限性。此外，系统地探讨了pH调节剂、络合剂和表面活性剂等关键清洗液组分对颗粒去除的影响，从理论机制层面揭示了SiO2磨料颗粒清洗所面临的核心挑战与解决方案；同时对未来互连结构CMP后清洗工艺的发展方向进行了前瞻性展望，旨在为后续研究提供有力的理论支撑与指导方向。

关键词：互连结构化学机械抛光(CMP)后清洗 SiO 颗粒清洗技术清洗液组分

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