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1983年国际微波讨论会与微波和毫米波单片集成电路讨论会

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固体电子学研究与进展 1983年第3期 101-102页

作者：陈常晏

1983年国际单片集成电路和微波技术讨论会于5月30日至6月3日在美国波士顿召开,大会共发表论文189篇.其主要内容有:微波及毫米波单片集成电路、微波滤波器及无源网络、近毫米波技术、毫米波固体器件、微波生物效应、GaAs FET放大器和振... 详细信息

1983年国际单片集成电路和微波技术讨论会于5月30日至6月3日在美国波士顿召开,大会共发表论文189篇.其主要内容有:微波及毫米波单片集成电路、微波滤波器及无源网络、近毫米波技术、毫米波固体器件、微波生物效应、GaAs FET放大器和振荡器、毫米波集成电路、声表面波滤波器、GaAs FET在整机系统中的应用、波导结构中的新效应、微波系统、Impatt二极管功率合成器、MIC微波测量、半导体控制电路、微波集成电路、微波通讯系统、低噪声接收技术、场理论等近20个方面.包括了微波领域中的主要新成就、新技术及新动向,是一年一度的微波技术盛会.下面着重介绍笔者认为比较重要的几个部分.

关键词：毫米波单片集成电路双极晶体管 FET 场效应器件噪声系数行波管栅控微波管混合微波集成电路输出功率微波电磁波

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一种超宽带数字移相器设计方法

西安电子科技大学学报 2016年第6期43卷 129-134页

作者：张洪刚刘洛琨菅春晓张先锋郑小雨信息工程大学信息系统工程学院河南郑州450001

基于矢量合成理论,采用混合微波集成电路技术,提出了一种超宽带数字移相器的设计方法.该方法通过调节两路正交信号的幅度合成得到第一象限内不同幅相的矢量,采用三级级联的结构实现对输入信号的360°移相.运用此方法设计制作了一款超高... 详细信息

基于矢量合成理论,采用混合微波集成电路技术,提出了一种超宽带数字移相器的设计方法.该方法通过调节两路正交信号的幅度合成得到第一象限内不同幅相的矢量,采用三级级联的结构实现对输入信号的360°移相.运用此方法设计制作了一款超高频、超宽带6位数字移相器.该移相器在相对带宽57%的工作频带内,相位均方根误差小于3.8°,幅度不平衡度小于3.0dB,当应用在宽工作带宽、窄瞬时信号带宽的相控阵天线时,通过划分频带分段修正使幅度不平衡度降低到2.5dB以下,同时减小相位均方根误差至3.0°以下,满足某型相控阵天线的需求.

关键词：矢量合成混合微波集成电路超宽带数字移相器相位均方根误差相控阵天线

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数字波束形成接收机组件

高技术通讯 1992年第4期 30-32页

作者：周根祥孙琪顾仲如肖德远张远见黄川东南京电子技术研究所

数字波束形成(DBF)接收机组件是未来DBF雷达的关键部件。该组件系采用厚膜混合微波集成电路(HMIC)和表面安装技术(SMT)实现的。对设计原理、组件构成和关键技术进行了讨论,最后给出了实验结果。

关键词：数字波束形成雷达表面安装技术混合微波集成电路

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各向异性介质基片上厚金属鳍线特性的研究

微波学报 1987年第3期4卷 1-10页

作者：黄季甫杨铨让南京工学院

本文分析了各向异性介质基片上考虑金属鳍厚度的单侧鳍线和耦合侧鳍线的特性。应用横向等效传输线分析法推导出求解传播常数的矩阵方程,最后结合Galerkin′s方程算出了几组传播常数色散特性曲线。

关键词：混合微波集成电路鳍线各向异性介质横向等效传输线法

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发射-接收组件老化结果分析

雷达与对抗 1988年第5期 65-70页

作者： R.J.斯利瓦姜永美

大量资料证实了固态相控阵口径的优越性。其中特别是发射-接收(T/R)组件的研制正迅速地发展。随着T/R组件技术的成熟,在设计与制造小巧而牢固的组件时需要考虑其可靠性问题。现已对采用混合微波集成电路的X波段相控阵T/R组件作了可靠性... 详细信息

大量资料证实了固态相控阵口径的优越性。其中特别是发射-接收(T/R)组件的研制正迅速地发展。随着T/R组件技术的成熟,在设计与制造小巧而牢固的组件时需要考虑其可靠性问题。现已对采用混合微波集成电路的X波段相控阵T/R组件作了可靠性试验。

关键词：组件结果分析混合微波集成电路波段平均误差测量误差相位误差

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发展氮化镓集成电路的考虑

微纳电子技术 2003年第6期40卷 1-5页

作者：袁明文中电科集团第十三研究所河北石家庄050051

介绍了氮化镓微电子器件的优势和现状。提出将GaNHEMT作为微波器件用于混合微波集成电路(MIC)和微波单片集成电路(MMIC),在射频输出功率、器件优值等方面,均具有明显优点,并列举了成功的例子。为了加快发展MMIC,必须解决好几个关键问题... 详细信息

介绍了氮化镓微电子器件的优势和现状。提出将GaNHEMT作为微波器件用于混合微波集成电路(MIC)和微波单片集成电路(MMIC),在射频输出功率、器件优值等方面,均具有明显优点,并列举了成功的例子。为了加快发展MMIC,必须解决好几个关键问题,即提高材料质量和尺寸,完善制造工艺,克服器件电流下降、增益过早饱和与射频输出功率退化等现象。

关键词：氮化镓集成电路 GaN 混合微波集成电路

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混合集成技术前景广阔

科技信息 2000年第11期 24-24页

作者：张经国

混合集成技术经过三十多年的发展,已成为微电子技术的两大重要组成部分之一。混合集成电路(HIC)与半导体集成电路相比具有独自的特点,不仅可弥补半导体集成电路的不足,而且能充分发挥半导体集成电路高集成度、高速等特点,成为实现电子... 详细信息

混合集成技术经过三十多年的发展,已成为微电子技术的两大重要组成部分之一。混合集成电路(HIC)与半导体集成电路相比具有独自的特点,不仅可弥补半导体集成电路的不足,而且能充分发挥半导体集成电路高集成度、高速等特点,成为实现电子系统小型化、高性能化、多功能化、

关键词：混合集成电路半导体集成电路技术前景多芯片组件微电子技术技术途径微电子组件混合微波集成电路甚大规模集成电路功率集成电路