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共焦显微拉曼光谱深度剖析法在笔迹鉴定中的应用

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光谱学与光谱分析 2005年第1期25卷 51-53页

作者：林海波徐晓轩王斌杨延勇俞钢张存洲李杰南开大学物理科学学院光子学中心天津300071 兵团公安局物证鉴定中心新疆乌鲁木齐830002

利用共焦显微拉曼光谱纵向扫描采样手段,发展了一种深度剖析光谱方法在法庭科学领域的新应用,并将此方法具体运用到了书写笔迹与印章印泥的鉴定,在纵向上区分笔迹和印泥的空间位置上取得了很好效果。该方法具有快速、简便、灵敏度高、... 详细信息

利用共焦显微拉曼光谱纵向扫描采样手段,发展了一种深度剖析光谱方法在法庭科学领域的新应用,并将此方法具体运用到了书写笔迹与印章印泥的鉴定,在纵向上区分笔迹和印泥的空间位置上取得了很好效果。该方法具有快速、简便、灵敏度高、对样品无损伤等优点。

关键词：深度剖析拉曼光谱谱方法样品领域灵敏度具体印泥笔迹鉴定法庭科学

氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si薄膜深度剖析

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材料科学与工艺 2007年第5期15卷 685-688页

作者：李庚伟吴正龙邵素珍刘志凯中国地质大学(北京)材料科学与工程学院北京100083 北京师范大学分析测试中心北京100875 北京市第四十七中学北京100090 中国科学院半导体材料科学实验室北京100083

对于在Si(111)上用氧离子束辅助(O+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)生长的ZnO薄膜,用X射线光电子能谱(XPS)深度剖析方法对长成的样品进行了异位测试,分析了导致各峰峰位能移的因素;通过异位与原位XPS谱图的比较,指出O+-assistedPLD法生成的... 详细信息

对于在Si(111)上用氧离子束辅助(O+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)生长的ZnO薄膜,用X射线光电子能谱(XPS)深度剖析方法对长成的样品进行了异位测试,分析了导致各峰峰位能移的因素;通过异位与原位XPS谱图的比较,指出O+-assistedPLD法生成的ZnO薄膜中存在孔隙;指出生长出的ZnO薄膜中含Si成分的厚度不超过18nm;同时探讨了在长成的ZnO/Si上继续生长GaN薄膜的可行性.

关键词： ZnO/Si异质结构氧离子柬辅助(O^+-assisted)PLD X射线光电子能谱(XPS) 深度剖析

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提高深度剖析拉曼光谱的纵向分辨能力

红外与毫米波学报 2003年第1期22卷 63-67页

作者：徐晓轩林海波武中臣杨延勇朱箭张存洲张光寅南开大学光子学中心天津300071 英国RENISHAW公司

使用适当近似从理论上给出了共焦显微拉曼光谱仪的纵向仪器响应函数 .针对相对薄 (几个 μm)的样品 (诸如半导体薄膜材料 )给出了一个简化的卷积模型 .利用共焦显微拉曼光谱的深度剖析方法 ,研究了激光晶化后的非晶硅薄膜 ,并利用反卷... 详细信息

使用适当近似从理论上给出了共焦显微拉曼光谱仪的纵向仪器响应函数 .针对相对薄 (几个 μm)的样品 (诸如半导体薄膜材料 )给出了一个简化的卷积模型 .利用共焦显微拉曼光谱的深度剖析方法 ,研究了激光晶化后的非晶硅薄膜 ,并利用反卷积算法 ,提高了对薄膜纵向结构的分辨能力 ,发现了激光晶化产生的纳米微晶硅仅位于薄膜中间 .

关键词：纵向分辨能力共焦显微拉曼光谱仪深度剖析激光晶化微晶硅薄膜卷积模型薄膜分析

GaAs/GaAlAs光阴极的XPS深度剖析

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真空科学与技术学报 2013年第8期33卷 803-807页

作者：冯刘张连东刘晖程宏昌高翔陈高善史鹏飞苗壮微光夜视技术重点实验室西安710065 北方夜视科技集团有限公司昆明650223

GaAs光阴极是一种高性能光阴极,它由GaAs/GaAlAs外延片和玻璃基底粘接而成。为了了解外延片的元素深度分布和各层的均匀性,利用X射线光电子能谱和Ar离子刻蚀来进行深度剖析。结果表明,由于送样过程中曾短暂暴露大气,因而GaAs光阴极表面... 详细信息

GaAs光阴极是一种高性能光阴极,它由GaAs/GaAlAs外延片和玻璃基底粘接而成。为了了解外延片的元素深度分布和各层的均匀性,利用X射线光电子能谱和Ar离子刻蚀来进行深度剖析。结果表明,由于送样过程中曾短暂暴露大气,因而GaAs光阴极表面吸附有少量C、O污染,并且GaAs表层被氧化;GaAs层中的Ga、As元素含量非常均匀,约为3∶2,富Ga;而GaAlAs层中的Ga、Al和As含量比约为1∶1∶2,Ga略少于Al,但稍大于Ga0.42Al0.58As的比例。Ar离子枪采用3kV、1μA模式,刻蚀面积1 mm×1 mm,结合C-V测试得到的各层厚度数据,可以计算出该模式下各层的刻蚀速率,GaAs层的刻蚀速率约为1.091 nm/s,而GaAlAs层约为0.790 nm/s,并且推算出GaAs的溅射产额为4.00,GaAlAs的溅射产额为2.90。

关键词：深度剖析 GaAs X射线光电子能谱刻蚀速率溅射产额

Al-Mg(Cu)合金钝化膜的XPS深度剖析

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金属学报 1987年第2期23卷 223-229页

作者：王当憨刘世宏郭宝兰朱墨娴李获中国科学院化学研究所北京航空学院

本文对一种Al-Mg合金和二种Al-Cu合金的钝化膜进行了深度剖析.结果表明,在三种合金的K2CrO7钝化膜中,除主要成分Al2O3外,还有一定量的Cr2O3存于钝化膜中。从而明确地回答了在K2Cr2O7钝化膜中是否有Cr2O3,这一长期有争议的问题。在三种... 详细信息

本文对一种Al-Mg合金和二种Al-Cu合金的钝化膜进行了深度剖析.结果表明,在三种合金的K2CrO7钝化膜中,除主要成分Al2O3外,还有一定量的Cr2O3存于钝化膜中。从而明确地回答了在K2Cr2O7钝化膜中是否有Cr2O3,这一长期有争议的问题。在三种合金的8108钝化膜中,除Al2O3外,还首先观察到有一定量的金属氮化物和金属络合物.此外,在两种Al-Cu合金的K2Cr2O7和8108钝化膜表面,均未捕获到Cu的信息,Cu被钝化膜覆盖.但有趣的是,两种合金中含量甚低的Mg,由于其氧化迁移富集,结果在两种钝化膜的表面,均给出清晰的Mg原子信息.

关键词：钝化膜光学薄膜 Al-Mg XPS Cu 深度剖析

涂层材料激光剥蚀电感耦合等离子体质谱深度剖析进展

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冶金分析 2021年第12期41卷 39-49页

作者：胡圣虹张鼎文张丽萍靳兰兰郭伟中国地质大学(武汉)生物地质与环境地质国家重点实验室地球科学学院中国地质科学院郑州矿产综合利用研究所

不同组成和厚度的涂层材料能够满足使用均质材料不能满足的关键需求,因而受到了越来越多的关注,因此需要发展一种快速准确的深度剖析技术以对涂层材料的元素组成和分布情况进行表征。文章主要介绍了激光剥蚀电感耦合等离子体质谱(Laser ... 详细信息

不同组成和厚度的涂层材料能够满足使用均质材料不能满足的关键需求,因而受到了越来越多的关注,因此需要发展一种快速准确的深度剖析技术以对涂层材料的元素组成和分布情况进行表征。文章主要介绍了激光剥蚀电感耦合等离子体质谱(Laser ablation inductively coupled plasma mass spectrometry, LA-ICP-MS)深度剖析技术,详细阐述了LA-ICP-MS深度剖析技术的基本原理、相较于其他分析技术的优势和深度分辨率的计算方法,总结了激光剥蚀参数、涂层材料厚度和剥蚀池的几何形状这3个方面对多层涂层材料深度剖析和深度分辨率的影响,介绍了LA-ICP-MS深度剖析技术在陶瓷涂层、金属镀层材料、玻璃和聚合物涂层分析中的应用实效。

关键词：激光剥蚀电感耦合等离子体质谱(LA-ICP-MS) 深度剖析深度分辨率剥蚀池涂层材料

^（16）O（α，α）^（16）O锐共振在加速器能量快速校刻及氧元素深度剖析中的应用

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复旦学报（自然科学版） 1994年第1期33卷 22-26页

作者：周颖耀何文权承焕生赵国庆周筑颖复旦大学李政道物理学综合实验室复旦大学原子核科学系

使用自动能量校刻程序辅助非卢瑟福背散射分析技术，实现加速器能量的快速校刻，并用１６Ｏ（α，α）１６Ｏ３．０３４ＭｅＶ锐共振精确测量了Ｗ／Ｓｉ样品的氧元素深度分布．程序的建议部分所采用的参数误差定量计算方法，简化了以往... 详细信息

使用自动能量校刻程序辅助非卢瑟福背散射分析技术，实现加速器能量的快速校刻，并用１６Ｏ（α，α）１６Ｏ３．０３４ＭｅＶ锐共振精确测量了Ｗ／Ｓｉ样品的氧元素深度分布．程序的建议部分所采用的参数误差定量计算方法，简化了以往的能量校刻过程．

关键词：能量校刻深度剖析加速器氧 RBS

不同气氛下退火的ZnO/Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)界面深度剖析（英文）

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稀有金属材料与工程 2016年第S1期45卷 453-456页

作者：李佳 Michiko Yoshitake 宋伟杰中国科学院宁波材料技术与工程研究所浙江宁波315201 National Institute for Materials Science TsukubaJapan

采用溶胶-凝胶法制备了Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)(BLT)铁电薄膜,并分别于Ar、O_2和空气中退火。同时,制备了BLT/ZnO(8nm)结构,并采用X射线光电子能谱深度剖析技术对界面的化学状态进行了分析。结果显示:BLT薄膜中的Bi扩散到了ZnO层... 详细信息

采用溶胶-凝胶法制备了Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)(BLT)铁电薄膜,并分别于Ar、O_2和空气中退火。同时,制备了BLT/ZnO(8nm)结构,并采用X射线光电子能谱深度剖析技术对界面的化学状态进行了分析。结果显示:BLT薄膜中的Bi扩散到了ZnO层中,ZnO层中的Zn也进入到BLT薄膜内部。同时,退火气氛中氧气的含量越多,Bi-O及Ti-O键将变得更为稳定。这一结果有助于对提升以半导体为沟道的铁电栅场效应晶体管的性能起到指导作用。

关键词： BLT ZnO 退火气氛 XPS 深度剖析

产学研结合具体实践中的问题与对策——基于典型案例的深度剖析

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中国科技论坛 2020年第7期 11-13页

作者：任星欣余嘉俊重庆大学公共管理学院

产学研结合作为一项促进经济发展的战略措施,在我国实施开展已经超过30年,取得了一定的成效[1-2]。然而,当前产学研结合依然存在不少问题,产学研依旧处于某种程度的“割裂”之中。产学研结合在具体实践中到底存在哪些问题?解决这些问题... 详细信息

产学研结合作为一项促进经济发展的战略措施,在我国实施开展已经超过30年,取得了一定的成效[1-2]。然而,当前产学研结合依然存在不少问题,产学研依旧处于某种程度的“割裂”之中。产学研结合在具体实践中到底存在哪些问题?解决这些问题的对策又是什么?本文以2035年科技发展愿景为导向,选取一个具有代表性的案例,通过“解剖麻雀”尝试回答上述问题,并探讨到2035年实现产学研有效结合的可行路径。

关键词：产学研结合深度剖析可行路径发展愿景有效结合典型案例问题的对策