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MEMS中硅的深度湿法刻蚀研究

湖北大学学报（自然科学版） 2007年第3期29卷 255-257页

作者：张凯顾豪爽胡光叶芸吴雯刘婵湖北大学物理学与电子技术学院湖北武汉430062

探讨用于MEMS硅湿法刻蚀的刻蚀液浓度、温度、添加剂种类和浓度对刻蚀速率及表面粗糙度的影响,优化得到最佳刻蚀条件,刻蚀速率较常用刻蚀条件时提高约3倍;用扫描电镜观察刻蚀后的表面形貌,结果显示优化刻蚀条件下硅表面粗糙度得到极大... 详细信息

探讨用于MEMS硅湿法刻蚀的刻蚀液浓度、温度、添加剂种类和浓度对刻蚀速率及表面粗糙度的影响,优化得到最佳刻蚀条件,刻蚀速率较常用刻蚀条件时提高约3倍;用扫描电镜观察刻蚀后的表面形貌,结果显示优化刻蚀条件下硅表面粗糙度得到极大的改善.以优化的刻蚀条件进行深度刻蚀,蚀刻出深达236μm的窗口,图形完整,各向异性良好.

关键词：微机电系统湿法刻蚀深度刻蚀刻蚀速率表面粗糙度

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铜导线短路熔痕的XPS研究

光谱学与光谱分析 2010年第5期30卷 1408-1412页

作者：吴莹孟庆山王新明高伟邸曼公安部沈阳消防研究所火灾现场勘验与物证鉴定公安部重点实验室辽宁沈阳110034

利用氩离子溅射对熔痕样品进行了深度刻蚀,同时利用Cu的俄歇谱线和计算的俄歇参数值,对不同环境形成的铜导线短路痕迹的物相及元素分布规律进行了分析。根据刻蚀时间可将一次短路熔痕表面膜层分为三部分,即C含量迅速减少的近表面层;O含... 详细信息

利用氩离子溅射对熔痕样品进行了深度刻蚀,同时利用Cu的俄歇谱线和计算的俄歇参数值,对不同环境形成的铜导线短路痕迹的物相及元素分布规律进行了分析。根据刻蚀时间可将一次短路熔痕表面膜层分为三部分,即C含量迅速减少的近表面层;O含量变化不大,C含量逐渐消失且有Cu2O相的中间层;无Cu2O相,O含量显著减少的过渡层。而将二次短路熔痕表面膜层分为两部分:C含量迅速减少的近表面层;无Cu2O相,C和O量逐渐减少层。由此可见,一次短路熔痕的表面膜层与基体分界明显,有显著的过渡层,而二次短路熔痕的表面膜层与基体分界不明显,无过渡层。综上所述,可以根据两种短路熔痕是否含有Cu2O相以及定量分析结果来区分两种熔痕,为判断火灾原因提供新的技术依据。

关键词：深度刻蚀光电子能谱俄歇参数短路熔痕

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电位活化现象与金属电沉积初始过程的研究

物理化学学报 2005年第5期21卷 463-467页

作者：冯绍彬商士波包祥冯丽婷张经纬李宗慧郑州轻工业学院材料与化学工程学院郑州450002 河南大学特种功能材料重点实验室开封475001

进行了恒电流电位-时间曲线和循环伏安曲线的测定,显示了铁电极进行氰化物镀铜时,镀层沉积前铁表面的电位活化过程.对铁电极上焦磷酸盐镀铜的初始过程研究表明,由于铜的析出电位较正,铜是在未活化的电极表面上沉积的,因此镀层的结合强... 详细信息

进行了恒电流电位-时间曲线和循环伏安曲线的测定,显示了铁电极进行氰化物镀铜时,镀层沉积前铁表面的电位活化过程.对铁电极上焦磷酸盐镀铜的初始过程研究表明,由于铜的析出电位较正,铜是在未活化的电极表面上沉积的,因此镀层的结合强度很差.采用氩离子溅射和X射线光电子能谱相结合的方法,检测焦磷酸盐镀铜层和铁基体界面区含氧量的变化,证明了氧化层的存在.通过添加辅助络合剂和控制起始电流密度的方法,可以增强无氰电镀时阴极的极化.当铜的析出电位负于铁基体的活化电位时,可显示出铁表面的电位活化过程,定量测量镀层的结合强度也与氰化物电镀相近.

关键词：电沉积初始过程电位活化结合强度深度刻蚀 X射线光电子能谱

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用于药物透皮传输的微针阵列加工工艺

机械工程学报 2006年第2期42卷 68-70,75页

作者：傅新焦峰谢海波杨华勇浙江大学流体传动及控制国家重点实验室杭州310027

尽管现代生物技术制造出了许多新型的合成药物,但是利用目前的给药方式(比如口服或肌肉注射),不能将这些药物有效的输入人体。透皮给药是解决这个问题的一个有效途径,但由于人体皮肤的渗透性很差,使透皮给药方式的应用受到限制。透皮给... 详细信息

尽管现代生物技术制造出了许多新型的合成药物,但是利用目前的给药方式(比如口服或肌肉注射),不能将这些药物有效的输入人体。透皮给药是解决这个问题的一个有效途径,但由于人体皮肤的渗透性很差,使透皮给药方式的应用受到限制。透皮给药的最大障碍是皮肤表层12μm厚的角质层,而神经处在更深层的组织中,因此利用硅微加工技术制作了一种微针阵列,既可以穿透皮肤的角质层,又不触及到深层组织中的神经,从而形成一种渗透性好且无任何痛苦的新型透皮给药方式,这种给药方式的关键技术是微针阵列的加工,着重讨论硅材料微针阵列加工的各向同性刻蚀和各向异性刻蚀两种工艺。

关键词：透皮给药微针阵列各项同性刻蚀深度刻蚀

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焦磷酸盐电镀铜初始过程研究

电化学 2005年第2期11卷 228-231页

作者：冯绍彬商士波冯丽婷郑州轻工业学院材料与化学工程学院河南郑州450002

应用恒电流法研究了铁基体上焦磷酸盐电镀铜电位时间变化类型与镀层结合强度之间的关系.提出了临界起始电流密度(DKC)概念.当起始工作电流DKI大于DKC时,铁电极首先被极化至铁表面的活化电位,即基体表面被活化,随后极化至铜的析出电位,... 详细信息

应用恒电流法研究了铁基体上焦磷酸盐电镀铜电位时间变化类型与镀层结合强度之间的关系.提出了临界起始电流密度(DKC)概念.当起始工作电流DKI大于DKC时,铁电极首先被极化至铁表面的活化电位,即基体表面被活化,随后极化至铜的析出电位,使铜层沉积在活化的铁基体表面上,形成具有良好结合强度的铜镀层.反之,如DKI小于DKC,则铜层只能在"钝化"的含氧层表面上析出,得到的镀层结合强度很差.由氩离子溅射深度刻蚀和X射线光电子能谱(XPS)检测出结合强度差的镀层和基体间界面含氧层的存在.调整工艺条件,优化了焦磷酸盐直接镀铜工艺,可降低工艺的DKC,得到与铁基体具有良好结合强度的电镀层.

关键词：焦磷酸盐镀铜临界起始电流密度结合强度 XPS 深度刻蚀

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用于微电子机械系统的干膜光刻工艺研究

苏州大学学报（自然科学版） 2011年第4期27卷 53-56页

作者：朱昊枢胡进朱新生苏大维格光电科技股份有限公司江苏苏州215000 苏州大学信息光学与工程研究所江苏苏州215000 苏州大学纺织与服装工程学院江苏苏州215021

干膜光阻的光刻工艺因简单廉价,正在逐渐替代传统的光刻工艺.本文针对干膜光刻的贴膜、曝光和显影等工艺参数进行优化,并将其应用于深槽刻蚀.试验结果表明:整套工艺过程简单可靠,几何尺寸控制良好,产品质量高.

关键词：干膜光刻胶深度刻蚀准LIGA