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ZnS晶体中浅电子陷阱对光电子衰减过程的影响

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人工晶体学报 2005年第1期34卷 116-119页

作者：董国义窦军红张蕾韦志仁葛世艳郑一博林琳田少华河北大学物理科学与技术学院保定071002 中央司法警官学院保定071000

本文采用微波吸收法,测量了ZnS:Mn,Cu:I,Br粉末材料受到超短激光脉冲激发后,其光生电子和浅束缚电子的衰减过程。发现制备过程中Mn2+、Cu+、I-、Br-的掺杂量对光生导带电子的衰减过程有明显的影响。光生电子寿命是I-、Br-形成的浅施主... 详细信息

本文采用微波吸收法,测量了ZnS:Mn,Cu:I,Br粉末材料受到超短激光脉冲激发后,其光生电子和浅束缚电子的衰减过程。发现制备过程中Mn2+、Cu+、I-、Br-的掺杂量对光生导带电子的衰减过程有明显的影响。光生电子寿命是I-、Br-形成的浅施主能级和Cu+受主能级、Mn2+发光中心共同作用的结果。本文还测量了材料的热释光曲线,Cu+受主能级、Mn2+发光中心会影响热释光强度,证实I-、Br-形成电子陷阱对光生电子和浅陷阱中的电子寿命有延长作用,而Mn2+发光中心会起到缩短寿命的作用。

关键词：发光 ZnS晶体能级中心光电子衰减浅电子陷阱导带受主施主制备过程

立方体AgCl微晶中[Fe(CN)_6]^(4-)引入的浅电子陷阱阱深与俘获截面的动力学模拟

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物理学报 2003年第11期52卷 2649-2654页

作者：杨少鹏傅广生李晓苇耿爱从韩理河北大学物理科学与技术学院保定071002

为了描述在晶体生长阶段掺入 [Fe(CN) 6 ]4 - 的立方体AgCl微晶中光电子的产生与衰减过程 ,建立了一种由三个固有中心和一个浅电子陷阱 (SETs)组成的动力学模型 ,并引出一组微分方程 .通过求解微分方程得到与实验结果相符合的光电子衰... 详细信息

为了描述在晶体生长阶段掺入 [Fe(CN) 6 ]4 - 的立方体AgCl微晶中光电子的产生与衰减过程 ,建立了一种由三个固有中心和一个浅电子陷阱 (SETs)组成的动力学模型 ,并引出一组微分方程 .通过求解微分方程得到与实验结果相符合的光电子衰减曲线及其寿命 .调整相关模拟参数 ,于常温下得到由 [Fe(CN) 6 ]4 - 引入的SETs阱深为0 115eV ,电子俘获截面为 2 136× 10 - 1 7cm2 .

关键词：氯化银微晶俘获截面浅电子陷阱光电子掺杂动力学模拟照相性能

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浅电子陷阱掺杂剂

感光材料 1996年第3期 23-25页

作者：陈浴淙夏门福达感光材料有限公司

介绍如何选择浅电子陷阱掺杂剂，用以提高卤化银乳剂的感光度、改善互易律失效等性能。

关键词：浅电子陷阱掺杂剂卤化银乳剂感光度

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浅电子陷阱技术

信息记录材料 2001年第1期2卷 36-41页

作者：刘徐红中国乐凯胶片公司保定071054

浅电子陷阱技术是掺杂技术的一个分支，近年来有关它的研究和应用又开始受到人们的重视。本文简单介绍了照相乳剂颗粒中浅电子陷阱的形成及原理，并对可形成浅电子陷阱的掺杂剂的类型及其在卤化银乳剂颗粒中掺杂的部位、使用量和所起的... 详细信息

浅电子陷阱技术是掺杂技术的一个分支，近年来有关它的研究和应用又开始受到人们的重视。本文简单介绍了照相乳剂颗粒中浅电子陷阱的形成及原理，并对可形成浅电子陷阱的掺杂剂的类型及其在卤化银乳剂颗粒中掺杂的部位、使用量和所起的作用进行了初步的分析。在卤化银乳剂制备过程中使用浅电子陷阱剂可有效地提高照相感光度。

关键词：浅电子陷阱掺杂剂感光度照相乳剂制备

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卤化银微晶中的浅电子陷阱掺杂特性

卤化银微晶中的浅电子陷阱掺杂特性

作者：耿爱丛河北大学

学位级别：硕士

本工作以光电子动力学理论为依据，建立了一种描述纯卤化银微晶及掺有不同浓度金属离子络合物的卤化银立方体微晶在室温下的能级模型，由此生成了一组描述粒子数关系的微分方程。通过计算该微分方程组得到了乳剂中各种光生载流子在超短... 详细信息

本工作以光电子动力学理论为依据，建立了一种描述纯卤化银微晶及掺有不同浓度金属离子络合物的卤化银立方体微晶在室温下的能级模型，由此生成了一组描述粒子数关系的微分方程。通过计算该微分方程组得到了乳剂中各种光生载流子在超短脉冲曝光后的行为曲线，从而计算出自由光电子的衰减时间。通过分析模拟结果，确定了自由光电子衰减时间和模拟参数的对应关系，从而为确定具体乳剂中的参数提供依据。在此基础上，以微波吸收介电谱检测技术的实验结果为依据，对掺有KFe(CN)的AgCl立方体微晶在室温下的曝光过程进行了模拟，通过调节模拟参数，不但计算出由掺杂剂引入的浅电子陷阱的俘获截面和陷阱深度，而且得到了这种掺杂乳剂的最佳掺杂浓度。

关键词：浅电子陷阱卤化银计算机模拟掺杂浓度光电子

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卤化银微晶中浅电子陷阱的阈值效应

信息记录材料 2004年第1期5卷 6-9页

作者：张荣香刘荣鹃耿爱丛韩理李晓苇杨少鹏傅广生河北大学物理科学与技术学院河北保定071002

依据描述卤化银微晶中光生载流子的微观动力学过程的基本模型 ,分析了自由光电子衰减时间随浅电子陷阱深度和密度的变化情况 ,从而对浅电子陷阱的阈值效应进行了讨论 ,给出了确定卤化银乳剂中浅电子陷阱最佳掺杂条件的依据。

关键词：卤化银微晶光生载流子自由光电子浅电子陷阱阈值效应

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浅电子陷阱掺杂剂——Ru（Ⅱ）的应用研究

浅电子陷阱掺杂剂——Ru（Ⅱ）的应用研究

掺杂的AgCl微晶在化学增感条件下的光电子衰减特性

中国感光学会第六届青年学术交流会

作者：王志坚王文桂中国乐凯胶片公司中国乐凯胶片公司

本文研究了浅电子陷阱掺杂剂—钌盐（Ru（Ⅱ））加入纯溴立方体乳剂中,对感光度的影响,结果表明在乳剂颗粒的一定位置,掺杂一定量钌盐能明显提高乳剂感光度。

关键词：浅电子陷阱掺杂剂钌盐感光度

来源： cnki会议评论

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cnki会议

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光谱学与光谱分析 2006年第9期26卷 1581-1583页

作者：李晓苇江晓利孟涛代秀红赵晓辉董国义韩理河北大学物理科学与技术学院河北保定071002

利用微波吸收介电谱技术研究了KaFe（CN）6浅电子陷阱掺杂剂和S＋Au增感剂对立方体AgCl微晶光生电子衰减时间分辨特性的影响。结果表明，掺杂浓度为10^-8～10^-7mol·mol^-1 Ag时，在增感之前，掺杂位置越接近表面时，光电子衰减过程会... 详细信息

利用微波吸收介电谱技术研究了KaFe（CN）6浅电子陷阱掺杂剂和S＋Au增感剂对立方体AgCl微晶光生电子衰减时间分辨特性的影响。结果表明，掺杂浓度为10^-8～10^-7mol·mol^-1 Ag时，在增感之前，掺杂位置越接近表面时，光电子衰减过程会变慢，即衰减时间增加；S＋Au增感后的掺杂乳剂中光电子衰减变快，说明了增感中心起深电子陷阱作用，当掺杂位置接近表面90％Ag时，光电子衰减时间突然减小，说明表面掺杂中心和增感中心可能发生了某些反应。

关键词：氯化银浅电子陷阱 S+Au增感掺杂光电子衰减谱

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掺杂AgCl中光电子衰减特性研究

人工晶体学报 2009年第5期38卷 1142-1145,1159页

作者：代秀红张荣香李晓苇董国义杨少鹏韩理河北大学物理科学与技术学院保定071002

利用微波吸收介电谱检测技术,检测均匀掺杂[Fe(CN)6]4-盐的立方体AgCl微晶首次曝光后的自由和浅束缚光电子的衰减时间分辨谱。实验发现,随着掺杂浓度的增加,样品中自由光电子衰减时间逐渐从未掺杂时的116ns延长至1133ns。分析光电子衰... 详细信息

利用微波吸收介电谱检测技术,检测均匀掺杂[Fe(CN)6]4-盐的立方体AgCl微晶首次曝光后的自由和浅束缚光电子的衰减时间分辨谱。实验发现,随着掺杂浓度的增加,样品中自由光电子衰减时间逐渐从未掺杂时的116ns延长至1133ns。分析光电子衰减曲线还同时得到,随着掺杂浓度的增加,光电子的前期较慢衰减过程逐渐变快,后期较快衰减过程逐渐变慢,总体上衰减时间逐渐增加,且掺杂浓度变化对后期衰减影响较大。研究表明掺杂使得晶体中引入了能总体上延缓光电子衰减的浅电子陷阱,并且随掺杂浓度的增加,浅电子陷阱特征更加明显。

关键词：微波吸收介电谱掺杂浓度光电子衰减浅电子陷阱