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37 条 记 录,以下是1-10 订阅
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考虑热載流子效应的MOS管模拟特性
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科技大学学报 1985年 第4期 39-45页
作者: 李肇基
本文分析了短沟N-MOS管衬底雪崩热空穴所产生的三个作用:改变反型层电导,降低源—衬底结和漏—衬底结势垒高度以及导致衬底横向n-p-n管的寄生效应,并由环增益为1的条件导出其击穿公式。讨论了纵向电场对热电的作用所导致载流子迁移率... 详细信息
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Josephson传输线中流子振荡的相锁
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湖北大学学报(自然科学版) 1993年 第3期15卷 236-241页
作者: 徐济仲 湖北大学物理系
具有cosφ损耗项的Josephson传输线中流子振荡的相锁动力学被详细地研究,找到了固定点的存在和稳定性的条件。
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流子軸向分布对半导体激光器纵模的影响
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科技大学学报 1986年 第3期 41-46页
作者: 張雨印
本文介绍载流子的轴向分布及其对半导体激光器纵模影响的研究结果。光密度的轴向不均匀分布和受激辐射复合导致栽流子的轴向不均匀分布,从而使单纵模应用受到影响。实验中制作了一个三段激光器来改变载流子的轴向分布,并从n面开窗口... 详细信息
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具有小表面损耗的长Josephson结中流子的运动
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武汉大学学报(自然科学版) 1988年 第3期 23-27页
作者: 徐济仲
本文用线性微扰法讨论了有小的表面损耗存在时的流子行为,并给出了流子的经典速度与绝热速度的近似表示式;在一级近似下我们找到了稳态时偏与速度的关系,并与实验结果进行了比较。
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臭氧对微型直流子电动机电刷-整流子接触电阻的影响
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电工技术 1984年 第12期 27-28页
作者: Т.В.Фомина 魏铭炎
微型直流子电动机长期在各种气候条件下处于不工作状态,会急剧增大起动电压。这会增加其运行失效的概率。电刷-整流子固定接点的腐蚀过程,是起动电压发生变化的主要原因。这些腐蚀过程由于电刷和整流子《耦合》,会引起电动机轴上静... 详细信息
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寻找半导体材料的途径
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化学通报 1963年 第7期 45-51页
作者: 刘文伯
近代的科学技术对半导体材料的性能不断地提出新的要求,最初发現的一些半导体材料已經显得不够了。为了寻找新的半导体材料,必須有科学的預見性。这里首先要解决的問題是什么样的物貭才具有半导体性貭,也就是說要弄清物貭結构和电学性... 详细信息
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激光退火对多晶硅结构和电学性能的影响
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北京大学学报(自然科学版) 1982年 第4期 24-32页
作者: 王阳元 张国柄 徐瑶 李宝环 中国科学院物理研究所 北京大学计算机科学技术系
利用调Q红宝石激光器(λ=6943A,τ=30mμs,能量1.8~2J/cm;),对LPCVD和常压CVD生长的多晶硅薄膜(5000A)离注入后进行退火。用透射电显微镜观察晶粒结构;用X衍射仪测定其优选晶向;用Vanderpauw方法测定电阻率、迁移率和戴流子浓... 详细信息
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任意形状长轴对称体沿长轴方向垂直地向一无界平板运动时所产生的Stokes
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应用数学和力学 1987年 第1期 17-30页
作者: 袁凡 吴望一 北京大学力学系
在任意形状长轴对称体内连续地分布Sampson平扳反演流子,采用分段等强度,分段线性和分段抛物三种近似,成功地得到了场的封闭形式的分折表达式。计算了物体和平板有不同间距,长短轴比取一系列不同值时,长球和卡西尼长卵形体的阻力系数... 详细信息
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晶体管电路讲座(一)
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技术 1963年 第1期 31-36页
作者: 章倩苓
晶体管是一种固体电器件,原指半导体三极管,但在国内由于同电管相比照,亦兼指半导体二极管等器件.在1948年就有人发现原始的点接触型三极管有放大作用,可以代替电管在电路中应用.到1951年就制成了面结型三极管.晶体管具有重量轻... 详细信息
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任意形状扁轴对称体沿短轴方向垂直地向一无界平板运动时所产生的Stokes
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北京大学学报(自然科学版) 1987年 第1期 39-48页
作者: 郭向东 吴望一 北京大学力学系
在扁轴对称体内连续地分布Sampson平板反演流子并对强度分布函数采用分段抛物近似,得到了封闭形式的场表达式。作为算例,计算了物体和平板有不同间距,长短轴比取一系列不同值时,扁球和扁卡西尼卵形体的阻力系数。同时还计算了红血球... 详细信息
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