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InGaAs/InGaAsP量子阱激光器材料带隙蓝移研究

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北京师范大学学报（自然科学版） 2001年第2期37卷 170-173页

作者：刘超李国辉韩德俊姬成周陈涌海叶小玲北京师范大学低能核物理研究所北京100875 中国科学院半导体所北京100083

为了在光开关器件的制作中实现低传输损耗的光波导 ,对InGaAs/InGaAsP分别限制异质结多量子阱 (SCH MQW )激光器结构进行了一系列带隙蓝移实验 .将能量 12MeV、注量 15×10 13cm- 2 的P+注入到实验样品后 ,在 70 0℃下快速热退火 90s.... 详细信息

为了在光开关器件的制作中实现低传输损耗的光波导 ,对InGaAs/InGaAsP分别限制异质结多量子阱 (SCH MQW )激光器结构进行了一系列带隙蓝移实验 .将能量 12MeV、注量 15×10 13cm- 2 的P+注入到实验样品后 ,在 70 0℃下快速热退火 90s.发现光致发光谱的峰值位置发生蓝移 989nm .蓝移量随着注入能量和注量的增大而增大 ,并且能量比注量对蓝移的影响更大 .

关键词：半导体激光器量子阱混合波长蓝移 InGaAs/InGaAsP 光致发光谱

不同Al组分的扩散阻挡层对无杂质空位诱导量子阱混杂的影响

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中国激光 2021年第24期48卷 40-46页

作者：张娜玲井红旗袁庆贺仲莉刘素平马骁宇中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049

为了获得更好的量子阱混杂效果,深入探讨了不同Al组分的扩散阻挡层对无杂质空位诱导量子阱混杂的影响。首先在两种不同Al组分外延片表面上分别生长了一层200nm厚的SiO_(2)介质薄膜,然后在865~905℃温度范围内,进行了90s的高温快速热退... 详细信息

为了获得更好的量子阱混杂效果,深入探讨了不同Al组分的扩散阻挡层对无杂质空位诱导量子阱混杂的影响。首先在两种不同Al组分外延片表面上分别生长了一层200nm厚的SiO_(2)介质薄膜,然后在865~905℃温度范围内,进行了90s的高温快速热退火处理。实验结果表明,低铝结构的波长蓝移量更大,且光致发光(Photoluminescence,PL)谱的强度下降更小,这说明在无杂质空位诱导量子阱混杂中,外延结构中的Al和Ga对点缺陷扩散的影响是不同的,Ga更有利于点缺陷的扩散。研究结果为无杂质空位诱导量子阱混杂的理论研究及器件的外延结构设计提供了参考。

关键词：材料高铝结构低铝结构无杂质空位诱导量子阱混杂波长蓝移

多变量Si杂质诱导InGaAs/AlGaAs量子阱混杂研究

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中国光学(中英文) 2023年第6期16卷 1512-1523页

作者：刘翠翠林楠马骁宇张月明刘素平中国原子能科学研究院国家原子能机构抗辐照应用技术创新中心北京102413 中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京101408 日立科学仪器(北京)有限公司北京100012

腔面光学灾变损伤是导致高功率量子阱半导体激光器阈值输出功率受限制的关键因素。通过量子阱混杂技术调整半导体激光器腔面局部区域处有源区材料的带隙宽度,形成对输出光透明的非吸收窗口,可提高激光器输出功率。本文基于InGaAs/AlGaA... 详细信息

腔面光学灾变损伤是导致高功率量子阱半导体激光器阈值输出功率受限制的关键因素。通过量子阱混杂技术调整半导体激光器腔面局部区域处有源区材料的带隙宽度,形成对输出光透明的非吸收窗口,可提高激光器输出功率。本文基于InGaAs/AlGaAs高功率量子阱半导体激光器初级外延片,以外延Si单晶层作为扩散源,结合快速热退火方法开展了杂质诱导量子阱混杂研究。探索了介质层生长温度、介质层厚度、热处理温度、热处理时间等条件对混杂效果的影响。结果表明,50 nm的650℃低温外延Si介质层并结合875℃/90 s快速热退火处理可在保证光致发光谱的同时获得约57 nm的波长蓝移量。能谱测试发现,Si杂质扩散到初级外延片上的波导层是导致量子阱混杂效果显著的关键。

关键词：半导体激光器量子阱混杂快速热退火波长蓝移光致发光谱

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多变量离子注入型量子阱混杂效应

激光与光电子学进展 2020年第1期57卷 168-174页

作者：葛晓红张瑞英郭春扬李安男王帅达中国科学技术大学纳米科学技术学院江苏苏州215123 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所先进材料研究部轻量化实验室江苏苏州215123

为实现InP基单片集成光电子器件和系统,对InGaAsP/InGaAsP分别限制异质结多量子阱激光器结构展开量子阱混杂(QWI)技术研究。在不同能量P离子注入、不同快速热退火(RTA)条件以及循环退火下,研究了有源区量子阱混杂技术,实验结果采用光致... 详细信息

为实现InP基单片集成光电子器件和系统,对InGaAsP/InGaAsP分别限制异质结多量子阱激光器结构展开量子阱混杂(QWI)技术研究。在不同能量P离子注入、不同快速热退火(RTA)条件以及循环退火下,研究了有源区量子阱混杂技术,实验结果采用光致发光(PL)谱进行表征。实验结果表明:在不同变量下皆可获得量子阱混杂效果,其中退火温度影响最为显著,且循环退火可进一步提高量子阱混杂效果;PL谱蓝移随着退火温度、退火时间和注入能量的增大而增大,退火温度对蓝移的影响最大,在注入剂量为1×10^14 ion/cm2,注入能量为600keV,750℃二次退火150s时获得最大蓝移量116nm。研究结果为未来基于QWI技术设计和制备单片集成光电子器件和系统奠定了基础。

关键词：激光器量子阱混杂离子注入波长蓝移光致发光谱

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染料聚合物薄膜辐射光谱

中国科技信息 2008年第21期 45-45页

作者：林文学刘劲松湖北职业技术学院华中科技大学激光技术国家重点实验室

文章通过对旋涂与涂敷制成的两种纯染料聚合物薄膜的辐射光谱进行测试,观察到涂敷薄膜辐射的是自发辐射光谱,旋涂薄膜辐射的是一种类似的激光,同时也发现了旋涂染料聚合物薄膜辐射光波长的蓝移现象。

关键词：激光染料聚合物薄膜波长蓝移