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学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程（可...
    • 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 1 篇 环栅
  • 1 篇 纳米线
  • 1 篇 沟道释放
  • 1 篇 选择性刻蚀
  • 1 篇 内侧墙
  • 1 篇 纳米片
  • 1 篇 锗硅

机构

  • 1 篇 中国科学院大学
  • 1 篇 中国科学院微电子...

作者

  • 1 篇 李俊杰
  • 1 篇 李俊峰
  • 1 篇 周娜
  • 1 篇 杨超然
  • 1 篇 刘阳
  • 1 篇 王文武
  • 1 篇 刘恩序
  • 1 篇 罗军

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=沟道释放"
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环栅晶体管制备中SiGe选择性刻蚀技术综述
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材料导报 2024年 第9期38卷 14-20页
作者： 刘恩序 李俊杰 刘阳 杨超然 周娜 李俊峰 罗军 王文武 中国科学院微电子研究所 北京100029 中国科学院大学集成电路学院 北京100049
环栅(Gate-all-around,GAA)晶体管是3 nm以下节点替代现有鳍式晶体管(FinFET)最有竞争力的器件结构,能有效改善器件尺寸不断微缩带来的短沟道效应。与FinFET相比,GAA器件制备的工艺流程中内侧墙制备和沟道释放是新引入的工艺模块,均需要... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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