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文献类型

  • 5 篇 期刊文献

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  • 5 篇 工学
    • 5 篇 材料科学与工程（可...
    • 2 篇 信息与通信工程
    • 2 篇 计算机科学与技术...
    • 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 5 篇 沟槽栅mosfet
  • 1 篇 器件模拟
  • 1 篇 漂移区电阻模型
  • 1 篇 新型沟槽
  • 1 篇 spice模型
  • 1 篇 导通电阻
  • 1 篇 沟槽工艺
  • 1 篇 沟槽栅e-jfet
  • 1 篇 沟槽结构
  • 1 篇 解析模型
  • 1 篇 功耗
  • 1 篇 器件仿真
  • 1 篇 沟槽栅氧
  • 1 篇 动态模型
  • 1 篇 碳化硅
  • 1 篇 击穿电压
  • 1 篇 阈值电压

机构

  • 2 篇 哈尔滨工程大学
  • 1 篇 东南大学
  • 1 篇 北京工业大学
  • 1 篇 株洲中车时代半导...
  • 1 篇 功率半导体与集成...

作者

  • 2 篇 程超
  • 2 篇 王颖
  • 2 篇 胡海帆
  • 1 篇 杨松霖
  • 1 篇 刘斯扬
  • 1 篇 田波
  • 1 篇 罗海辉
  • 1 篇 吴郁
  • 1 篇 李诚瞻
  • 1 篇 刘超
  • 1 篇 杨大伟
  • 1 篇 姚尧
  • 1 篇 孙伟锋
  • 1 篇 韩峰
  • 1 篇 亢宝位
  • 1 篇 张春伟

语言

  • 5 篇 中文
检索条件"主题词=沟槽栅MOSFET"
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沟槽栅mosfet器件SPICE模型（英文）
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Journal of Southeast University(English Edition) 2016年 第4期32卷 408-414页
作者： 刘超 张春伟 刘斯扬 孙伟锋 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心 南京210096
针对沟槽栅纵向双扩散场效应晶体管(trench-gate mosfet),提出了一种新型的SPICE模型.通过对沟槽栅mosfet器件的物理特性及其内在结构分析,建立了漂移区电阻模型.为了准确模拟器件的动态特性,对栅源电容、栅漏电容及源漏电容分别建立了... 详细信息
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碳化硅沟槽栅mosfet技术研究进展
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机车电传动 2023年 第5期 10-25页
作者： 罗海辉 李诚瞻 姚尧 杨松霖 株洲中车时代半导体有限公司 湖南株洲412001 功率半导体与集成技术全国重点实验室 湖南株洲412001
第三代宽禁带半导体碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC mosfet)具备耐高压、耐高温和低损耗等优点,迅速成为行业的研究热点。文章结合SiC功率mosfet器件发展历史,探讨了从平面栅技术发展到沟槽栅技术的必要性,介绍了SiC沟槽栅MOS... 详细信息
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沟槽栅功率mosfet导通电阻的模拟研究
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北京工业大学学报 2011年 第3期37卷 342-346页
作者： 王颖 程超 胡海帆 哈尔滨工程大学信息与通信工程学院 哈尔滨150001
为了进一步降低沟槽栅功率MOS器件的导通电阻,提出了一种改进的trench mosfet结构.借助成熟的器件仿真方法,详细分析了外延层杂质掺杂对器件导通电阻和击穿电压的影响,通过对常规trench mosfet和这种改进的结构进行仿真和比较,得出了击... 详细信息
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CPU电源电路用沟槽栅mosfet与e-JFET开关管的功耗对比
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中国集成电路 2009年 第5期18卷 54-58页
作者： 韩峰 亢宝位 吴郁 田波 北京工业大学功率半导体器件与功率集成电路研究室
本文主要针对低压功率开关管的功耗进行了理论分析,并在此基础上分别对两种典型结构的沟槽栅mosfet和e-JFET在不同工作频率下的功耗分布和总功耗进行了定量的仿真计算和对比。通过研究发现,在一定工作条件下,常闭型e-JFET比目前常用的... 详细信息
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短沟Trench mosfet阈值电压解析模型
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电子器件 2008年 第6期31卷 1776-1779页
作者： 王颖 程超 胡海帆 杨大伟 哈尔滨工程大学信息与通信工程学院 哈尔滨150001
传统MOS器件的阈值电压模型被广泛地用于分析Trench mosfet的阈值电压,这种模型对于长沟道和均匀分布衬底的MOS器件来说很合适,但是对于Trench mosfet器件来说却显现出越来越多的问题,这是因为Trench mosfet的沟道方向是垂直的,其杂质... 详细信息
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