检索结果-南通市图书馆

物理学报 2000年第10期49卷 2041-2046页

作者：程珊华宁兆元康健马春兰叶超苏州大学物理系苏州215006

用苯作为源气体 ,使用微波电子回旋共振 (ECR)等离子体气相沉积法在不同温度下制备了含氢非晶碳薄膜 ,研究了沉积温度对薄膜的直流电阻率、击穿场强的影响 ,发现它们与沉积速率密切相关 .测量了薄膜的含氢量与Raman谱。

关键词：非晶碳薄膜直流电阻含氢沉积温度电学性质

沉积温度及热处理对低压化学气相沉积氮化硅涂层的影响（英文）

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无机材料学报 2019年第11期34卷 1231-1237页

作者：廖春景董绍明靳喜海胡建宝张翔宇吴惠霞上海师范大学化学与材料科学学院上海200234 中国科学院上海硅酸盐研究所结构陶瓷与复合材料工程研究中心上海200050 中国科学院大学北京100049

以SiCl4-NH3-H2为前驱体,在750~1250℃范围内通过低压化学气相沉积技术于碳纤维布上制备氮化硅涂层,系统研究了沉积温度对氮化硅涂层的生长动力学、形貌、化学组成和结合态的影响。研究结果表明,在沉积温度低于1050℃的情况下,随着沉积... 详细信息

以SiCl4-NH3-H2为前驱体,在750~1250℃范围内通过低压化学气相沉积技术于碳纤维布上制备氮化硅涂层,系统研究了沉积温度对氮化硅涂层的生长动力学、形貌、化学组成和结合态的影响。研究结果表明,在沉积温度低于1050℃的情况下,随着沉积温度的升高,沉积速率单调增大。而当沉积温度高于1050℃时,沉积速率随温度升高逐渐下降。在整个沉积温度范围内,随着沉积温度的升高,涂层表面形态逐渐向菜花状转变,同时涂层表面变得愈加粗糙。涂层的最佳沉积温度在750~950℃之间。随着沉积温度的升高,涂层中氮含量先降低后升高,而硅含量不断增加,氧含量在整个温度范围内逐渐降低。原始沉积涂层均呈无定形态,经高于1300℃热处理后实现晶化,并伴随着表面形貌的显著变化。此时涂层仅由a-Si3N4构成,不存在任何b-Si3N4相。

关键词：氮化硅涂层生长动力学沉积温度化学组成热处理

沉积温度对钛硅共掺杂类金刚石薄膜生长、结构和力学性能的影响

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物理学报 2014年第2期63卷 346-352页

作者：姜金龙黄浩王琼王善民魏智强杨华郝俊英兰州理工大学应用物理系兰州730050 中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室兰州730000

采用中频磁控溅射Ti80Si20复合靶在单晶硅表面制备了共掺杂的类金刚石薄膜.研究了沉积温度对薄膜生长速率、化学成分、结构、表面性质和力学性能的影响.结果表明:随沉积温度升高,薄膜生长速率降低,薄膜Ti和Si原子浓度增加,C原子浓度降低... 详细信息

采用中频磁控溅射Ti80Si20复合靶在单晶硅表面制备了共掺杂的类金刚石薄膜.研究了沉积温度对薄膜生长速率、化学成分、结构、表面性质和力学性能的影响.结果表明:随沉积温度升高,薄膜生长速率降低,薄膜Ti和Si原子浓度增加,C原子浓度降低;在高温下沉积的薄膜具有低sp3C含量、低表面接触角、低内应力和高的硬度与弹性模量.基于亚表层注入生长模型分析了沉积温度对薄膜生长和键合结构的影响,从薄膜生长机制和微观结构解释了表面性质和力学性能的变化.

关键词：类金刚石薄膜共掺杂沉积温度结构与性能

沉积温度对高功率脉冲磁控溅射AlCrSiN涂层结构和性能的影响

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稀有金属材料与工程 2018年第8期47卷 2578-2584页

作者：王铁钢李柏松张姣姣唐宽瑜刘艳梅姜肃猛天津职业技术师范大学天津市高速切削与精密加工重点实验室天津300222 中国科学院金属研究所辽宁沈阳110016

采用高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)技术在不同沉积温度下制备了Al-Cr-Si-N涂层。系统研究了沉积温度对涂层结构、成分、显微形貌、力学和摩擦学性能的影响。结果表明:随着沉积温度由100℃升至350℃,涂层内部开始由非晶向纳米晶转化,300℃... 详细信息

采用高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)技术在不同沉积温度下制备了Al-Cr-Si-N涂层。系统研究了沉积温度对涂层结构、成分、显微形貌、力学和摩擦学性能的影响。结果表明:随着沉积温度由100℃升至350℃,涂层内部开始由非晶向纳米晶转化,300℃时出现fcc-AlN相;涂层平整性和致密性逐步改善,膜/基结合强度逐渐提高,在300℃达到最大值77 N,但温度继续升高至350℃时,严重的轰击刻蚀作用使临界载荷骤降至25 N;涂层硬度逐渐增加,在350℃达到最大值19.4GPa;涂层内应力整体呈下降趋势,由–0.8 GPa逐渐降低至–0.4 GPa左右。

关键词： HiPIMS AlCrSiN涂层沉积温度力学性能摩擦系数

沉积温度对硫化锌(ZnS)薄膜的结晶和光学特性影响研究

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物理学报 2013年第21期62卷 206-210页

作者：于天燕秦杨刘定权中国科学院上海技术物理研究所光学薄膜与材料研究室上海200083

对不同温度下沉积的ZnS薄膜的结晶情况和光学特性进行了研究,结果表明:沉积温度对ZnS薄膜的物理和光学特性有较大影响,不同的温度沉积的ZnS薄膜具有不同的择优取向,牢固度也大不相同;不同沉积温度下,ZnS薄膜的光学常数也不尽相同.温度为... 详细信息

对不同温度下沉积的ZnS薄膜的结晶情况和光学特性进行了研究,结果表明:沉积温度对ZnS薄膜的物理和光学特性有较大影响,不同的温度沉积的ZnS薄膜具有不同的择优取向,牢固度也大不相同;不同沉积温度下,ZnS薄膜的光学常数也不尽相同.温度为115℃和155℃时,ZnS薄膜的物理性能和光学性能较差,不适合空间用光学薄膜的研制使用.而190℃和230℃沉积温度下所得薄膜具有较好的物理和光学性能,适合于不同要求的空间用薄膜器件的研制使用.

关键词：硫化锌薄膜沉积温度表面形貌光学常数

沉积温度对电弧离子镀AlCrSiN涂层的影响

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表面技术 2023年第7期52卷 149-157页

作者：刘艳梅张蕊朱强王重阳白乌力吉曹凤婷范其香王铁钢天津职业技术师范大学天津市高速切削与精密加工重点实验室天津300222 南京航空航天大学机电学院南京210016

目的优化涂层制备工艺,改善AlCrSiN涂层的力学及摩擦性能。方法采用可调节磁场强度的新型电弧离子镀技术,在不同沉积温度下研制AlCrSiN涂层。利用XRD及SEM分析AlCrSiN涂层的相结构、截面形貌,借助纳米压痕仪、划痕测试仪、高温摩擦磨损... 详细信息

目的优化涂层制备工艺,改善AlCrSiN涂层的力学及摩擦性能。方法采用可调节磁场强度的新型电弧离子镀技术,在不同沉积温度下研制AlCrSiN涂层。利用XRD及SEM分析AlCrSiN涂层的相结构、截面形貌,借助纳米压痕仪、划痕测试仪、高温摩擦磨损试验机以及台阶仪测试AlCrSiN涂层硬度、膜/基结合强度以及摩擦磨损性能。系统分析沉积温度对AlCrSiN涂层的成分分布、微观结构演变、力学性能的影响,并研究沉积温度对AlCrSiN涂层摩擦磨损性能的影响规律及磨损机制。结果随着沉积温度逐渐升高,涂层吸附原子的活性增强,涂层沉积速率出现先上升、再下降的趋势。随着沉积温度升高,涂层中的Cr2N相逐渐替代CrN相,且hcp-AlN相沿(11■0)晶面择优生长。各沉积温度下,AlCrSiN涂层均与单晶硅片基体表面结合良好,且具有良好的致密性。沉积温度的升高,增强了原子的扩散能力,致使晶粒尺寸增大。随着沉积温度升高,涂层的硬度及弹性模量均呈上升趋势,而H/E、H3/E*2均先升高、后降低,涂层膜/基结合强度逐渐增大。当沉积温度为350℃时,所制备的AlCrSiN涂层特征值H/E、H3/E*2最高,此时涂层的耐磨性能最佳;当沉积温度升至450℃时,涂层的纳米硬度最大,约为25.59 GPa,弹性模量也最大,为501.76 GPa,涂层的结合强度最高,为121.9 N。结论通过改变沉积温度,调控AlCrSiN涂层的微观结构,制备的AlCrSiN涂层均较为致密,无明显孔洞等缺陷。AlCrSiN涂层结合强度整体上处于较高水平,并表现出较好的耐磨性能。当沉积温度为350℃时,涂层摩擦系数最低,H/E和H3/E*2均达到最大值,此时涂层的耐磨损性能最佳。

关键词：电弧离子镀 AlCrSiN涂层沉积温度摩擦磨损力学性能

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沉积温度、压力对CVDZnS晶粒尺寸及性能的影响

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硅酸盐学报 2020年第6期48卷 925-930页

作者：魏乃光郭立杨海刘晓华田智瑞黎建明李冬旭蒋立朋李文江赵永田杨建纯北京有色金属研究总院有研国晶辉新材料有限公司河北三河065201

通过控制H2S流量(2±1)L/min、氩气流量(35±2)L/min,在不同沉积温度[(650±10)、(670±10)、(700±10)℃]、不同沉积压力[(5000±200)、(7000±200)、(9000±200)Pa]工艺条件下采用化学气相沉积法制备出原生ZnS(CVDZnS)样品。利用X射线衍射、金相显微镜、Spectrμm100 Fourier红外变换光谱仪对CVDZnS样品分别进行了物相分析、微观晶粒形貌观察以及2~15μm波段的红外透过率测试。结果表明:CVDZnS主要以立方相形式存在,有少量六方相,沉积生长的优先取向为s(111);金相分析表明在沉积压力为(5000±200)和(7000±200)Pa时,随着温度的升高平均晶粒尺寸有增大趋势,最大平均纵向晶粒尺寸值为15.5μm。平均纵向晶粒尺寸和平均横向晶粒尺寸的比值越接近"1",对于提高材料弯曲强度越有利。确定了在沉积温度为(670±10)℃、沉积压力为(7000±200)Pa工艺条件下,制备的CVDZnS可以有效提高2~5、7~10μm的平均透过率(~72.15%),降低6.0μm左右的吸收。

关键词：化学气相沉积硫化锌沉积温度沉积压力光学性能力学性能

沉积温度对高性能TiAlN涂层微观结构和力学性能的影响

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稀有金属材料与工程 2023年第6期52卷 2024-2030页

作者：刘兴龙徐乘远陈彬乔宏蔺增东北大学机械工程与自动化学院辽宁沈阳110004 泰安东大新材表面技术有限公司山东泰安271024

采用真空电弧离子镀(AIP)技术在不同沉积温度下TiAlN涂层,用于高性能制造,并研究了沉积温度与表面性能的关系。结果表明,由于离子轰击作用,表面大颗粒随沉积温度的升高而减少。随着沉积温度的升高,涂层表面的晶粒尺寸先急剧减小后逐渐... 详细信息

采用真空电弧离子镀(AIP)技术在不同沉积温度下TiAlN涂层,用于高性能制造,并研究了沉积温度与表面性能的关系。结果表明,由于离子轰击作用,表面大颗粒随沉积温度的升高而减少。随着沉积温度的升高,涂层表面的晶粒尺寸先急剧减小后逐渐增大。此外,沉积温度对合成涂层的相组成和化学成分影响不大。随着沉积温度的升高,硬度和粘结强度先迅速增加,后逐渐降低。当沉积温度在450℃左右时,沉积的TiAlN涂层硬度最高,粘结强度最大。上述现象的发生机理与沉积过程中表面与界面之间的微观组织和残余应力的变化有关。合成的涂层在高达900℃的空气中具有良好的热稳定性。

关键词： TiAlN涂层沉积温度力学性能热稳定性高性能制造

沉积温度对脉冲激光沉积法在YSZ(100)衬底上生长 Mn1.56Co0.96Ni0.48O4尖晶石薄膜结构、电学和磁学性能的影响

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红外与毫米波学报 2020年第6期39卷 678-683页

作者：张韬略刘芳林铁徐德才侯云上海理工大学材料科学与工程学院上海200093 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

在YSZ(100)衬底上,采用脉冲激光沉积法在500℃至700℃的不同沉积温度下生长出尖晶石结构的Mn1.56Co0.96Ni0.48O4(MCNO)薄膜.由于沉积温度是制备高质量薄膜的重要因素,因此本文研究了MCNO薄膜结构、电学和磁学性能随沉积温度的变化.通过... 详细信息

在YSZ(100)衬底上,采用脉冲激光沉积法在500℃至700℃的不同沉积温度下生长出尖晶石结构的Mn1.56Co0.96Ni0.48O4(MCNO)薄膜.由于沉积温度是制备高质量薄膜的重要因素,因此本文研究了MCNO薄膜结构、电学和磁学性能随沉积温度的变化.通过对X射线衍射图和原子力显微镜图像的分析,发现MCNO薄膜的结晶与沉积温度有很大关系.随着沉积温度的升高,MCNO薄膜的电阻率呈V型变化,其导电过程可以用小极化子跳跃机理来描述.同时,随温度变化的磁化曲线表明所有样品都显示出从铁磁性到顺磁性的转变,且沉积温度为600℃的MCNO薄膜具有216 K的高居里温度.以上研究结果表明,在600℃沉积的MCNO薄膜具有适用于热敏电阻器件和多功能异质结所需的良好性能.

关键词：薄膜技术脉冲激光沉积沉积温度磁学性能

沉积温度对等离子增强化学气相沉积法制备的SiN_x：H薄膜特性的影响

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物理化学学报 2011年第6期27卷 1531-1536页

作者：闻震利曹晓宁周春兰赵雷李海玲王文静中国科学院电工研究所太阳能热利用及光伏系统重点实验室北京100190

利用Centrotherm公司生产的管式等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备在p型抛光硅片表面沉积SiNx:H薄膜,研究沉积温度对SiNx:H薄膜的组成及光学特性、结构及表面钝化特性的影响.然后采用工业化的单晶硅太阳电池制作设备和工艺制作太阳电池... 详细信息

利用Centrotherm公司生产的管式等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备在p型抛光硅片表面沉积SiNx:H薄膜,研究沉积温度对SiNx:H薄膜的组成及光学特性、结构及表面钝化特性的影响.然后采用工业化的单晶硅太阳电池制作设备和工艺制作太阳电池,研究不同温度制备的薄膜对电池电性能的影响.测试结果表明:SiNx:H薄膜的折射率随着沉积温度的升高而变大,分布在1.926-2.231之间,这表明Si/N摩尔比随着沉积温度的增加而增加;当沉积温度增加时,薄膜中Si-H键和N-H键浓度呈现减小趋势,而Si-N键浓度逐渐升高,薄膜致密度增加;随着沉积温度的升高,SiNx:H薄膜中的氢析出导致了钝化硅片的有效少子寿命先升高后降低,并且有效少子寿命出现明显的时间衰减特性.当沉积温度为450°C时,薄膜具有最优的减反射和表面钝化效果.采用不同温度PECVD制备的5组电池的电性能测试结果也验证了这一结果.

关键词： SiNx:H薄膜沉积温度结构特性钝化太阳电池效率