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  • 15 篇 期刊文献

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  • 15 篇 电子文献
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  • 1 篇 理学
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主题

  • 15 篇 汽相淀积
  • 2 篇 激光器
  • 2 篇 杂质分布
  • 1 篇 化学束外延
  • 1 篇 二氧化硅
  • 1 篇 半导体
  • 1 篇 单晶
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  • 1 篇 低倍缺陷(金属)
  • 1 篇 电子器件
  • 1 篇 土壤结构
  • 1 篇 卫星
  • 1 篇 数值孔径
  • 1 篇 同质外延
  • 1 篇 电学特性
  • 1 篇 晶向
  • 1 篇 电子迁移率

机构

  • 1 篇 北京大学
  • 1 篇 华东师范大学
  • 1 篇 机电部第13研究所
  • 1 篇 兰州物理研究所
  • 1 篇 星光电工厂
  • 1 篇 中国科学院上海技...
  • 1 篇 日本丰桥工业大学

作者

  • 1 篇 卢榆孙
  • 1 篇 王济身
  • 1 篇 l.c.冈德森 伍允诵...
  • 1 篇 张正德
  • 1 篇 胡成烈
  • 1 篇 唐秀云
  • 1 篇 潘尧令
  • 1 篇 陈宁锵
  • 1 篇 陈胜义
  • 1 篇 薛魁武
  • 1 篇 王毅
  • 1 篇 李华
  • 1 篇 章其林
  • 1 篇 黄以明
  • 1 篇 蔡纯
  • 1 篇 昭华
  • 1 篇 沈令康
  • 1 篇 汪师俊
  • 1 篇 李添臣
  • 1 篇 沈天慧

语言

  • 15 篇 中文
检索条件"主题词=汽相淀积"
15 条 记 录,以下是1-10 订阅
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低纯试剂汽相淀积硒化锌多晶性能分析
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红外与毫米波学报 1984年 第2期9卷 123-128页
作者: 陈宁锵 薛魁武 唐秀云 中国科学院上海技术物理研究所
本工作采用低纯试剂化-冷凝淀积工艺,首先获得优质硒化锌多晶。本文分析了这种多晶的光学、力学、化学、热学和电学性能及其结构。
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同质外延硅汽相淀积法的改进
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微电子学 1972年 第2期16卷 40-45页
作者: 李添臣 沈令康
硅外延淀积工艺的重点在于生长突变结和改善外延层的径向厚度和电阻率均匀性。外延层的载流子迁移率和寿命取决于晶体完整性。衬底表面及其晶向对外延淀积有影响。讨论了有利于得到无缺陷的外延硅,有利于集成电路制备,诸如结隔离和介质... 详细信息
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激光产生的硅汽相淀积
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微电子学 1980年 第3期 58-59+35页
作者: M.Hanabusa,AkiraNamiki,范广毅 日本丰桥工业大学电工系 日本丰桥工业大学电工系
当硅烷被脉冲CO2激光器照射时就淀积出硅膜。当激光调至SiH4吸收频率上时,有效地导致出这种激光产生的汽相淀积。其效率是那么高,以致1.3MW/cm2的未聚焦束就足够了。无任何热效应。在压超过100乇以上能有效地产生淀积,这表明包含有一... 详细信息
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低温常压化学汽相淀积二氧化硅膜和掺磷二氧化硅工艺研究
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延河集成电路 1992年 第2期9卷 47-51页
作者: 陈胜义
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化学汽相淀积技术(十八)
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半导体杂志 1989年 第1期14卷 51-54页
作者: 沈天慧 汪师俊
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砷化氢和磷化氢汽相淀积外延InAs1-xPx 的制备和性能
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激光与红外 1972年 第3期 34-37页
作者: 昭华
已用生长技术制备了单晶InAs1-xPx层,这种技术以前曾用于制备很高质量的GaAs1-xPx。InAs1-xPx合金的电子迁移率,与到目前为止所报导的该系的最高电子迁移率等。对在77°K时合金的电子迁移率数据已作了广泛的报导。在该温度下,所... 详细信息
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星用抗静电导电膜光电性能评价方法
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中国空间科学技术 1992年 第1期12卷 39-43页
作者: 卢榆孙 李华 蔡纯 兰州物理研究所
对卫星表面某些高绝缘材料表面,通过物理气淀积(PVD)技术进行改性使之满足卫星表面控制充电的要求,是一种极为有效的技术途径。但为了高可靠与长寿命,必须对所制备的膜进行充分和必要的各项性能检验与考核。这包括充电性能、光电性能... 详细信息
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LPCVD掺氧多晶硅电学特性研究
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电子科学学刊 1991年 第4期13卷 372-377页
作者: 潘尧令 王云珍 王济身 华东师范大学电子科学技术系
本文通过测量电导率特性对LPCVD掺氧多晶硅(SIPOS)的电学特性进行了研究。结果表明,SIPOS的电学特性与其含氧量和退火温度有关。SIPOS的含氧量增加,其电导率下降;在退火过程中,随退火温度的不同,SIPOS的电导率的变化存在两个不同过程:... 详细信息
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非晶态金属的微结构和磁各向异性
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物理 1984年 第12期 720-725页
作者: 林肇华 北京大学物理系
非晶态原子分布的长程无序特征,意味着非晶态材料宏观看来应当是均匀的和各向同性的.然而实际观测表明,许多非晶态材料的一些宏观性质常常具有某种各向异性的特点.这似乎与非晶态结构的长程无序性是矛盾的. 事实上,实际的非晶态材料常... 详细信息
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化学束外延介绍
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半导体情报 1990年 第3期27卷 10-15,9页
作者: 李松法
化学束外廷(Chemical Beam Epitaxy,简称CBE)是一种由分子束外延(MBE)和金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)发展而来的新技术,它结合了MBE的束的属性和MOCVD的控制和采用全源的特点,它综合了两者的优点而使各自的缺点得到弥补。最近用... 详细信息
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