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主题

  • 1 篇 电子迁移率
  • 1 篇 表面积累层
  • 1 篇 汞镉碲器件
  • 1 篇 中子带

机构

  • 1 篇 中国科学院上海技...
  • 1 篇 昆明物理研究所

作者

  • 1 篇 桂永胜
  • 1 篇 蔡毅
  • 1 篇 郑国珍
  • 1 篇 汤定元
  • 1 篇 褚君浩

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=汞镉碲器件"
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n-HgCdTe表面积累层中子带电子迁移率的研究
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物理学报 1998年 第8期47卷 1354-1360页
作者： 桂永胜 褚君浩 蔡毅 郑国珍 汤定元 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 昆明物理研究所
利用定量迁移率谱技术，通过研究霍尔系数和电阻率与磁场强度的关系，获得了ｎＨｇＣｄＴｅ器件表面积累层中子带电子的浓度和迁移率随温度的变化趋势．由定量迁移率谱得到的结果与ＳｈｕｂｎｉｋｏｖｄｅＨａｓ测量结果以及理论计... 详细信息
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