检索结果-南通市图书馆

半导体技术 2019年第6期44卷 438-443页

作者：李海鸥李玺李跃刘英博孙堂友李琦李陈成陈永和桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室广西桂林541004

制备了Al/Al_2O_3/InP金属氧化物半导体(MOS)电容,分别采用氮等离子体钝化工艺和硫钝化工艺处理InP表面。研究了在150、200和300 K温度下样品的界面特性和漏电特性。实验结果表明,硫钝化工艺能够有效地降低快界面态,在150 K下测试得到... 详细信息

制备了Al/Al_2O_3/InP金属氧化物半导体(MOS)电容,分别采用氮等离子体钝化工艺和硫钝化工艺处理InP表面。研究了在150、200和300 K温度下样品的界面特性和漏电特性。实验结果表明,硫钝化工艺能够有效地降低快界面态,在150 K下测试得到最小界面态密度为1.6×10^(10) cm^(-2)·eV^(-1)。与硫钝化工艺对比,随测试温度升高,氮等离子体钝化工艺可以有效减少边界陷阱,边界陷阱密度从1.1×10^(12) cm^(-2)·V^(-1)降低至5.9×10^(11) cm^(-2)·V^(-1),同时减少了陷阱辅助隧穿电流。氮等离子体钝化工艺和硫钝化工艺分别在降低边界陷阱和快界面态方面有一定优势,为改善器件界面的可靠性提供了依据。

关键词：氮等离子体钝化硫钝化界面态密度边界陷阱密度隧穿电流

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