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黑色氮化钨作为金属性光催化剂实现全分解水

物理化学学报 2017年第11期33卷 2117-2118页

作者：吴凯北京大学化学与分子工程学院北京100871

光解水技术可以将太阳能转换存储为化学能，被视为解决全球性能源与环境问题的理想方式之一。太阳能转换效率一定程度上取决于光催化材料的吸光范围，然而考虑到最小禁带宽度1．23eV和光解水过程中可能存在的能量损失等因素，单一半导... 详细信息

光解水技术可以将太阳能转换存储为化学能，被视为解决全球性能源与环境问题的理想方式之一。太阳能转换效率一定程度上取决于光催化材料的吸光范围，然而考虑到最小禁带宽度1．23eV和光解水过程中可能存在的能量损失等因素，单一半导体实现全分解水的吸光范围较难超过700nm。

关键词：分解水光催化剂金属性氮化钨太阳能转换黑色光催化材料环境问题

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高比表面积氮化钨催化剂的合成与表征

石油化工 2004年第z1期33卷 618-619页

作者：白鹏阎子峰石油大学(华东)重质油国家重点实验室山东东营257061 石油大学(华东)重质油国家重点实验室山东东营257061

用程序升温反应合成了高比表面的氮化钨催化剂,并考察了氮化钨的合成路径.结果表明,高比表面的氮化钨具有明显的介孔特征,比表面达到45 m2/***3在氮化过程中,要经历W20O58、W20O40等中间过渡态.

关键词：氮化钨高比表面介孔

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载体和助剂对氮化钨催化剂性能的影响

载体和助剂对氮化钨催化剂性能的影响

作者：张强北京化工大学

学位级别：硕士

严格的环保法规限定了燃料中硫的含量，要求对含硫燃料油的硫进行去除，目前工业上常用的方法是通过深度加氢脱硫(HDS)的方法降低油品中的硫含量，传统的过渡金属硫化物催化剂，由于其结构和性能方面的原因，在加氢精制的活性和选择性... 详细信息

严格的环保法规限定了燃料中硫的含量，要求对含硫燃料油的硫进行去除，目前工业上常用的方法是通过深度加氢脱硫(HDS)的方法降低油品中的硫含量，传统的过渡金属硫化物催化剂，由于其结构和性能方面的原因，在加氢精制的活性和选择性方面存在不足，难以满足要求，开发新型高效的表面性质和催化性能类似于贵金属的过渡金属氮化物催化剂是降低油品中硫含量的一个有效方法。本文选用不同的用浸渍法合成的负载型氧化钨催化剂，用H-N为还原氮化气，通过程序升温反应的方法合成出系列负载型氮化钨催化剂。通过BET，XRD，TG-DTA和XPS等现代手段表征了所合成的催化剂，评价了催化剂的加氢脱硫催化性能，考察了不同载体和助剂对氮化钨催化剂性能的影响。本文主要工作和结论如下： 1．氮化钨催化剂的制备采用在H-N混合气(H与N摩尔比为5：1)程序升温还原氮化的方法制备了WN，WN／γ-AlO，WN／TiO-γ-AlO和添加助剂Ni、Co、P、V的WN／TiO-γ-AlO催化剂。 2．载体和助剂对氮化钨催化剂合成的影响采用原位差热-热重(TG-DTA)技术，研究负氮化钨催化剂的还原氮

关键词：氮化钨载体助剂合成表征加氢脱硫

大功率器件用氮化钨各向异性刻蚀工艺设计与实现

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大功率器件用氮化钨各向异性刻蚀工艺设计与实现

作者：庸安明东南大学

学位级别：硕士

氮化钨是一种很重要的宽带隙半导体材料。与其他半导体材料相比,氮化钨的化学性质不活泼,并且具有很强的化学键,但是高键能也使得在刻蚀氮化钨时需要比其他半导体材料更高的激活能。同时氮化钨还是一种具有优良机械和热稳定性能的陶瓷材... 详细信息

氮化钨是一种很重要的宽带隙半导体材料。与其他半导体材料相比,氮化钨的化学性质不活泼,并且具有很强的化学键,但是高键能也使得在刻蚀氮化钨时需要比其他半导体材料更高的激活能。同时氮化钨还是一种具有优良机械和热稳定性能的陶瓷材料,能够很好的应用到半导体的制作当中。由此本文主要探讨半导体材料当中大功率器件氮化钨各向异性刻蚀工艺。本文主要研究和分析大功率器件氮化钨各向异性刻蚀工艺的设计和实现。论文首先对研究背景及意义、国内外与本课题相关的半导体材料、刻蚀技术、氮化物半导体材料等研究资料进行综述,并详细阐述干法刻蚀和湿法刻蚀的基本原理及分类,为本文的研究奠定一定的理论基础。结合氮化钨各向异性的特性,选择干法刻蚀作为主要的研究方法,具体设计了刻蚀工艺。本课题基于应用材料公司的Centura型反应离子刻蚀机对氮化钨薄膜进行图形化开发,采用CHF3/CF4作为刻蚀气体,评估了射频功率、工艺腔压力、气体流量等工艺参数对刻蚀性能的影响,优化后的工艺菜单对下层衬底的Si及Si02的损失量具有较好的控制。电学测试结果显示,在0-5V区间,保持了良好的线性,电阻值曲线也没有明显的波动。整片硅片在5V电压时,各个die的电阻值集中在243kΩ左右,并且保持良好的均匀性。当前层的Si侧壁形貌较直时,侧壁底部的W2N在刻蚀后会留下残留,引起局部短路,在电学测试中,PCM结构的测试显示异常;当前层Si在淀积W2N之前利用Pre-clean处理后,侧壁角度较小,侧壁上的W2N在采用相同的刻蚀菜单时也能够去除干净。基于这个机理,对前层Si进行了优化,减小Si图形侧壁倾角。最终确认了刻蚀工艺能够满足W2N刻蚀的需求,保证W2N去除干净的情况下,对下层的损失量在可控范围内,并且,在片内均匀性优良。本文所设计刻蚀工艺技术应用到LDMOS器件实际生产中。达到了 LDMOS芯片工艺制程要求:对下层衬底Si02的过刻蚀损失量小于500埃,且氮化钨刻蚀的侧向线宽损失小于0.2μm,刻蚀的均匀性小于5%。使用该刻蚀技术研制的LDMOS器件在(485～606)MHz批频率范围、脉宽20ms、占空比35.7%的工作条件下,输出功率大于350W,增益大于17dB,效率大于52%。

关键词：氮化钨各向异性刻蚀工艺干法刻蚀

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钴掺杂的氮化钨电极特性及超级电容性能研究

钴掺杂的氮化钨电极特性及超级电容性能研究

作者：赵俊峰哈尔滨理工大学

学位级别：硕士

随着人类社会的不断进步,对便携式储能设备的需求越来越多。电池和超级电容是其中使用最为广泛的,超级电容由于功率密度高,稳定性好,在能源汽车等领域被广泛关注。WN作为过渡金属氮化物,其本身具有优秀的稳定性和导电性,是很有前景的一... 详细信息

随着人类社会的不断进步,对便携式储能设备的需求越来越多。电池和超级电容是其中使用最为广泛的,超级电容由于功率密度高,稳定性好,在能源汽车等领域被广泛关注。WN作为过渡金属氮化物,其本身具有优秀的稳定性和导电性,是很有前景的一种超级电容电极材料,本文通过掺杂改性,电化学测试等一系列手段对其进行了研究,内容如下:通过水热法在碳布上生长了不同浓度钴元素掺杂的氧化钨,再通过氨气氛围下退火制备了不同浓度钴掺杂的WN,在钴元素占比为10%时WN发生了形貌的改变,由纳米棒变为了纳米线结构。在0.5 M HSO溶液中通过三电极法测试发现,在形貌改变前后(5%,10%)的钴掺杂WN具有优异的性能,电压窗口为-0.3到0.2 V,比电容分别为2620.8 m F/cm,3418.4 m F/cm,均可在10000圈的循环中保持87%以上的容量,具有单个超级电容电极的优异性能。而原始的WN只有379.2 m F/cm的容量,证明钴元素的掺杂有效改进了WN的性能。对钴掺杂(5%,10%)的WN分别组装了不同种类的超级电容,寻找最佳的性能。首先组装的对称超级电容由于有限的电压窗口区间(0.5 V),最高仅有12.6μWh/cm的能量密度。为了提高其电压窗口,本文匹配了不同的正极来组装非对称超级电容。磷酸铁锂(LFP)正极可以成功将超级电容电压区间扩展到1 V,但是由于本身较低的比电容,组装后的器件只能达到16μWh/cm的能量密度。之后本文通过化学浴法在碳布上生长了聚吡咯(PPY)作为超级电容的正极,使得器件可以在1.3 V的电压窗口下达到108μWh/cm的功率密度和5.2 m W/cm的能量密度,并且在10000圈的循环中保持85%以上的容量。

关键词：氮化钨钴掺杂超级电容

探究叠氮化钠和三聚氰胺在氮化钨合成中充当氮源时氮活性的强弱

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大学物理实验 2021年第6期34卷 7-9页

作者：宋乐乐王常春吉林化工学院理学院吉林吉林132022

过渡金属氮化物具有许多优良的物理化学性质,但高质量的过渡金属氮化物合成非常困难。在合成过渡金属氮化物时,由于氮源的活性不高,需要高温才能完成。而高温又会促使合成的氮化物分解。如果能够提高氮源的活性,势必会降低合成温度。本... 详细信息

过渡金属氮化物具有许多优良的物理化学性质,但高质量的过渡金属氮化物合成非常困难。在合成过渡金属氮化物时,由于氮源的活性不高,需要高温才能完成。而高温又会促使合成的氮化物分解。如果能够提高氮源的活性,势必会降低合成温度。本文尝试了利用三聚氰胺和叠氮化钠作为高活性氮源,并且对比了两种材料的活性。通过实验发现,两种材料都是能够用于高温高压设备的高活性氮源。在合成氮化钨时,三聚氰胺的活性要比叠氮化钠的活性要高。

关键词：叠氮化钠三聚氰胺氮化钨过渡金属氮化物

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等离子体制备纳米氮化钨薄膜的研究现状

信息记录材料 2022年第12期23卷 1-3页

作者：何革成都大学机械工程学院四川成都610106

近年来,纳米材料及等离子体制备技术在国内外受到了越来越高的重视,过渡金属氮化物由于其类似贵金属铂的电子特性,具有优异的电导性、好的抗腐蚀能力、高熔点等特点,用于在各种材料上形成坚硬、耐磨的保护涂层,且被广泛用于电极材料和... 详细信息

近年来,纳米材料及等离子体制备技术在国内外受到了越来越高的重视,过渡金属氮化物由于其类似贵金属铂的电子特性,具有优异的电导性、好的抗腐蚀能力、高熔点等特点,用于在各种材料上形成坚硬、耐磨的保护涂层,且被广泛用于电极材料和催化剂制备等领域。本文总结国内外目前用等离子体制备纳米结构氮化钨的研究现状并做出展望。

关键词：等离子体纳米氮化钨

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碳载氮化钨催化剂的肼分解性能研究

碳载氮化钨催化剂的肼分解性能研究

第十一届全国青年催化学术会议

作者：孙军郑明远王晓东李涛丁李宁张涛中国科学院大连化学物理研究所中国科学院大连化学物理研究所中国科学院大连化学物理研究所中国科学院大连化学物理研究所中国科学院大连化学物理研究所中国科学院大连化学物理研究所

＜正＞肼分解反应在航天航空飞行器的姿态控制领域有着重要应用。目前,肼分解应用最广泛的催化剂是美国Shell公司研制的20～40%Ir/γ-Al2O3催化剂[1]。近几年来,文献中连续报道了过渡金属氮化物、碳化物在肼分解反应中表现出了很好的催... 详细信息

＜正＞肼分解反应在航天航空飞行器的姿态控制领域有着重要应用。目前,肼分解应用最广泛的催化剂是美国Shell公司研制的20～40%Ir/γ-Al2O3催化剂[1]。近几年来,文献中连续报道了过渡金属氮化物、碳化物在肼分解反应中表现出了很好的催化活性[2,3],为发展新型的可以替代日益昂贵

关键词：氮化钨活性炭肼分解发动机

来源： cnki会议评论

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纳米氮化钨粉体的制备研究

南昌大学学报（工科版） 2006年第3期28卷 235-238页

作者：刘兵发谭敦强周浪南昌大学材料科学与工程学院江西南昌330047

以偏钨酸氨为原料,采用喷雾干燥、焙烧、球磨和纯氨氮化工艺进行了氮化钨粉体制备研究.采用X-射线衍射仪、扫描电镜和激光粒度仪分析了制备过程中各阶段产物的物相、形貌、粒度及团聚形成的二次粒度.结果表明:采用喷雾干燥工艺、焙烧和... 详细信息

以偏钨酸氨为原料,采用喷雾干燥、焙烧、球磨和纯氨氮化工艺进行了氮化钨粉体制备研究.采用X-射线衍射仪、扫描电镜和激光粒度仪分析了制备过程中各阶段产物的物相、形貌、粒度及团聚形成的二次粒度.结果表明:采用喷雾干燥工艺、焙烧和湿磨工艺可以制备出粒度约为100 nm的WO3粉体,它在团聚后形成的二次颗粒平均粒度为0.64μm;采用纯氨氮化工艺可以在650℃下将这种粉体完全转变为WN,其晶粒尺度为35 nm,在常温下团聚后的二次平均粒度为6.4μm.

关键词：氮化钨催化剂喷雾干燥纳米粉体